Полупроводни́к — материал , по удельной проводимости занимающий промежуточное место между проводниками и диэлектриками , и отличающийся от проводников ( металлов ) сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и воздействия различных видов излучения . Основным свойством полупроводников является увеличение электрической проводимости с ростом температуры .

Полупроводниками являются кристаллические вещества, ширина запрещённой зоны которых составляет порядка электрон-вольта (эВ). Например, алмаз можно отнести к широкозонным полупроводникам (около 7 эВ ), а арсенид индия — к узкозонным (0,35 эВ ). К числу полупроводников относятся многие химические элементы ( германий , кремний , селен , теллур , мышьяк и другие), огромное количество сплавов и химических соединений ( арсенид галлия , нитрид галлия , сплав КРТ ( кадмий - ртуть - теллур ), теллурид кадмия , теллурид висмута , и др.).

Атом другого химического элемента в чистой кристаллической решётке (например, атом фосфора , бора и т. д. в кристалле кремния) называется примесью . В зависимости от того, отдаёт ли примесной атом электрон в кристалл (в вышеприведённом примере — фосфор) или захватывает его (бор), примесные атомы называют донорными или акцепторными . Характер примеси может меняться в зависимости от того, какой атом кристаллической решётки она замещает, в какую кристаллографическую плоскость встраивается.

Проводимость полупроводников зависит от температуры. Вблизи температуры абсолютного нуля полупроводники имеют свойства диэлектриков .

История

В 1833 году английский физик экспериментатор Майкл Фарадей в своей работе «Экспериментальные исследования по электричеству» описал необычную температурную зависимость электропроводимости сульфида серебра , которая увеличивалась при повышении температуры, в то время как проводимость металлов при нагреве уменьшалась. К 1838 году Фарадей открыл ещё 5 веществ с подобными свойствами . Позднее такие вещества назовут «полупроводниками».

В 1820—1900 годы, большой вклад в исследование различных свойств кристаллов внесла династия французских физиков Беккерелей: Антуан Сезар Беккерель , Александр Эдмон Беккерель и Антуан Анри Беккерель . Были изучены пьезоэлектрические , термоэлектрические свойства кристаллов, в 1851 году Александр Эдмон Беккерель открыл фотогальванический эффект в переходе электролит -полупроводник.

Механизм электрической проводимости

Полупроводники характеризуются свойствами как проводников, так и диэлектриков . В полупроводниковых кристаллах атомы устанавливают ковалентные связи (то есть, один электрон в кристалле кремния связан двумя атомами) и электронам необходим уровень внутренней энергии для высвобождения из атома (1,76⋅10 ⁻¹⁹ Дж против 11,2⋅10 ⁻¹⁹ Дж, чем и характеризуется отличие между полупроводниками и диэлектриками). Эта энергия появляется в них при повышении температуры (например, при комнатной температуре уровень энергии теплового движения атомов равняется 0,04⋅10 ⁻¹⁹ Дж), и отдельные электроны получают энергию для отрыва от ядра. С ростом температуры число свободных электронов и дырок увеличивается, поэтому в полупроводнике, не содержащем примесей, удельное электрическое сопротивление уменьшается. Условно принято считать полупроводниками элементы с энергией связи электронов меньшей, чем 1,5—2 эВ. Электронно-дырочный механизм проводимости проявляется у собственных (то есть без примесей) полупроводников. Он называется собственной электрической проводимостью полупроводников.

Свободное место в электронной оболочке атома

Во время разрыва связи между электроном и ядром появляется свободное место в электронной оболочке атома. Это обуславливает переход электрона с другого атома на атом со свободным местом. На атом, откуда перешёл электрон, входит другой электрон из другого атома и т. д. Этот процесс обуславливается ковалентными связями атомов. Таким образом, происходит перемещение положительного заряда без перемещения самого атома. Этот условный положительный заряд называют дыркой .

Обычно подвижность дырок в полупроводнике ниже подвижности электронов.

Энергетические зоны

Между зоной проводимости Е _п и валентной зоной Е _в расположена зона запрещённых значений энергии электронов Е _з . Разность Е _п −Е _в равна ширине запрещенной зоны Е _з . С ростом ширины Е _з число электронно-дырочных пар и проводимость собственного полупроводника уменьшается, а удельное сопротивление возрастает.

Подвижность

Подвижностью ${\displaystyle \mu }$ называют коэффициент пропорциональности между дрейфовой скоростью ${\displaystyle {\vec {v}}}$ носителей тока и величиной приложенного электрического поля ${\displaystyle {\vec {E}}:}$

${\displaystyle {\vec {v}}=\mu {\vec {E}}.}$

При этом, вообще говоря, в анизотропных кристаллах подвижность является тензором с компонентами ${\displaystyle \mu _{\alpha \beta }:}$

${\displaystyle \ v_{\alpha }=\mu _{\alpha \beta }E_{\beta }.}$

Подвижность электронов и дырок зависит от их концентрации в полупроводнике (см. рисунок). При большой концентрации носителей заряда вероятность столкновения между ними вырастает, что приводит к уменьшению подвижности, но несмотря на снижение подвижности проводимость увеличивается при повышении степени легирования, так как снижение подвижности компенсируется увеличением концентрации носителей заряда.

Размерность подвижности — м² /( В · с ) в СИ или см /(В·с)в системе СГС .

Собственная проводимость

При термодинамическом равновесии концентрация электронов полупроводника связана с температурой следующим соотношением:

${\displaystyle {\bar {n}}={\frac {2}{h^{3}}}(2\pi mkT)^{3/2}e^{-{\frac {E_{C}-E_{F}}{kT}}}}$

где:

${\displaystyle h}$ — постоянная Планка ;

${\displaystyle m}$ — масса электрона ;

${\displaystyle T}$ — абсолютная температура ;

${\displaystyle E_{C}}$ — уровень зоны проводимости;

${\displaystyle E_{F}}$ — уровень Ферми .

Также, концентрация дырок полупроводника связана с температурой следующим соотношением:

${\displaystyle {\bar {p}}={\frac {2}{h^{3}}}(2\pi mkT)^{3/2}e^{-{\frac {E_{F}-E_{V}}{kT}}}}$

где:

${\displaystyle h}$ — постоянная Планка .

${\displaystyle m}$ — эффективная масса дырки;

${\displaystyle T}$ — абсолютная температура ;

${\displaystyle E_{F}}$ — уровень Ферми ;

${\displaystyle E_{V}}$ — уровень валентной зоны.

Собственная концентрация ${\displaystyle n_{i}}$ связана с ${\displaystyle {\bar {n}}}$ и ${\displaystyle {\bar {p}}}$ следующим соотношением:

${\displaystyle {\bar {n}}{\bar {p}}=n_{i}^{2}}$

Виды полупроводников

По характеру проводимости

Собственная проводимость

Полупроводники, в которых свободные электроны и «дырки» появляются в процессе ионизации атомов, из которых построен весь кристалл, называют полупроводниками с собственной проводимостью. В полупроводниках с собственной проводимостью концентрация свободных электронов равняется концентрации «дырок».

Проводимость связана с подвижностью частиц следующим соотношением:

${\displaystyle \sigma ={\frac {1}{\rho }}=q(N_{\rm {n}}\mu _{\rm {n}}+N_{\rm {p}}\mu _{\rm {p}})}$

где ${\displaystyle \rho }$ — удельное сопротивление, ${\displaystyle \mu _{\rm {n}}}$ — подвижность электронов , ${\displaystyle \mu _{\rm {p}}}$ — подвижность дырок, ${\displaystyle N_{n,p}}$ — их концентрация, q — элементарный электрический заряд (1,602⋅10 ⁻¹⁹ Кл).

Для собственного полупроводника концентрации носителей совпадают, и формула принимает вид:

${\displaystyle \sigma ={\frac {1}{\rho }}=qN(\mu _{\rm {n}}+\mu _{\rm {p}})}$

Примесная проводимость

Для создания полупроводниковых приборов часто используют кристаллы с примесной проводимостью . Такие кристаллы изготавливаются с помощью внесения примесей с атомами трехвалентного или пятивалентного химического элемента.

По виду проводимости

Электронные полупроводники (n-типа)

Термин «n-тип» происходит от слова «negative», обозначающего отрицательный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников имеет примесную природу. В четырёхвалентный полупроводник (например, кремний ) добавляют примесь пятивалентного полупроводника (например, мышьяка ). В процессе взаимодействия каждый атом примеси вступает в ковалентную связь с атомами кремния. Однако для пятого электрона атома мышьяка нет места в насыщенных валентных связях, и он переходит на дальнюю электронную оболочку. Там для отрыва электрона от атома нужно меньшее количество энергии. Электрон отрывается и превращается в свободный. В данном случае перенос заряда осуществляется электроном, а не дыркой, то есть данный вид полупроводников проводит электрический ток подобно металлам. Примеси, которые добавляют в полупроводники, вследствие чего они превращаются в полупроводники n-типа, называются донорными .

Проводимость N-полупроводников приблизительно равна:

${\displaystyle \sigma \approx qN_{\rm {n}}\mu _{\rm {n}}}$

Дырочные полупроводники (р-типа)

Термин «p-тип» происходит от слова «positive», обозначающего положительный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников, кроме примесной основы, характеризуется дырочной природой проводимости. В четырёхвалентный полупроводник (например, в кремний) добавляют небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия ). Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. Для установки связи с четвёртым атомом кремния у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными .

Проводимость p-полупроводников приблизительно равна:

${\displaystyle \sigma \approx qN_{\rm {p}}\mu _{\rm {p}}}$

Использование в радиотехнике

Полупроводниковый диод

Полупроводниковый диод состоит из двух типов полупроводников — дырочного и электронного. В процессе контакта между этими областями из области с полупроводником n-типа в область с полупроводником p-типа проходят электроны, которые затем рекомбинируют с дырками. Вследствие этого возникает электрическое поле между двумя областями, что устанавливает предел деления полупроводников — так называемый . В результате в области с полупроводником p-типа возникает некомпенсированный заряд из отрицательных ионов, а в области с полупроводником n-типа возникает некомпенсированный заряд из положительных ионов. Разница между потенциалами достигает 0,3-0,6 В.

Связь между разницей потенциалов и концентрацией примесей выражается следующей формулой:

${\displaystyle \varphi =V_{\rm {T}}\ln \left({\frac {N_{\rm {n}}N_{\rm {p}}}{n_{\rm {i}}^{2}}}\right)}$

где ${\displaystyle V_{\rm {T}}}$ — термодинамическое напряжение, ${\displaystyle N_{\rm {n}}}$ — концентрация электронов, ${\displaystyle N_{\rm {p}}}$ — концентрация дырок, ${\displaystyle n_{\rm {i}}}$ — собственная концентрация .

В процессе подачи напряжения плюсом на p-полупроводник и минусом на n-полупроводник внешнее электрическое поле будет направлено против внутреннего электрического поля p-n перехода и при достаточном напряжении электроны преодолеют p-n переход, и в цепи диода появится электрический ток (прямая проводимость, диод пропускает максимальный электрический ток). При подаче напряжения минусом на область с полупроводником p-типа и плюсом на область с полупроводником n-типа между двумя областями возникает область, которая не имеет свободных носителей электрического тока (обратная проводимость, диод сопротивляется пропусканию электрического тока). Обратный ток полупроводникового диода близок к нулю, но не равен нулю, так как в обеих областях всегда есть неосновные носители заряда. Для этих носителей p-n переход будет открыт.

Таким образом, p-n переход проявляет свойства , что обуславливается подачей напряжения с различной полярностью. Это свойство используют для выпрямления переменного тока .

Транзистор

Транзистор — полупроводниковое устройство, которое состоит из двух областей с полупроводниками p- или n-типа, между которыми находится область с полупроводником n- или p-типа. Таким образом, в транзисторе есть две области p-n перехода.

Типы полупроводников в периодической системе элементов

В нижеследующей таблице представлена информация о большом количестве полупроводниковых элементов и их соединений, разделённых на несколько типов:

• одноэлементные полупроводники IV группы периодической системы элементов ,
• сложные: двухэлементные A ^III B ^V и A ^II B ^VI из третьей и пятой группы и из второй и шестой группы элементов соответственно.

Все типы полупроводников обладают интересной зависимостью ширины запрещённой зоны от периода, а именно — с увеличением периода ширина запрещённой зоны уменьшается.

Группа	IIB	IIIA	IVA	VA	VIA
Период
2		5 B	6 C	7 N
3		13 Al	14 Si	15 P	16 S
4	30 Zn	31 Ga	32 Ge	33 As	34 Se
5	48 Cd	49 In	50 Sn	51 Sb	52 Te
6	80 Hg

Физические явления в полупроводниках

Физические свойства полупроводников наиболее изучены по сравнению с металлами и диэлектриками . В немалой степени этому способствует огромное количество физических эффектов, которые не наблюдаемы ни в тех, ни в других веществах и связаны с устройством зонной структуры полупроводников и с достаточно узкой запрещённой зоной.

Основным стимулом для изучения полупроводниковых материалов является производство полупроводниковых приборов и интегральных микросхем — это в первую очередь относится к кремнию , но затрагивает и другие полупроводниковые материалы ( Ge , GaAs , InP , InSb ).

Кремний — непрямозонный полупроводник , оптэлектрические свойства которого широко используются для создания фотодиодов и солнечных батарей , однако на основе кремния трудно создать источник излучения и здесь используются прямозонные полупроводники — соединения типа A ^III B ^V , среди которых можно выделить GaAs , GaN , которые используются для создания светодиодов и полупроводниковых лазеров .

Собственный полупроводник при температуре абсолютного нуля не имеет свободных носителей в зоне проводимости в отличие от проводников и ведёт себя как диэлектрик . При сильном легировании ситуация может поменяться (см. вырожденные полупроводники ).

Легирование

Электрические свойства полупроводника могут сильно зависеть от дефектов в кристаллической структуре . Поэтому стремятся использовать очень чистые вещества, в основном, для электронной промышленности.

Легирующие примеси вводят для управления величиной и типом проводимости полупроводника. Например, широко применяемый кремний можно легировать элементами V подгруппы периодической системы элементов — фосфором , мышьяком которые являются донорами и получить кремний с электронным типом проводимости (n-Si). Для получения кремния с дырочным типом проводимости (p-Si) используют элементы III подгруппы бор или алюминий ( акцептор ). Так же получают компенсированные полупроводники для расположения уровня Ферми в середине запрещённой зоны.

Методы получения

Свойства полупроводников зависят от способа получения, так как различные примеси в процессе роста могут изменить их. Наиболее дешёвый способ промышленного получения монокристаллического технологического кремния — метод Чохральского . Для очистки технологического кремния используют также метод зонной плавки .

Для получения монокристаллов полупроводников используют различные методы физического и химического осаждения. Наиболее прецизионный и дорогой инструмент в руках технологов для роста монокристаллических плёнок — установки молекулярно-лучевой эпитаксии , позволяющей выращивать кристалл с точностью до монослоя.

Оптика полупроводников

Поглощение света полупроводниками обусловлено переходами между энергетическими состояниями зонной структуры. Учитывая принцип запрета Паули , электроны могут переходить только из заполненного энергетического уровня на незаполненный. В собственном полупроводнике все состояния валентной зоны заполнены, а все состояния зоны проводимости незаполненные, поэтому переходы возможны лишь из валентной зоны в зону проводимости . Для осуществления такого перехода электрон должен получить от света энергию, превышающую ширину запрещённой зоны. Фотоны с меньшей энергией не вызывают переходов между электронными состояниями полупроводника, поэтому такие полупроводники прозрачны в области частот ${\displaystyle \omega <E_{g}/\hbar }$ , где ${\displaystyle E_{g}}$ — ширина запрещённой зоны, ${\displaystyle \hbar }$ — постоянная Планка . Эта частота определяет для полупроводника. Для полупроводников, которые зачастую применяются в электронике ( кремний , германий , арсенид галлия ) она лежит в инфракрасной области спектра.

Дополнительные ограничения на поглощение света полупроводников накладывают правила отбора , в частности закон сохранения импульса . Закон сохранения импульса требует, чтобы квазиимпульс конечного состояния отличался от квазиимпульса начального состояния на величину импульса поглощённого фотона. Волновое число фотона ${\displaystyle 2\pi /\lambda }$ , где ${\displaystyle \lambda }$ — длина волны, очень мало по сравнению с волновым вектором обратной решётки полупроводника, или, что то же самое, длина волны фотона в видимой области намного больше характерного межатомного расстояния в полупроводнике, что приводит к требованию того, чтобы квазиимпульс конечного состояния при электронном переходе практически равнялся квазиимпульсу начального состояния. При частотах, близких к фундаментальному краю поглощения, это возможно только для прямозонных полупроводников . Оптические переходы в полупроводниках, при которых импульс электрона почти не меняется называются прямыми или вертикальными . Импульс конечного состояния может значительно отличаться от импульса начального состояния, если в процессе поглощения фотона участвует ещё одна, третья частица, например, фонон . Такие переходы тоже возможны, хотя и менее вероятны. Они называются непрямыми переходами .

Таким образом, прямозонные полупроводники, такие как арсенид галлия , начинают сильно поглощать свет, когда энергия кванта превышает ширину запрещённой зоны. Такие полупроводники очень удобны для использования в оптоэлектронике .

Непрямозонные полупроводники, например, кремний , поглощают в области частот света с энергией кванта чуть больше ширины запрещённой зоны значительно слабее, только благодаря непрямым переходам, интенсивность которых зависит от присутствия фононов, и следовательно, от температуры . Граничная частота прямых переходов кремния больше 3 эВ, то есть лежит в ультрафиолетовой области спектра.

При переходе электрона из валентной зоны в зону проводимости в полупроводнике возникают свободные носители заряда , а следовательно фотопроводимость .

При частотах ниже края фундаментального поглощения также возможно поглощение света, которое связано с возбуждением экситонов , электронными переходами между уровнями примесей и разрешенными зонами, а также с поглощением света на колебаниях решётки и свободных носителях. Экситонные зоны расположены в полупроводнике несколько ниже дна зоны проводимости благодаря энергии связи экситона. Экситонные спектры поглощения имеют водородоподобную структуру энергетических уровней. Аналогичным образом примеси, акцепторы или доноры , создают акцепторные или донорные уровни, лежащие в запрещённой зоне. Они значительно модифицируют спектр поглощения легированного полупроводника. Если при непрямозонном переходе одновременно с квантом света поглощается фонон, то энергия поглощенного светового кванта может быть меньше на величину энергии фонона, что приводит к поглощению на частотах несколько ниже по энергии от фундаментального края поглощения.

Список полупроводников

Полупроводниковые соединения делят на несколько типов:

• простые полупроводниковые материалы — собственно химические элементы: бор B, углерод C, германий Ge, кремний Si, селен Se, сера S, сурьма Sb, теллур Te и йод I. Самостоятельное применение широко нашли германий, кремний и селен. Остальные чаще всего применяются в качестве легирующих добавок или в качестве компонентов сложных полупроводниковых материалов;
• в группу сложных полупроводниковых материалов входят химические соединения из двух, трёх и более химических элементов. Полупроводниковые материалы из двух элементов называют бинарными , и так же, как это принято в химии, имеют наименование того компонента, металлические свойства которого выражены слабее. Так, бинарные соединения, содержащие мышьяк, называют арсенидами , серу — сульфидами , теллур — теллуридами , углерод — карбидами . Сложные полупроводниковые материалы объединяют по номеру группы Периодической системы элементов Д. И. Менделеева , к которой принадлежат компоненты соединения, и обозначают буквами латинского алфавита (A — первый элемент, B — второй и т. д.). Например, бинарное соединение фосфид индия InP имеет обозначение A ^III B ^V

Широкое применение получили следующие соединения:

A ^III B ^V

• InSb, InAs, InP, GaSb, GaP, AlSb, GaN, InN

A ^II B ^V

• CdSb, ZnSb

A ^II B ^VI

• ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdTe, HgSe, HgTe, HgS

A ^IV B ^VI

• PbS, PbSe, PbTe, SnTe, SnS, SnSe, GeS, GeSe

а также некоторые окислы свинца, олова, германия, кремния. Помимо окислов используются феррит, аморфные стёкла и многие другие соединения.(A ^I B ^III C ₂ ^VI , A ^I B ^V C ₂ ^VI , A ^II B ^IV C ₂ ^V , A ^II B ₂ ^II C ₄ ^VI , A ^II B ^IV C ₃ ^VI ).

На основе большинства из приведённых бинарных соединений возможно получение их твёрдых растворов: (CdTe) _x (HgTe) _1-x , (HgTe) _x (HgSe) _1-x , (PbTe) _x (SnTe) _1-x , (PbSe) _x (SnSe) _1-x и других.

Соединения A ^III B ^V , в основном, применяются для изделий электронной техники, работающих на сверхвысоких частотах .

Соединения A ^II B ^V используют в качестве люминофоров видимой области, светодиодов , датчиков Холла , модуляторов.

Соединения A ^III B ^V , A ^II B ^VI и A ^IV B ^VI применяют при изготовлении источников и приёмников света, индикаторов и модуляторов излучений.

Окисные полупроводниковые соединения применяют для изготовления фотоэлементов , выпрямителей и сердечников высокочастотных индуктивностей.

Физические свойства соединений типа A ^III B ^V

Параметры	AlSb	GaSb	InSb	AlAs	GaAs	InAs
Температура плавления, К	1333	998	798	1873	1553	1218
Постоянная решётки, Å	6,14	6,09	6,47	5,66	5,69	6,06
Ширина запрещённой зоны Δ E , эВ	0,52	0,7	0,18	2,2	1,41	0,35
Диэлектрическая проницаемость ε	8,4	14,0	15,9	—	—	—
Подвижность, см²/(В·с):
электронов	50	5000	60 000	—	4000	34000
дырок	150	1000	4000	—	400	460
Показатель преломления света, n	3,0	3,7	4,1	—	3,2	3,2
Линейный коэффициент теплового расширения, K -1	—	6,9·10 -6	5,5·10 -6	5,7·10 -6	5,3·10 -6	—

Группа IV

• собственные полупроводники
  • Кремний — Si
  • Германий — Ge
  • Серое олово — α-Sn
• составной полупроводник
  • Карбид кремния — SiC
  • — SiGe

Группа III- V

• 2-компонентные полупроводники
  • — AlSb
  • Арсенид алюминия — AlAs
  • Нитрид алюминия — AlN
  • Фосфид алюминия — AlP
  • Нитрид бора — BN
  • Фосфид бора — BP
  • — BAs
  • Антимонид галлия — GaSb
  • Арсенид галлия — GaAs
  • Нитрид галлия — GaN
  • Фосфид галлия — GaP
  • Антимонид индия — InSb
  • Арсенид индия — InAs
  • Нитрид индия — InN
  • Фосфид индия — InP
• 3-компонентные полупроводники
  • Al _x Ga _1-x As
  • InGaAs , In _x Ga _1-x As
• 4-компонентные полупроводники
  • , , ,
• 5-компонентные полупроводники

Группа II- VI

• 2-компонентные полупроводники
  • Селенид кадмия — CdSe
  • Сульфид кадмия — CdS
  • Теллурид кадмия — CdTe
  • Теллурид платины — PtTe
  • Оксид цинка — ZnO
  • Селенид цинка — ZnSe
  • Сульфид цинка — ZnS
  • Теллурид цинка — ZnTe
  • Теллурид свинца — PbTe
• 3-компонентные полупроводники
  • ,

Группа I- VII

• 2-компонентные полупроводники
  • Хлорид меди, CuCl

Группа IV- VI

• 2-компонентные полупроводники
  • ,
  • Сульфид свинца , PbS
  • Теллурид свинца , PbTe
  • Сульфид олова , SnS
  • Теллурид олова ,
• 3-компонентные полупроводники
  • Tl ₂ SnTe ₅
  • Tl ₂ GeTe ₅

Группа V- VI

• 2-компонентные полупроводники
  • Теллурид висмута , Bi ₂ Te ₃

Группа II—V

• 2-компонентные полупроводники
  • , Cd ₃ P ₂
  • , Cd ₃ As ₂
  • Антимонид кадмия , Cd ₃ Sb ₂
  • Фосфид цинка , Zn ₃ P ₂
  • , Zn ₃ As ₂
  • Антимонид цинка , Zn ₃ Sb ₂

Другие

• • Силицид платины ,
  • Иодид висмута(III) , BiI ₃
  • Иодид ртути(II) , HgI ₂
  • Бромид таллия(I) ,
  • , CuI ₂
  • Дисульфид молибдена , MoS ₂
  • Селенид галлия ,
  • Сульфид олова(II) , SnS
  • Сульфид висмута , Bi ₂ S ₃
• Разные оксиды
  • Диоксид титана , TiO ₂
  • Оксид меди(I) , Cu ₂ O
  • Оксид меди(II) , CuO
  • Диоксид урана , UO ₂
  • Триоксид урана , UO ₃

Органические полупроводники

• Тетрацен
• Пентацен
• Индол

Магнитные полупроводники

• Ферромагнетики
  • Оксид европия ,
  • ,
  • CdCr ₂ Se ₄
  • Pb _1-x Sn _x Te легированный Mn ²⁺
  • GaAs легированный Mn ²⁺
  • ZnO легированный Co ²⁺
• Антиферромагнетики
  • ,
  • ,
  • Оксид никеля , NiO

См. также

• Словарь терминов физики полупроводников
• Полупроводниковые материалы
• p-n-переход
• Полупроводник p-типа
• Полупроводник n-типа
• Полупроводниковая пластина
• Подложка
• Сверхрешётка
• Гетероструктура
• Технологический процесс в электронной промышленности
• Полупроводниковые приборы
• Интегральная схема

Примечания

Литература

• Тауц Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. — М. : Издательство иностранной литературы, 1962. — 256 с.
• Тауц Я. Оптические свойства полупроводников. — М. : Мир, 1967. — 74 с.
• Киреев П. С. Физика полупроводников. — М.: Высшая школа, 1975. — 584 с. — 30 000 экз.
• Горелик С. С. , Дашевский В. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков: Учебник для вузов. — М. : МИСИС, 2003. — 480 с. — ISBN 5-87623-018-7 .
• Киселёв В. Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. — М.: Наука, 1970. — 399 с. — 7800 экз.
• Анатычук Л. И. , Булат Л. П. Полупроводники в экстремальных температурных условиях. — СПб.: Наука, 2001. — 223 с. — 1500 экз.
• Хенней И. Б. Полупроводники. — М. : Иностранная литература, 1962. — 668 с.
• Смит Р. Полупроводники. — М. : Иностранная литература, 1962. — 467 с.
• Жилич А. Г. , Монозон Б. С. Магнито- и электропоглощение света в полупроводниках. — Л.: Изд-во ЛГУ, 1984.

Ссылки

• ^{[ уточнить ]}
• ^{[ уточнить ]}