Interested Article - DDR5 SDRAM

belle
  • 2021-02-01
  • 1

DDR5 SDRAM ( англ. double-data-rate five synchronous dynamic random access memory ) — пятое поколение оперативной памяти , являющееся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR SDRAM . Планируется, что DDR5 предоставит меньшее энергопотребление, а также удвоенную пропускную способность и объём по сравнению с DDR4 SDRAM .

История

Корпорация Intel в выступлении 2016 года предполагала, что JEDEC может выпустить спецификацию DDR5 SDRAM в 2016 году с коммерческой доступностью памяти к 2020 году .

В марте 2017 JEDEC сообщила о планах выпустить спецификацию DDR5 в 2018 году ; на форуме JEDEC Server в 2017 сообщалось о дате предварительного доступа к описанию DDR5 SDRAM с 19 июня 2017 , а 31 октября начался двухдневный «DDR5 SDRAM Workshop». .

По сравнению с DDR4 ожидается увеличение пропускной способности (на базовых частотах) на четверть, снижение напряжения питания микросхем до 1,1 вольта (с переносом контроллера питания на плату ), появление режима 16n- prefetch в дополнение к 8n.

Количество контактов на каждый канал памяти сохранится в количестве 280 единиц .

Ожидается возможность масштабирования за уровень в 16 гигабитов на кристалл (до 64 Гбитов ) и реализация двух 40-битных каналов (32 бита данных и 8 битов ECC ) в рамках каждого модуля DIMM (вместо используемых ранее 72 бит=64+8, где 64 бита — ширина шины данных, а 8 — биты исправления ошибок ECC).

Компания Rambus анонсировала прототип памяти DDR5 RAM в сентябре 2017 года, с доступностью не ранее 3 квартала 2018 года. .

Micron изготовила первые прототипы памяти в 2017 году, они были проверены при помощи контроллера Cadence ( TSMC , 7 нм) .

Начало выхода первых изделий на рынок ожидалось до конца 2019 года, с занятием четверти рынка памяти примерно в 2020 году .

Согласно исследованию IDC, предполагалось, что спрос на DDR5 начнёт расти в 2020, а в 2021 достигнет четверти рынка .

Также прогнозировался, в 2020 году, выход родственного стандарта LPDDR 5 для ноутбуков и мобильных устройств .

Первую в мире оперативную память нового поколения представила SK Hynix 6 октября 2020 года. Эта память обеспечивает скорость передачи данных в 4800-5600 Мбит/с на контакт (что в 1,8 раза превышает базовые показатели DDR4), напряжение питания уменьшено с 1,2 до 1,1 В, что повышает энергетическую эффективность; добавлена поддержка исправления ошибок ECC .

Ёмкость модулей памяти DDR5 от SK Hynix может достигать 256 ГБ при использовании технологии производства Through-Silicon-Via (TSV).

Примечания

  1. Manion, Wayne (2017-03-31). . Tech Report. из оригинала 31 марта 2017 . Дата обращения: 1 апреля 2017 .
  2. (нем.) . Golem.de. Дата обращения: 23 августа 2018. 20 декабря 2018 года.
  3. Cunningham, Andrew (2017-03-31). . Ars Technica. из оригинала 16 января 2018 . Дата обращения: 15 января 2018 .
  4. (16 марта 2017). Дата обращения: 23 июля 2018. Архивировано 16 марта 2017 года.
  5. . www.jedec.org . Дата обращения: 23 августа 2018. 16 июня 2018 года.
  6. (16 марта 2017). Дата обращения: 23 июля 2018. Архивировано 16 марта 2017 года.
  7. ↑ от 13 мая 2019 на Wayback Machine // Rambus
  8. // Tom’s Hardware
  9. от 13 мая 2019 на Wayback Machine // Synopsys
  10. Lilly, Paul (2017-09-22). . PC Gamer. из оригинала 16 января 2018 . Дата обращения: 15 января 2018 .
  11. от 10 апреля 2019 на Wayback Machine / ixbt, 25 сентября 2017
  12. от 23 августа 2018 на Wayback Machine / IXBT.com , 5 мая 2018
  13. ↑ от 13 мая 2019 на Wayback Machine // NotebookCheck.net
  14. user. (англ.) . SK hynix Newsroom. Дата обращения: 2 января 2020. 18 ноября 2019 года.
  15. от 6 октября 2020 на Wayback Machine // 3DNews , 6.10.2020

Ссылки

  • / JEDEC (англ.)
  • // 3Dnews , 6.04.2017
  • // digitaltrends.com, March 1, 2019
  • на anandtech.com
Источник —

belle
  • 2021-02-01
  • 1
  • Tags:

Same as DDR5 SDRAM

The title for the last searches