Потоло́к вале́нтной зо́ны — самое высокое по энергии состояние в валентной зоне полупроводника , а также энергия этого состояния. Состояние задаётся волновым вектором электрона ${\displaystyle {\vec {k}}_{v0}}$ , а энергия имеет стандартное обозначение ${\displaystyle E_{v}}$ .

Потолок валентной зоны обычно находится в центре зоны Бриллюэна (в Γ-точке) и является вырожденным, так как там происходит касание двух ветвей дисперсионного соотношения ${\displaystyle E({\vec {k}})}$ , связывающего энергию электрона ( дырки ) и волновой вектор.

Для органических полупроводников, вместо термина «потолок валентной зоны», используется понятие ( англ. HOMO: highest occupied molecular orbital ).

Если дно зоны проводимости и потолок валентной зоны полупроводника находятся в одной и той же точке зоны Бриллюэна ( ${\displaystyle {\vec {k}}_{c0}={\vec {k}}_{v0}}$ , обычно = 0), такой материал называется прямозонным (пример: GaAs ), а если в разных — непрямозонным (пример: Si ).

Литература

• Н. Ашкрофт, Н. Мермин. / М.И Каганов. — М. : Мир, 1979. — 399 с.

• Ч. Киттель. Введение в физику твёрдого тела. — М. : Наука, 1978.