Interested Article - Теллурид свинца

Теллури́д свинца́ (PbTe) — бинарное неорганическое химическое соединение свинца и теллура , кристаллизующееся в кубической структуре типа NaCl . Узкозонный прямозонный полупроводник группы A ^IV B ^VI с шириной запрещённой зоны 0,31 эВ при 300 K . Популярный термоэлектрический материал . Встречается в природе в виде минерала алтаита .

Теллурид свинца имеет необычно высокую для полупроводников диэлектрическую проницаемость ( $\epsilon _{0}=$ $\epsilon _{0}=$ 410 при 300 K), величина которой увеличивается до 3000 при охлаждении до 7,8 K . Поэтому теллурид свинца относят к виртуальным сегнетоэлектрикам .

Большое практическое значение имеет тройное соединение , имеющее ширину запрещенной зоны, зависящую от количества олова. Оно используется при изготовлении фоторезисторов , фотодиодов , лазеров , работающих в инфракрасной области спектра.

Примечания

(рус.) // Успехи физических наук : журнал. — Российская академия наук , 1985. — Т. 145 . — С. 51—86 . 17 мая 2015 года.
Bate, RT; Carter, DL; Wrobel, J. S. Paraelectric Behavior of PbTe (англ.) // Phys. Rev. Lett. : journal. — 1970. — Vol. 25 . — P. 159—162 . — doi : .

Ссылки

G. Nimtz, B. Schlicht. "Narrow-gap lead salts". In: Narrow-gap semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics, vol. 98, p. 1-117 (1983).
Dalven, R. A review of the semiconductor properties of PbTe, PbSe, PbS and PbO, Infrared Physics, 9, 141 - 184 (1969)
H. Preier. Recent Advances in Lead-Chalcogenide Diode Lasers, Applied Physics 10, 189-206, 1979.
H. Maier and J. Hesse. "Growth, Properties and Applications of Narrow-Gap Semiconductors" in Crystal Growth, Properties and Applications, ed. H.C. Freyhardt, 145-219, Springer Verlag, Berlin, 1980.