Материалы ЭЛ
- 1 year ago
- 0
- 0
Фотопроводи́мость — явление изменения электропроводности вещества при поглощении электромагнитного излучения, такого как видимое , инфракрасное , ультрафиолетовое или рентгеновское излучение .
Фотопроводимость свойственна полупроводникам . Электропроводность полупроводников ограничена нехваткой носителей заряда . При поглощении фотона электрон переходит из валентной зоны в зону проводимости . Как следствие образуется пара носителей заряда: электрон в зоне проводимости и дырка в валентной зоне. Оба носителя заряда при приложении к полупроводнику напряжения создают электрический ток .
При возбуждении фотопроводимости в собственном полупроводнике энергия фотона должна превышать ширину запрещенной зоны . В полупроводнике с примесями поглощение фотона может сопровождаться переходом из расположенного в запрещённой зоне уровня, что позволяет увеличить длину волны света, который вызывает фотопроводимость. Это обстоятельство важно для детектирования инфракрасного излучения . Условием высокой фотопроводимости является также большой показатель поглощения света, который реализуется в прямозонных полупроводниках .
Явление фотопроводимости используется в датчиках света, в частности в фоторезисторах . Фотопроводимость важна также для детектирования инфракрасного излучения и применяется, например, в приборах ночного видения . Увеличение проводимости при освещении используется также в ксерографии , при которой электрические заряды стекают с засвеченных мест предварительно наэлектризованой поверхности полупроводникового барабана. Явление фотопроводимости также используется для определения электрических свойств полупроводниковых структур.