Типы компьютерной памяти
Энергозависимая
Современные распространённые типы DRAM (в том числе DDR SDRAM ) SRAM Перспективные T-RAM Устаревшие типы Память на линиях задержки Запоминающая ЭЛТ
Энергонезависимая
ПЗУ PROM EPROM NVRAM Флеш-память 3D XPoint Первые разработки FRAM MRAM PRAM Перспективные RRAM Беговая память Nano-RAM Millipede Устаревшие типы Магнитный барабан Память на магнитных сердечниках Память на ЦМД

EEPROM ( англ. Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory ) — электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ (ЭСППЗУ), один из видов энергонезависимой памяти (таких, как PROM и EPROM ).

На сегодняшний день классическая двухтранзисторная технология EEPROM практически полностью вытеснена флеш-памятью типа NOR (на элементах ИЛИ-НЕ ). Однако название EEPROM прочно закрепилось за сегментом памяти малой ёмкости независимо от технологии.

Принцип действия

Принцип работы EEPROM основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области (кармане) полупроводниковой структуры.

Изменение заряда («запись» и «стирание») производится приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта . Для усиления эффекта туннелирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путём пропускания тока через канал полевого транзистора (явление инжекции горячих носителей ).

Чтение выполняется полевым транзистором , для которого карман выполняет функцию затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения.

Основная особенность классической ячейки EEPROM — наличие второго транзистора, который помогает управлять режимами записи и стирания. Некоторые реализации выполнялись в виде одного трёхзатворного полевого транзистора (один затвор плавающий и два обычных).

Эта конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек. Соединение выполняется в виде двумерной матрицы, в которой на пересечении столбцов и строк находится одна ячейка. Поскольку ячейка EEPROM имеет третий затвор, то, помимо подложки, к каждой ячейке подходят 3 проводника (один проводник столбцов и 2 проводника строк).

Список производителей EEPROM

• Mitsubishi Electric
• Atmel
• Hitachi
• Infineon
• Microchip Technology
• NXP Semiconductors
• Renesas Technology
• Samsung Electronics
• STMicroelectronics
• Интеграл
• Микрон

Примечания

Литература

• Угрюмов Е. П. Цифровая схемотехника : учеб. пособие для вузов. — 3-е изд., перераб. и доп. — СПб. : БХВ-Петербург, 2010. — С. 301—305. — ISBN 978-5-9775-0162-0 .