Interested Article - Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН

breeze
  • 2020-12-14
  • 1

Институ́т фи́зики полупроводнико́в им. А. В. Ржанова — один из крупнейших институтов Новосибирского научного центра Сибирского отделения РАН . Основан в 1964 году . У истоков создания ИФП стоял крупный учёный академик Анатолий Васильевич Ржанов .

В состав Института входит 23 научных лаборатории, Новосибирский филиал ИФП СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», в котором разрабатывается и выпускается ряд тепловизионных систем и приборов. На базе Института действует один из наиболее эффективно работающих центров коллективного пользования — ЦКП «Наноструктуры».

В Институте работает около 1000 человек, в том числе в филиале ИФП СО РАН «КТИПМ» — около 220 человек. Общее число научных сотрудников — 227 человек из них, 2 академика РАН, 4 член-корреспондента РАН, 41 доктор наук; 140 кандидатов наук.

Из-за вторжения России на Украину институт находится под санкциями всех стран Евросоюза , Японии , Канады и США .

Научные направления

Основными направлениями научной деятельности института являются:

История

Институт был основан в 1964 году на базе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума АН СССР № 49 от 24 апреля 1964 года) . В 2003 году к Институту физики полупроводников СО РАН был присоединён в качестве филиала Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (постановление Президиума РАН № 224 от 1 июля 2003 года). В 2005 году к ИФП СО РАН был присоединён в качестве филиала Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (постановление Президиума РАН № 274 от 29 ноября 2005 года). В 2006 году Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН № 400 от 26 декабря 2006 года) . Постановлением Президиума РАН № 262 от 13 декабря 2011 года Институт переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук. Постановлением Президиума СО РАН № 440 от 14 декабря 2012 года в целях совершенствования структуры Института Омский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук исключен из состава Института.

В соответствии с Федеральным законом от 27 сентября 2013 г. № 253-ФЗ «О Российской академии наук, реорганизации государственных академий наук и внесении изменений в отдельные законодательные акты Российской Федерации» и распоряжением Правительства Российской Федерации от 30 декабря 2013 г. № 2591-р Учреждение передано в ведение Федерального агентства научных организаций (ФАНО России).

Директора Института

Структура

Здание (лабораторн-технологический корпус, ЛТК) института в 2013 году

В состав института входят следующие научные подразделения (более 20 лабораторий, филиал):

Научные отделы

  • Отдел роста и структуры полупроводниковых материалов, руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор О. П. Пчеляков
    • Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур, зав.лаб., к.т. н. С. В. Рыхлицкий
    • Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А 3 В 5 , зав.лаб., к.ф.-м.н. А. И. Никифоров
    • Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур, зав.лаб., к.ф.-м.н. В. В. Преображенский
  • Отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур, руководитель отдела академик А. Л. Асеев
    • Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии , зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н. А. В. Латышев
    • Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А 3 В 5 , зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор, член-корр. РАН З. Д. Квон
  • Отдел инфракрасных оптоэлектронных устройств на основе КРТ , руководитель отдела д.ф.-м.н. Ю. Г. Сидоров
    • Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А 2 В 6 , зав.лаб., к.ф.-м.н. С. А. Дворецкий
    • Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А 2 В 6 , зав.лаб., к.ф.-м.н. В. В. Васильев
  • Отдел тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники, руководитель отдела член-корр. РАН, профессор, И. Г. Неизвестный
    • Лаборатория физики и технологии гетероструктур зав, зав.лаб., д.ф.-м.н. А. Э. Климов
    • Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники , руководитель группы, член-корр. РАН И. Г. Неизвестный
  • Отдел физики и техники полупроводниковых структур , руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор, В. Н. Овсюк
    • Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках , и. о. зав.лаб., к.ф.-м.н. Д. Г. Есаев
    • Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А 3 В 5 , зав.лаб., к.ф.-м.н. А. И. Торопов

Лаборатории

  • Лаборатория теоретической физики , зав.лаб., академик, профессор А. В. Чаплик
  • Лаборатория вычислительных систем, зав.лаб., д.т. н. К. В. Павский
  • Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик, зав.лаб., к.х.н. О. И. Семенова
  • Лаборатория оптических материалов и структур , зав.лаб., к.ф.-м.н. В. В. Атучин
  • Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур , зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор В. Я. Принц
  • Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках , зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор, А. С. Терехов
  • Лаборатория физических основ материаловедения кремния , зав.лаб., д.ф-м.н. В. П. Попов
  • Лаборатория физических основ интегральной микрофотоэлектроники , и. о.зав. лаб., д.ф.-м.н. А. П. Ковчавцев
  • Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники , зав.лаб., д.ф.-м.н. О. В. Наумова
  • Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем . зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор, А. В. Двуреченский
  • Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий , зав.лаб., д.ф.-м.н. Н. Н. Рубцова
  • Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики , зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н. И. И. Рябцев
  • Лаборатория мощных газовых лазеров , зав.лаб., к.ф.-м.н. Д. Э. Закревский

Новосибирский филиал ИФП СО РАН «КТИПМ»

  • Научно-исследовательский отдел фотохимических технологий
  • Научно-исследовательский отдел тепловидение и телевидения
  • Тематический отдел конструирования оптико-электронных приборов
  • Тематический отдел электронных систем
  • Тематический отдел моделирования оптико-электронных приборов
  • Тематический отдел прикладной оптико-электронной техники и технологий
  • Тематический отдел специального технологического оборудования

Известные учёные

Дирекция

Научная инфраструктура

Центр коллективного пользования

В Институте действует центр коллективного пользования «Наноструктуры» от 19 апреля 2016 на Wayback Machine в котором, проводят исследования различными методами электронной микроскопии атомной структуры, морфологии и химического состава, осуществляется контроль атомарных поверхностей, создаются структуры пониженной размерности для наноэлектроники.

ЦКП создан на базе Новосибирского государственного университета и ряда Институтов СО РАН: ИФП, ИК, ИНХ. Руководитель: член-корр. РАН, профессор А. В. Латышев.

Уникальные научные установки

Автоматизированная многомодульная сверхвысоковакуумная установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М» (МЛЭ КРТ «Обь-М») от 19 апреля 2016 на Wayback Machine

Установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Обь-М», разработанная и изготовленная в ИФП СО РАН. Установка используется для выращивания наногетероэпитаксиальных структур твердых растворов теллуридов кадмия и ртути (КРТ) и фоточувствительных материалов на основе многослойных гетероструктур из узкозонных твердых растворов КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из кремния и арсенида галлия.

Уникальная научная установка «Многофункциональный аналитический субангстремный сверхвысоковакуумный комплекс» (УНУ «МАССК-ИФП») от 19 апреля 2016 на Wayback Machine

Многофункциональный аналитический субангстремный сверхвысоковакуумный комплекс «МАССК-ИФП» разработан в ИФП СО РАН и не имеет аналогов в РФ. Единственный упрощенный прототип этого оборудования установлен в Токийском технологическом университете в Японии. Уникальный комплекс высокотехнологичного оборудования МАССК-ИФП, входящий в состав ЦКП «Наноструктуры» при ИФП СО РАН, обеспечивает проведение диагностики и прецизионное управление атомными процессами, протекающими на поверхности кристаллов на субангстремном уровне.

См. также

Примечания

  1. ↑ . Дата обращения: 13 октября 2010. 22 февраля 2014 года.
  2. . Дата обращения: 13 октября 2010. 12 сентября 2011 года.
  3. / Гл.ред. Ламин В. А . — Новосибирск: Новосибирское книжное издательство, 2003. — С. 379. — 1071 с. — ISBN 5-7620-0968-8 . 2 сентября 2017 года.
  4. Official Journal of the European Union. (англ.) . European Union law (16 декабря 2022). Дата обращения: 20 января 2023. 25 декабря 2022 года.
  5. . RFI (28 февраля 2023). Дата обращения: 23 марта 2023. 23 марта 2023 года.
  6. КОРМАШОВА Мария. . Информационно-аналитический портал «Технология машиностроения MASHNEWS» . Дата обращения: 8 марта 2023. 12 марта 2023 года.
  7. (англ.) . U.S. Department of the Treasury . Дата обращения: 20 сентября 2022. 19 сентября 2022 года.
  8. . Дата обращения: 3 апреля 2022. 19 апреля 2016 года.
  9. . Дата обращения: 3 апреля 2022. 19 апреля 2016 года.
  10. . Дата обращения: 3 апреля 2022. 19 апреля 2016 года.
  11. . Дата обращения: 13 октября 2010. 21 ноября 2011 года.
  12. . Дата обращения: 13 октября 2010. 19 апреля 2016 года.

Ссылки

Источник —

breeze
  • 2020-12-14
  • 1
  • Tags:

Same as Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН

The title for the last searches