Interested Article - Фосфид галлия

Фосфи́д га́ллия (химическая формула GaP) — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и фосфора . При нормальных условиях оранжево-жёлтые кристаллы .

Непрямозонный полупроводник из класса A ^III B ^V с шириной запрещённой зоны 2,27 эВ (при 300 ).

Используется для изготовления светодиодов зелёного, жёлтого и красного цветов излучения.

Физические свойства

Общие

При нормальных условиях жёлтые, немного оранжевые кристаллы или мелкокристаллический жёлтый порошок. Крупные нелегированные монокристаллы светло-оранжевые, после легировании приобретают более тёмный цвет.

Кристаллизуется в кубической структуре типа цинковой обманки . пространственная группа T ² _d - F -4 3m , постоянная решётки 0,5451 нм .

Температура плавления 1447 °C. При атмосферном давлении разлагается на элементы, не достигнув температуры кипения, при этом элементарный фосфор улетучивается в виде паров. Плотность 4,138 г/см ₃ .

Не растворим в воде.

Полупроводниковые и оптические свойства

Является непрямозонным полупроводником с шириной запрещённой зоны 2,27 эВ при 300 K . Подвижность электронов 250 см ² /(В·с), подвижность дырок 75 см ² /(В·с) при 300 K.

При легировании монокристаллов серой или теллуром приобретает электронный тип проводимости , легирование цинком придаёт дырочный тип проводимости.

Показатель преломления 4,3; 3,45; 3,18 для длин волн 262 нм ( ультрафиолетовое излучение ), 550nbsp;нм (зелёный свет) и 840 нм (ближний инфракрасный диапазон ) соответственно, и выше, чем в большинстве оптических материалов, например, показатель преломления алмаза 2,4 .

Получение

Получают длительным нагреванием стехиометрических количеств галлия и фосфора в инертной атмосфере при повышенном давлении.

Крупные монокристаллы выращивают из расплава оксида бора при повышенном давлении (10—100 атм для исключения разложения на элементы при высокой температуре) в инертной атмосфере, обычно — в аргоне . Этот метод выращивания монокристаллов иногда называют жидкофазным методом Чохральского — представляющим собой развитие традиционного метода Чохральского, применяемого для выращивания крупных монокристаллов, например, кремния .

Применение

Начиная с 1960-х годов используется для изготовления недорогих светодиодов. Недостаток этого материала — относительно быстрая деградация светового выхода при высоких плотностях протекающего тока и чувствительность к повышению температуры. Иногда используется в гетероструктурах совместно с .

Фосфид галлия также применяется в качестве оптического материала в оптических приборах.

Светодиоды, изготовленные из чистого фосфида галлия, излучают зелёный свет с максимумом на длине волны 555 нм, при легировании азотом максимум спектра излучения сдвигается в жёлтую часть видимого спектра (560 нм), легирование цинком ещё более сдвигает излучение в длинноволновую часть спектра (700 нм).

Так как фосфид галлия хорошо прозрачен для жёлтого света, светодиодные структуры из фосфида галлия на арсениде-фосфиде галлия более эффективны, чем структуры из фосфида галлия на арсениде галлия .