Молодов, Анатолий Васильевич
- 1 year ago
- 0
- 0
Анато́лий Васи́льевич Ржа́нов ( 9 апреля 1920 , Иваново-Вознесенск , Иваново-Вознесенская губерния , РСФСР — 25 июля 2000 , Новосибирск , Россия ) — советский и российский учёный, специалист в области полупроводниковой микроэлектроники и физики поверхности полупроводников. Академик АН СССР и РАН.
С началом Великой Отечественной войны в декабре 1941 года студентом выпускного курса ушёл добровольцем в части морской пехоты , служил на « морском охотнике » на Балтийском флоте .
Получив краткосрочный отпуск для сдачи экзаменов и защиты диплома , окончил Ленинградский политехнический институт (1941, с отличием).
Воевал на Ленинградском фронте , на « Ораниенбаумском пятачке ». Командовал отрядом разведчиков морской пехоты, участвовал в боевых операциях, разведке боем , совершал рейды в тыл врага. Младший лейтенант. Адъютант комбрига. В 1943 году в боях по прорыву блокады Ленинграда получил тяжёлое ранение .
В конце 1943 года, демобилизованный из армии, сдал вступительные экзамены в аспирантуру Физического института им. Лебедева (ФИАН). Уже после демобилизации перенёс воспаление лёгких . Во время посещения бывших фронтовых сослуживцев вновь оказался участником боевых действий, получил контузию. Был награждён орденом Отечественной войны 2 степени. В 1944—1945 годах лечился в госпиталях от осложнений, полученных из-за ранений и контузий, ослеп на один глаз.
В 1948 году окончил аспирантуру ФИАН, участник первых в СССР работ по созданию полупроводникового транзистора . Кандидат физико-математических наук (22.06.1949) .
В 1962 году по приглашению академика М. А. Лаврентьева с группой сотрудников ФИАНа переехал в новосибирский Академгородок , где организовал Институт физики твёрдого тела и полупроводниковой электроники (ныне — Институт физики полупроводников ). Директор Института 1964—1990. Избран членом-корреспондентом АН СССР (1962). Академик АН СССР (1984). Заместитель председателя СО АН СССР (1985—1990).
Преподавал в Новосибирском государственном университете, где организовал кафедру физики полупроводников (1963), которую возглавлял долгие годы. В числе учеников Анатолия Васильевича три члена-корреспондента РАН, десятки докторов и кандидатов наук.
При переводе книги Шокли (Теория электронных полупроводников: Приложения к теории транзисторов. — М.: Издательство иностранной литературы, 1953) выдержал серьёзную борьбу с редактором издательства, который упорно изменял термин — «носитель заряда — дырка» на «носитель заряда — отверстие» .
Похоронен на Южном кладбище Новосибирска.
В 2006 году Институту физики полупроводников СО РАН присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН № 400 от 26 декабря 2006 года) .
В 2010 году в честь А. В. Ржанова названа в новосибирском Академгородке , на которой расположен главный корпус Института физики полупроводников СО РАН .