Дисилицид титана
— химическое соединение металла
титана
и
кремния
с формулой TiSi
2
. Содержание кремния в дисилициде титана составляет 53,98 % по массе
.
Получение
Дисилицид титана можно получить одним из следующих способов
.
-
Непосредственным насыщением титана кремнием:
-
В качестве исходных компонентов используют порошки титана и кремния. В связи с
экзотермичностью реакции
подъем температуры ведут медленно и с промежуточными выдержками при температуре 700—800 °C. При достижении температуры 1200 °C делают окончательную выдержку в течение 1—2 часов.
-
Восстановлением
оксида титана
кремнием с последующим силицированием:
-
Процесс восстановления оксида титана кремнием проводят при температуре 1400 °C и выдержке 1,5—2 часа. Процесс образования дисилицида титана идет по реакции:
-
-
При замене чистого кремния на его оксид для восстановления могут быть использованы графит и
карбид кремния
. При этом реакция имеет следующий вид:
-
-
Синтезом из растворов в металлических расплавах:
-
Для процесса образования силицида используют вспомогательную расплавленную металлическую ванну
цинка
. При этом цинк при температуре процесса 700—900 °C сравнительно хорошо растворяет исходные компоненты, в результате чего в расплаве происходит реакция образования дисилицида титана. По окончании процесса расплав охлаждают и химическим путём отделяют силицид от цинка. Этим способом могут быть получены монокристаллы TiSi
2
.
-
Осаждением из газовой фазы:
-
Суть метода заключается в восстановлении тетрахлоридов
титана
и
кремния
, находящихся в газовой фазе, водородом и осаждением их на нагретой поверхности. Процесс ведут в температуре 900−1300 °C.
-
Электролизом расплавленных сред:
-
Исходными компонентами и средой процесса является 10% раствор диоксида титана в расплавленном гексафторосиликате калия (K
2
SiF
2
), электролиз которого позволяет получить мелкодисперсные кристаллы силицида
.
Физические свойства
Дисилицид титана представляет собой порошок железно−серого цвета. Имеет две полиморфные модификации.
Низкотемпературная метастабильная модификация (C49) имеет
ромбическую
базоцентрированную решетку, пространственная группа
Cmcm
, периоды решетки
а
= 0,362 нм,
b
= 1,376 нм,
c
= 0,360 нм
. Образование метастабильной модификации имеет место при получении тонких плёнок TiSi
2
на подложке из кристалла кремния при температуре 450—600 °C. При нагреве свыше 650 °C низкотемпературная модификация переходит в высокотемпературную
.
Высокотемпературная модификация (C54) является стабильной и имеет ромбическую гранецентрированную решетку, пространственная группа
Fddd
, периоды решетки
а
= 0,8279 нм,
b
= 0,4819 нм,
c
= 0,8568 нм.
Химические свойства
Дисилицид титана является химически стойким по отношению к
азотной
,
серной
,
соляной
,
щавелевой кислотам
. Не растворяется в воде и в разбавленных растворах щелочей. Слабо взаимодействует с
царской водкой
. Дисилицид титана растворяется в
плавиковой кислоте
и в её смеси с азотной кислотой, а также в растворах
фтористого аммония
и в щелочных растворах в присутствии винного и лимонного натра и
трилона Б
.
Реагирует с
ортофосфорной кислотой
по реакции:
-
-
Окисляется кислородом при температуре свыше 700 °C. С хлором и фтором взаимодействует при высоких температурах (900 °C в случае хлора)
.
Применение
Благодаря низкому электросопротивлению и высокой термической стабильности (фаза C54) используется в виде
контактов
между полупроводниковым устройством и структурой, поддерживающей межсоединения, в производстве сверхбольших
интегральных схем
.
Примечания
-
↑
Самсонов Г. В., Виницкий И. М.
Тугоплавкие соединения (справочник). — Металлургия, 1976. — С. 560.
-
↑
Самсонов Г. В., Дворина Л. А., Рудь Б. М.
Силициды. — Металлургия, 1979. — С. 9-144. — 272 с.
-
↑
Лучинский Г. П.
Химия титана. — Химия, 1971. — С. 164-166. — 472 с.
-
Лучинский Г. П.
Химия титана. — Химия, 1971. — С. 183-185. — 472 с.
-
Yoon S., Jeon H. A study on the change in the phase transition temperature of TiSi
2
by adding the Zr element on different Si substrates // J. Korean Phys. Soc. – 1999. – Vol. 34, No. 4. – P. 365-370.
-
↑
Clevenger L. A. et al. Study of C49-TiSi
2
and C54-TiSi
2
formation on doped polycrystalline silicon using in situ resistance measurements during annealing // J. Appl. Phys. – 1994. – Vol. 76, No. 12. – P. 7874-7881.
-
(неопр.)
. Дата обращения: 9 февраля 2013. Архивировано из
20 июня 2018 года.