Полупроводни́к p-ти́па — полупроводник , в котором основными носителями заряда являются дырки .

Полупроводники p-типа получают методом легирования собственных полупроводников акцепторами .

Для полупроводников четвёртой группы периодической таблицы, например, таких как кремний и германий , акцепторами могут быть примеси химических элементов группы III периодической таблицы элементов Д. И. Менделеева — бор , алюминий , индий , галлий , а донорными — группы V — фосфор , мышьяк .

Для полупроводниковых соединений типа A ^III B ^V , например, арсенида галлия донорными примесями являются элементы группы VI — селен , теллур , а акцепторными — группы II — цинк , кадмий , ртуть .

Концентрация дырок в валентной зоне определяется температурой , концентрацией акцепторов, энергией акцепторного уровня над энергией верха валентной зоны , эффективной плотностью уровней в валентной зоне.

См. также

• Легирование (полупроводники)
• p-n-переход
• Полупроводник n-типа