И́горь Все́володович Гре́хов (род. 10 сентября 1934 , Смоленск ) — советский и российский учёный- физик , специалист в области мощной полупроводниковой электроники и импульсной техники. В течение нескольких десятилетий заведовал лабораторией в ФТИ им. Иоффе РАН в Санкт-Петербурге.

Один из создателей новой отрасли промышленности в СССР — силового полупроводникового приборостроения. Лауреат Ленинской (1966) и двух Государственных (СССР—1987, РФ —2002) премий. Академик Российской академии наук (РАН) с 2008 года.

Биография

И. В. Грехов родился в 1934 году в семье школьных учителей. Среднюю школу окончил в Симферополе с золотой медалью .

В 1958 году окончил МВТУ им. Баумана в Москве и был распределён на завод «Электровыпрямитель» в Саранск ( Мордовская АССР ). Там в 1958—1962 годах работал инженером и начальником лаборатории.

В 1962 году переехал в Ленинград . Вся дальнейшая научная биография И. В. Грехова связана с Физико-техническим институтом (ФТИ АН СССР , с 1992 г. ФТИ РАН ), где он последовательно занимал должности младшего и старшего научного сотрудника , заведующего сектором, лабораторией мощных полупроводниковых приборов, отделом, отделением . Ныне — главный научный сотрудник.

Кандидатскую диссертацию защитил в 1967 году под руководством академика В. М. Тучкевича , докторскую — в 1975, обе в ФТИ. В 1991 году избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 2008 году стал академиком РАН по Отделению энергетики, машиностроения, механики и процессов управления (ОЭММПУ), секция энергетики .

В 1980—1990-е годы читал курс лекций «Основы физики полупроводниковых приборов» студентам Ленинградского политехнического института . Подготовил более 30 кандидатов наук, 10 его учеников впоследствии стали докторами наук. Профессор .

Входил в состав редколлегии журнала « ». , член научного совета РАН по комплексной проблеме «Электрофизика, электроэнергетика и электротехника», был участником научно-координационного совета Федеральной целевой программы по развитию НПК России на 2008—2013 гг. .

Женат (супруга работала в Русском музее ), имеет сына.

В течение почти сорока лет (1962—2000) серьёзно занимался альпинизмом . Кандидат в мастера спорта (1976). Совершил свыше 150 восхождений, в том числе пятой категории сложности (см.) — 23, первовосхождений — 3, на «семитысячники» — 2. Работал инструктором и участвовал в спасательных работах в горах .

Научная деятельность

Основные области профессиональных интересов И. В. Грехова — физика полупроводниковых приборов , силовая полупроводниковая электроника, импульсная техника .

В 1960—1975 гг. он был одним из ведущих членов руководимого В. М. Тучкевичем коллектива, создавшего в СССР новую отрасль индустрии — , что позволило радикально снизить энергозатраты во всех энергоёмких сферах.

Последующие выполненные им исследования физических процессов в электронно-дырочной плазме в полупроводниках дали возможность на порядки поднять предельную импульсную мощность приборов. Новые приборы, способные функционировать в диапазоне длительностей от сотен микросекунд до десятков пикосекунд, нашли применение в системах питания мощных лазеров и ускорителей , генераторов направленных импульсов электромагнитного излучения и многих импульсных промышленных технологиях.

Важнейшие мощные импульсные приборы, разработанные под руководством И. В. Грехова:

• Реверсивно-включаемые динисторы (РВД);
• Дрейфовые диоды с резким восстановлением (ДДРВ);
• Субнаносекундные обострители мощных импульсов;
• Интегральные тиристоры с полевым управлением.

Большинство приборов изготавливается на базе кремния , однако ведутся также исследования и разработки приборов на основе карбида кремния и других полупроводниковых материалов .

Учреждённое с участием И. В. Грехова инновационное производит генераторы с использованием созданных приборов для российских и зарубежных потребителей.

Среди других работ, проводившихся в разное время в лаборатории, возглавляемой И. В. Греховым, — изучение высокотемпературной сверхпроводимости , сегнетоэлектрической (PZT) памяти, структур металл-диэлектрик-полупроводник с туннельно -тонким диэлектриком, оптоэлектронных систем с пористым кремнием .

Публикации

И. В. Грехов — соавтор четырёх книг, свыше 600 научных статей и 200 изобретений. Имеет более 2400 цитирований своих научных работ, индекс Хирша — 24 (данные РИНЦ на конец 2020 г.) .

Публиковался в журналах Solid-State Electronics, IEEE Transactions и on Plasma Science, Journal of Applied Physics , УФН и других. В 1975 году на крупном научном форуме в Вашингтоне представил обзор достижений силовой электроники в СССР того времени. Впоследствии многократно выступал с приглашёнными докладами по сильноточным твердотельным приборам.

Некоторые книги и статьи:

• Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. // Лавинный пробой pn-перехода в полупроводниках // Л.: Энергия (1980).
• Грехов И. В., Линийчук И. А. // Тиристоры , выключаемые током управления // Л.: Энергоиздат (1982).
• Тучкевич В. М., Грехов И. В. // Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами. Л.: Наука, 1988.
• Грехов И. В., Месяц Г. А. // Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов // УФН, т. 175, с. 735—744 (2005) — см. .
• Grekhov I.V. // Pulse power generation in nano- and subnano- second range by means of ionizing fronts in semiconductors: the state of the art and future prospects // IEEE Transactions on Plasma Science, 38:5, pp. 1118—1123 (2010) — см. .

Награды и звания

Научная деятельность И. В. Грехова была отмечена премиями и наградами СССР и России :

• Ленинская премия (1966)
• Государственная премия СССР (1987, руководитель работы)
• Государственная премия РФ (2002)
• Премия Правительства РФ (2006, руководитель работы)
• Премия Правительства Санкт-Петербурга (2010)
• Заслуженный изобретатель РСФСР (1975 г.)
• Орден Дружбы народов (1981)
• Орден Почёта (1999)
• Орден Дружбы (2010)

В 2017 году вошёл в шорт-лист (топ-10) премии Глобальная энергия (данную премию, дипломы и ряд других наград присуждает одноимённая ассоциация англ. Global Energy Association, GEA) . В 2021 году получил почётный диплом GEA «за выдающийся вклад в развитие электроэнергетики» .

Примечания

Ссылки

• на официальном сайте РАН