Отражательная электронная микроскопия (ОЭМ) — разновидность микроскопии , в которой для формирования изображения поверхности используются рассеянные высокоэнергетические электроны , падающие на поверхность под скользящими углами.

Описание

Если вокруг образца поддерживаются сверхвысоковакуумные условия, то отражательная электронная микроскопия может быть использована для изучения процессов на поверхности. Её достоинства заключаются в способности различать атомные ступени, а также области с различной реконструкцией при использовании дифракционного контраста. Упруго рассеянные электроны формируют картину дифракции на задней фокальной плоскости объективной линзы, где один или несколько дифракционных рефлексов вырезаются апертурной диафрагмой . Увеличенное изображение проецируется на экран микроскопа .

Одна из особенностей отражательного электронного микроскопа — различие увеличений в различных направлениях вдоль плоскости объекта — связана с наклонным положением объекта по отношению к оптической оси микроскопа. Вследствие этого, увеличение такого микроскопа характеризуют обычно двумя величинами: увеличением в плоскости падения пучка электронов и увеличением в плоскости, перпендикулярной плоскости падения.

В результате перспективного типа изображения, только его центральная часть находится в фокусе, в то время как верхняя и нижняя части перефокусированы и недофокусированы, соответственно. Другое следствие изображения в перспективе — это более слабое разрешение вдоль направления пучка. Практически, на электронных микроскопах такого типа достигнуто разрешение порядка 100 Å.

См. также

• Электронный микроскоп

Литература

• Handbook of microscopy for nanotechnology / Ed. by Nan Yao, Zhong LinWang. — Kluwer Academic Publishers, 2005. — 731 p.
• Оура К., Лифшиц В. Г., Саранин А. А. и др. Введение в физику поверхности / Под ред. В. И. Сергиенко. — М.: Наука, 2006. — 490 с.

Ссылки