Геттерирование — процесс связывания в нейтральные ассоциации подвижных, нежелательных примесей и дефектов на границах раздела, образованных внешней поверхностью кристаллов или поверхностью границ преципитатов .

Процесс геттерирования происходит за счёт следующих физических эффектов:

• высвобождение примесей или распад протяжённых дефектов на более мелкие составные части;
• диффузия примесей или составных частей дислокаций;
• поглощение примесей или собственных межузельных атомов некоторым стоком;

Существует 3 основных механизма геттерирования примесей:

1. Образование пар ионов . При легировании образца фосфором, некоторые примеси, такие, например, как медь , распределяются так, что профиль распределения принимает форму, близкую профилю примесного фосфора . В результате образуются нейтральные пары вида Cu ⁺ P _- .
2. Геттерирование с использованием нарушенных слоёв .
3. Внутреннее геттерирование. Чаще всего проявляется при ионном легировании . Воздействие преципитатов оксида кремния на дислокации приводит к тому, что последние начинают притягивать к себе примеси тяжёлых металлов, освобождая, таким образом, поверхность от примесей.

В статье не хватает ссылок на источники (см. рекомендации по поиску ). Информация должна быть проверяема , иначе она может быть удалена. Вы можете статью, добавив ссылки на авторитетные источники в виде сносок . ( 15 января 2013 )

Для улучшения этой статьи желательно : Оформить статью по правилам . После исправления проблемы исключите её из списка. Удалите шаблон, если устранены все недостатки.

Примечания

Литература

• Иванов В.И., Лучников П. А., Сигов А. С., Суржиков А.П. / под ред. Ю.В. Гуляева. — М. : Юрайт, 2016. — С. 39—40. — 460 с. — ISBN 978-5-04-027994-4 .

• Углов В.В. . — Минск: Высшэйшая школа, 2016. — С. 69—70. — 190 с. — ISBN 978-5-04-056182-7 .