Interested Article - SIMM
- 2020-12-12
- 1
SIMM ( англ. s ingle i n-line m emory m odule — односторонний модуль памяти ) — форм-фактор модулей памяти с однорядным расположением контактов, широко применявшихся в компьютерных системах в 1990-е годы . Стандарты SIMM описаны в сборнике JESD-21C комитета JEDEC . Имели несколько модификаций.
История
В большинстве ранних материнских плат IBM-PC-совместимых компьютеров использовались чипы DRAM , упакованные в DIP -корпуса и установленные в сокеты . Однако в системах с процессорами 80286 использовалось большее количество памяти, и для экономии места на материнской плате и упрощения процесса модернизации отдельные чипы стали объединять в модули. В некоторых системах использовались SIPP -модули, но их оказалось слишком легко сломать при установке.
Модули SIMM были разработаны и запатентованы в 1983 году компанией Wang Laboratories . Первоначально модули были керамическими и имели штырьки.
Ранние SIMM устанавливались в слоты , не имеющие механизмов фиксации, однако достаточно быстро стали применяться ZIF -слоты с защёлками:
- Первыми появились 30-контактные модули, имеющие объём от 64 Кбайт до 16 Мбайт и восьмиразрядную шину данных, дополняемую (иногда) девятой линией контроля чётности памяти. Применялись в компьютерах с ЦП Intel 8088 , 286 , 386 . На материнских платах с процессорами 8088, модули ставились по одному, в случае процессоров 286, 386SX модули ставились парами, на 386DX — по четыре модуля одинаковой ёмкости.
- С распространением в массовых компьютерах процессоров Intel 80486 и аналогичных, для которых 30-контактные модули надо было ставить, как минимум, по четыре, 30-контактные SIMM были вытеснены 72-контактными модулями SIMM. 72-контактными модули состояли, по существу, из четырёх 30-контактных модулей с общими линиями адреса и раздельными линиями данных, были 32-разрядными, имели объём от 1 Мбайт до 64 Мбайт . В эпоху процессоров 486 72-контактные модули стали применяться на брендовых PC ( Compaq , HP , Acer и других), а с переходом на процессоры Pentium — на материнских платах практически всех производителей.
Так как на материнские платы для процессоров Pentium с 64-разрядной шиной данных 72-контактные модули требовалось ставить парами, постепенно модули физически попарно «объединили»: стали размещать микросхемы на обеих сторонах печатной платы модуля памяти . В результате появились первые модули DIMM .
Существовали также 64-контактные модули (применявшиеся, например, в компьютерах ) и 68-контактные модули (например, VRAM в ).
FPM и EDO
Из-за низкого быстродействия динамической памяти SIMM-модулей с распространением в массовых компьютерах процессоров Pentium спецификация модулей претерпела изменения. В результате появились модули, названные EDO (от англ. extended data out ). Модули EDO обладали немного большим быстродействием , чем старые модули, названные FPM (от англ. fast page mode ), и были несовместимы со старыми модулями.
Материнские платы для процессоров Pentium, как правило, поддерживали и FPM, и EDO. Большинство материнских плат для процессора 486 поддерживали только FPM (старый тип модулей памяти). Отличить модули FPM от модулей EDO по внешнему виду было практически невозможно (внешнее отличие было только в маркировке микросхем), и на практике чаще использовался метод «научного тыка» . Установка модуля памяти «неправильного» типа не приводила к неисправностям — BIOS просто не распознавал модули неподдерживаемого типа.
30-контактные модули
- Разрядность шины данных: 8 бит у модулей без контроля чётности, 9 бит у модулей с контролем чётности.
- Тип применяемых микросхем динамической памяти: FPM .
- Стандартные значения объёма памяти модулей: 64 Кб , 256 Кб , 1 Мб , 4 Мб , 16 Мб .
- Физические размеры модуля: 89 мм на 13 мм , 89 мм на 25 мм .
- Шаг расположения контактных площадок: 0,1".
- Модули типа SIPP имеют аналогичное назначение контактов и отличаются только конструктивно: вместо контактных площадок используются контактные штырьки.
№ | Название | Описание |
---|---|---|
1 | Vcc | Напряжение питания +5 В |
2 | CAS# | Строб адреса столбца |
3 | DQ0 | Линия данных 0 |
4 | A0 | Адресная линия 0 |
5 | A1 | Адресная линия 1 |
6 | DQ1 | Линия данных 1 |
7 | A2 | Адресная линия 2 |
8 | A3 | Адресная линия 3 |
9 | GND | Общий |
10 | DQ2 | Линия данных 2 |
11 | A4 | Адресная линия 4 |
12 | A5 | Адресная линия 5 |
13 | DQ3 | Линия данных 3 |
14 | A6 | Адресная линия 6 |
15 | A7 | Адресная линия 7 |
16 | DQ4 | Линия данных 4 |
17 | A8 | Адресная линия 8 |
18 | A9 | Адресная линия 9 |
19 | A10 | Адресная линия 10 |
20 | DQ5 | Линия данных 5 |
21 | WE# | Запись данных |
22 | GND | Общий |
23 | DQ6 | Линия данных 6 |
24 | A11 | Адресная линия 11 |
25 | DQ7 | Линия данных 7 |
26 | QP | Линия данных 9 (контроль чётности, выход) |
27 | RAS# | Строб адреса строки |
28 | CASP# | Строб адреса столбца чётности |
29 | DP | Линия данных 9 (контроль чётности, вход) |
30 | Vcc | Напряжение питания +5 В |
Примечания:
- уровни сигналов на линиях — стандартные ТТЛ ;
- линии QP и DP подключены только на модулях, использующих контроль чётности;
- линия A8 не подключена на 64 Кб модулях;
- линия A9 не подключена на 64 Кб , 256 Кб модулях;
- линия A10 не подключена на 64 Кб , 256 Кб и 1 Мб модулях;
- линия A11 не подключена на 64 Кб , 256 Кб , 1 Мб и 4 Мб модулях.
30-контактные модули использовались в звуковых картах Sound Blaster AWE32 и Sound Blaster 32компании Creative Labs для расширяемого ОЗУ чипа EMU8011, максимальный объём памяти — 32 Мбайта (фактически доступно 28 Мбайт).
72-контактные модули
- Разрядность шины данных: 32 бита у модулей без контроля чётности, 36 бит у модулей с контролем чётности.
- Типы применяемых микросхем динамической памяти: FPM , EDO .
- Стандартные значения объёма памяти модулей: 1 Мб , 2 Мб , 4 Мб , 8 Мб , 16 Мб , 32 Мб , 64 Мб .
- Физические размеры модуля: в большинстве случаев 108 мм на 25 мм , иногда 108 мм на 39 мм .
- Шаг расположения контактных площадок: 0,05"; между выводами с номерами 36 и 37 увеличенное расстояние и вырез (ключ).
№ | ECC без контроля чётности | ECC с контролем чётности | Назначение | Без контроля чётности | С контролем чётности | Назначение |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | V SS | V SS | Общий | V SS | V SS | Общий |
2 | DQ0 | DQ0 | Линия данных 0 | DQ0 | DQ0 | Линия данных 0 |
3 | DQ1 | DQ1 | Линия данных 1 | DQ16 | DQ16 | Линия данных 16 |
4 | DQ2 | DQ2 | Линия данных 2 | DQ1 | DQ1 | Линия данных 1 |
5 | DQ3 | DQ3 | Линия данных 3 | DQ17 | DQ17 | Линия данных 17 |
6 | DQ4 | DQ4 | Линия данных 4 | DQ2 | DQ2 | Линия данных 2 |
7 | DQ5 | DQ5 | Линия данных 5 | DQ18 | DQ18 | Линия данных 18 |
8 | DQ6 | DQ6 | Линия данных 6 | DQ3 | DQ3 | Линия данных 3 |
9 | DQ7 | DQ7 | Линия данных 7 | DQ19 | DQ19 | Линия данных 19 |
10 | V CC | V CC | Напряжение питания +5 В | V CC | V CC | Напряжение питания +5 В |
11 | PD5 | PD5 | Линия конфигурации 5 | - | - | Не подключен |
12 | A0 | A0 | Адресная линия 0 | A0 | A0 | Адресная линия 0 |
13 | A1 | A1 | Адресная линия 1 | A1 | A1 | Адресная линия 1 |
14 | A2 | A2 | Адресная линия 2 | A2 | A2 | Адресная линия 2 |
15 | A3 | A3 | Адресная линия 3 | A3 | A3 | Адресная линия 3 |
16 | A4 | A4 | Адресная линия 4 | A4 | A4 | Адресная линия 4 |
17 | A5 | A5 | Адресная линия 5 | A5 | A5 | Адресная линия 5 |
18 | A6 | A6 | Адресная линия 6 | A6 | A6 | Адресная линия 6 |
19 | - | - | Не подключен | A10 | A10 | Адресная линия 10 |
20 | DQ8 | DQ8 | Линия данных 8 | DQ4 | DQ4 | Линия данных 4 |
21 | DQ9 | DQ9 | Линия данных 9 | DQ20 | DQ20 | Линия данных 20 |
22 | DQ10 | DQ10 | Линия данных 10 | DQ5 | DQ5 | Линия данных 5 |
23 | DQ11 | DQ11 | Линия данных 11 | DQ21 | DQ21 | Линия данных 21 |
24 | DQ12 | DQ12 | Линия данных 12 | DQ6 | DQ6 | Линия данных 6 |
25 | DQ13 | DQ13 | Линия данных 13 | DQ22 | DQ22 | Линия данных 22 |
26 | DQ14 | DQ14 | Линия данных 14 | DQ7 | DQ7 | Линия данных 7 |
27 | DQ15 | DQ15 | Линия данных 15 | DQ23 | DQ23 | Линия данных 23 |
28 | A7 | A7 | Адресная линия 7 | A7 | A7 | Адресная линия 7 |
29 | DQ16 | DQ16 | Линия данных 16 | A11 | A11 | Адресная линия 11 |
30 | V CC | V CC | Напряжение питания +5 В | V CC | V CC | Напряжение питания +5 В |
31 | A8 | A8 | Адресная линия 8 | A8 | A8 | Адресная линия 8 |
32 | A9 | A9 | Адресная линия 9 | A9 | A9 | Адресная линия 9 |
33 | - | - | Не подключен | RAS3# | RAS3# | Строб строки 3 |
34 | RAS1# | RAS1# | Строб строки 1 | RAS2# | RAS2# | Строб строки 2 |
35 | DQ17 | DQ17 | Линия данных 17 | - | PQ3 | Бит чётности 3 (для линий 16-23) |
36 | DQ18 | DQ18 | Линия данных 18 | - | PQ1 | Бит чётности 1 (для линий 0-7) |
37 | DQ19 | DQ19 | Линия данных 19 | - | PQ2 | Бит чётности 2 (для линий 8-15) |
38 | DQ20 | DQ20 | Линия данных 20 | - | PQ4 | Бит чётности 4 (для линий 24-31) |
39 | V SS | V SS | Общий | V SS | V SS | Общий |
40 | CAS0# | CAS0# | Строб столбца 0 | CAS0# | CAS0# | Строб столбца 0 |
41 | A10 | A10 | Адресная линия 10 | CAS2# | CAS2# | Строб столбца 2 |
42 | A11 | A11 | Адресная линия 11 | CAS3# | CAS3# | Строб столбца 3 |
43 | CAS1# | CAS1# | Строб столбца 1 | CAS1# | CAS1# | Строб столбца 1 |
44 | RAS0# | RAS0# | Строб строки 0 | RAS0# | RAS0# | Строб строки 0 |
45 | RAS1# | RAS1# | Строб строки 1 | RAS1# | RAS1# | Строб строки 1 |
46 | DQ21 | DQ21 | Линия данных 21 | - | - | Не подключен |
47 | WE# | WE# | Сигнал записи | WE# | WE# | Сигнал записи |
48 | ECC# | ECC# | ECC | - | - | Не подключен |
49 | DQ22 | DQ22 | Линия данных 22 | DQ8 | DQ8 | Линия данных 8 |
50 | DQ23 | DQ23 | Линия данных 23 | DQ24 | DQ24 | Линия данных 24 |
51 | DQ24 | DQ24 | Линия данных 24 | DQ9 | DQ9 | Линия данных 9 |
52 | DQ25 | DQ25 | Линия данных 25 | DQ25 | DQ25 | Линия данных 25 |
53 | DQ26 | DQ26 | Линия данных 26 | DQ10 | DQ10 | Линия данных 10 |
54 | DQ27 | DQ27 | Линия данных 27 | DQ26 | DQ26 | Линия данных 26 |
55 | DQ28 | DQ28 | Линия данных 28 | DQ11 | DQ11 | Линия данных 11 |
56 | DQ29 | DQ29 | Линия данных 29 | DQ27 | DQ27 | Линия данных 27 |
57 | DQ30 | DQ30 | Линия данных 30 | DQ12 | DQ12 | Линия данных 12 |
58 | DQ31 | DQ31 | Линия данных 31 | DQ28 | DQ28 | Линия данных 28 |
59 | V CC | V CC | Напряжение питания +5 В | V CC | V CC | Напряжение питания +5 В |
60 | DQ32 | DQ32 | Линия данных 32 | DQ29 | DQ29 | Линия данных 29 |
61 | DQ33 | DQ33 | Линия данных 33 | DQ13 | DQ13 | Линия данных 13 |
62 | DQ34 | DQ34 | Линия данных 34 | DQ30 | DQ30 | Линия данных 30 |
63 | DQ35 | DQ35 | Линия данных 35 | DQ14 | DQ14 | Линия данных 14 |
64 | - | DQ36 | Линия данных 36 | DQ31 | DQ31 | Линия данных 31 |
65 | - | PQ37 | Линия данных 37 | DQ15 | DQ15 | Линия данных 15 |
66 | - | PQ38 | Линия данных 38 | - | - | Не подключен |
67 | PD1 | PD1 | Линия конфигурации 1 | PD1 | PD1 | Линия конфигурации 1 |
68 | PD2 | PD2 | Линия конфигурации 2 | PD2 | PD2 | Линия конфигурации 2 |
69 | PD3 | PD3 | Линия конфигурации 3 | PD3 | PD3 | Линия конфигурации 3 |
70 | PD4 | PD4 | Линия конфигурации 4 | PD4 | PD4 | Линия конфигурации 4 |
71 | - | DQ39 | Линия данных 39 | - | - | Не подключен |
72 | V SS | V SS | Общий | V SS | V SS | Общий |
Примечания:
- линия A10 не подключена на модулях 256 Кбайт , 512 Кбайт , 1 Мбайт и 4 Мбайт ;
- линии RAS1 и RAS3 не подключены на модулях 256 Кбайт , 1 Мбайт и 4 Мбайт .
Объём памяти модуля определяется по перемычкам, установленным на линиях конфигурации PD1 и PD2.
PD2 | PD1 | Объём |
---|---|---|
GND | GND | 4 или 64 Мб |
GND | NC | 2 или 32 Мб |
NC | GND | 1 или 16 Мб |
NC | NC | 8 Мб |
Время доступа к ячейкам памяти модуля определяется по перемычкам, установленным на линиях конфигурации PD3 и PD4.
PD4 | PD3 | Время доступа |
---|---|---|
GND | GND | 50, 100 нс |
GND | NC | 80 нс |
NC | GND | 70 нс |
NC | NC | 60 нс |
Линия GND подключена к общему проводу, а линия NC — не подключена.
72-контактные модули FPM применялись не только в компьютерах, но и в лазерных принтерах для увеличения объёма памяти. В ноутбуках с процессорами 386SX и 386DX также использовались 72-контактные модули.
После появления 72-контактных модулей FPM надо было найти применение 30-контактным модулям, и некоторые фирмы начали выпуск адаптеров 4×30 pin SIMM — 72 pin SIMM.
См. также
Примечания
Комментарии
- На самом деле, одностороннее или двустороннее расположение микросхем на плате модуля памяти никакого отношения к названию DIMM не имеет. Это довольно частое заблуждение, не имеющее ничего общего с действительностью.
Источники
- Александр Фролов, Григорий Фролов. . — Диалог-МИФИ, 1993. — Т. 4, кн. 10, 2.4. Чем отличаются микросхемы памяти DIP, SIMM и SIP. — С. 218. — (Библиотека системного программиста).
- 26 января 2021 года.
- Юрий А. Денисов. : B.3.2.2. Причины повышения скорости работы EDO RAM. — 2001. — Вып. 2, VII. Память. — («Основы информационных систем»). . Дата обращения: 2 сентября 2015. Архивировано 15 апреля 2015 года. .
Ссылки
- от 28 января 2007 на Wayback Machine (англ.)
- от 14 декабря 2006 на Wayback Machine (англ.)
- от 18 декабря 2006 на Wayback Machine (англ.)
- от 18 декабря 2006 на Wayback Machine (англ.)
- (рус.)
- (англ.)
- от 25 января 2007 на Wayback Machine , (рус.) iXBT.com
- 2020-12-12
- 1