Interested Article - Арсенид алюминия-галлия
![](/images/005/340/5340526/1.jpg?rand=879056)
![](https://cdn.wafarin.com/avatars/d8ea363365c125fbeae837cec35df042.jpg)
- 2020-09-07
- 1
Арсенид алюминия-галлия (иные названия: алюминия галлия арсенид , алюминия-галлия арсенид ) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными алюминием и галлием, переменного состава, состав выражается химической формулой Al x Ga 1-x As ). Здесь параметр x принимает значения от 0 до 1 и показывает относительное количество атомов алюминия и галлия в соединении. При x=0 формула отвечает арсениду галлия (GaAs) , при x=1 — арсениду алюминия (AlAs) . Является широкозонным полупроводником, причём ширина запрещенной зоны при 300 К плавно изменяется в зависимости от х от 1,42 эВ у GaAs до 2,16 эВ у AlAs. В диапазоне х от 0 до 0,4 является прямозонным полупроводником. Постоянная решётки этого соединения практически не зависит от параметра х, и, соответственно, совпадает с таковой у GaAs.
В литературе параметр х, где не возникнет двусмысленности, обычно опускается, и формула AlGaAs подразумевает именно это соединение указанного переменного состава.
Кристаллическая структура
Сингония кристалла — кубическая, типа цинковой обманки ( сфалерита ) с постоянной решётки около 0,565 нм и слабо зависит от параметра х.
Получение
Тонкие плёнки соединения обычно выращивают на подложках методом газофазной эпитаксии из разреженной смеси газов, например, триметилгаллия , триметилалюминия и арсина , причём параметр х при таком процессе можно регулировать, изменяя концентрации триметилгаллия и триметилалюминия в газе (для упрощения коэффициентов показаны получения соединений с равными количествами атомов Al и Ga):
- Ga(CH 3 ) 3 + Al(CH 3 ) 3 + 2 AsH 3 → AlGaAs 2 + 6 CH 4 .
Также AlGaAs получают методом молекулярно-пучковой эпитаксии :
- 2 Ga + 2 Al + As 4 → 2 AlGaAs 2 .
Применение
AlGaAs применяют в промежуточных слоях полупроводниковых гетероструктур для вытеснения электронов в слой чистого арсенида галлия. Пример подобных полупроводниковых приборов — фотодатчики , использующие эффект квантовой ямы .
На основе AlGaAs строятся инфракрасные (пик излучения на 880 нм) и красный (пик излучения 660 нм) светодиоды . Светодиоды инфракрасного излучения с пиком 880 нм применяются для создания инфракрасных каналов связи , в том числе в интерфейсе IrDA и пультах дистанционного управления .
Также AlGaAs может быть использован для создания полупроводниковых лазеров ближнего ИК -диапазона с длиной волны излучения 1,064 мкм.
Токсичность и вредность
С этой точки зрения AlGaAs недостаточно изучен. Известно, что пыль соединения вызывает раздражение кожи, глаз и лёгких. Аспекты охраны труда и производственной гигиены в процессе газовой эпитаксии, при которой используются такие соединения, как триметилгаллий и арсин, изложены в обзоре .
См. также
Примечания
- Shenai-Khatkhate, D. V.; Goyette, R. J.; DiCarlo, R. L. Jr.; Dripps, G. Environment, Health and Safety Issues for Sources Used in MOVPE Growth of Compound Semiconductors (англ.) // Journal of Crystal Growth : journal. — 2004. — Vol. 272 , no. 1—4 . — P. 816—821 . — doi : .
Литература
- Sadao Adachi: Properties of aluminium gallium arsenide . IET, 1993, ISBN 0852965583 ( )
Ссылки
- . Ioffe Database . Sankt-Peterburg: FTI im. A. F. Ioffe, RAN. 30 октября 2012 года.
![](https://cdn.wafarin.com/avatars/d8ea363365c125fbeae837cec35df042.jpg)
- 2020-09-07
- 1