T-RAM ( англ. Thyristor RAM ) — тиристорная память с произвольным доступом, новый вид оперативной памяти , предложенный в середине 2000-х годов, сочетающий в себе сильные стороны DRAM и SRAM : высокую скорость работы и большой объём. Данная технология использует ячейки памяти, основанные на эффекте NDR , которые называются Thin-Capacitively-Coupled-Thyristor . T-RAM уходит от привычных дизайнов ячеек памяти: 1T и 6T, применяемых в DRAM- и SRAM-памяти. Благодаря этому данная память является хорошо масштабируемой и уже имеет плотность хранения данных, в несколько раз превышающую её у SRAM-памяти. В данный момент идёт разработка следующего поколения T-RAM-памяти, которая, как планируется, будет сопоставима по плотности записи с DRAM.

Данную технологию компания AMD предполагала использовать в процессорах, производимых по нормам 32 и 22 нм .

По словам бывшего CEO компании T-RAM Semiconductor, несмотря на успешное решение множества проблем в производстве, для T-RAM так и не был достигнут процент выхода годных изделий, достаточный для прибыльного массового выпуска .

Примечания

См. также

• RAM

Ссылки

• (англ.)
  • Farid Nemati (T-RAM Semiconductor), / 2007 Hot Chips Conference, August 21, 2007 (англ.)
• (недоступная ссылка) , EETimes, 2009-05-19 (англ.)