pMOS — технология производства полупроводниковых элементов. На её основе строились элементы памяти, такие, как Intel , . Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ — лавинный пробой p-n-перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель — электроны , так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Одна ячейка памяти строилась на двух транзисторах . По теоретическим данным ячейка могла хранить информацию до 10 лет.