Фотопластический эффект
— явление увеличения сопротивления пластической деформации полупроводников при возникновении внешнего светового излучения. Был открыт
Ю. А. Осипьяном
и И. Б. Савченко в 1968 г.
Причиной фотопластического эффекта является воздействие света на распределение электрических зарядов внутри кристалла, вызывающее уменьшение скорости дрейфа дислокаций пластической деформации и уплотнение кристаллов.
Примечания
↑
Конюшая Ю. П.
Открытия советских учёных. - М., Московский рабочий, 1979. - с. 410
Андреев А. Ф., Алфёров Ж. И., Алдошин С. М., Бредихин С. И., Велихов Е. П., Гантмахер В. Ф., Кведер В. В., Ковальчук М В., Кулаковский В. Д., Матвеев В. А., Месяц Г. А., Тимофеев В. Б. "
от 28 апреля 2019 на
Wayback Machine
" //
УФН
178 1239–1240 (2008)