Interested Article - Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы


- 2021-07-27
- 1
Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы ( англ. Metalorganic chemical vapour deposition ) — метод химического осаждения из газовой фазы путём термического разложения ( пиролиза ) металлоорганических соединений для получения материалов ( металлов и полупроводников ), в том числе путём эпитаксиального выращивания. Например, арсенид галлия выращивают при использовании триметилгаллия ((CH 3 ) 3 Ga) и трифенилмышьяка (C 6 H 5 ) 3 As). Сам термин предложен основоположником метода Гарольдом Манасевитом в 1968 году. В отличие от молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ, также используется термин « молекулярно-пучковая эпитаксия », МПЭ) рост осуществляется не в высоком вакууме, а из парогазовой смеси пониженного или атмосферного давления (от 2 до 101 к Па ).
Компоненты установки МОС-гидридной эпитаксии
- Реактор — камера, в которой непосредственно происходит эпитаксиальный рост. Она сделана из материалов, химически инертных по отношению к используемым химическим соединениям при высоких температурах (400—1300°С). Основными конструкционными материалами являются нержавеющая сталь , кварц и графит . Подложки расположены на нагреваемом подложкодержателе с контролем температуры. Он также сделан из материалов, стойких к химическим веществам используемым в процессе (часто используют графит , иногда со специальными покрытиями, также некоторые детали подложкодержателя делают из кварца). Для нагрева подложкодержателя и камеры реактора до температуры эпитаксиального роста используют резистивные или ламповые нагреватели, а также ВЧ-индукторы.
- Газовая схема. Исходные вещества, находящиеся при нормальных условиях в газообразном состоянии подаются в реактор из баллонов через регуляторы расхода газа . В случае, если исходные вещества при нормальных условиях представляют собой жидкости или твердые вещества (в основном это все применяемые металлоорганические соединения), используются так называемые испарители-барботеры (анг. 'bubbler'). В испарителе-барботере газ-носитель (обычно азот или водород ) продувается через слой исходного химического соединения, и уносит часть металлорганических паров, транспортируя их в реактор. Концентрация исходного химического вещества в потоке газа-носителя на выходе из испарителя зависит от потока газа-носителя, проходящего через испаритель-барботер, давления газа-носителя в испарителе и температуры испарителя-барботера.
- Система поддержания давления в камере реактора (в случае эпитаксии на пониженном давлении — форвакумный или пластинчато-роторный форвакуумный насос и лепестковый клапан).
- Система поглощения токсичных газов и паров. Токсичные отходы производства должны быть переведены в жидкую или твёрдую фазу для последующего повторного использования или утилизации.
Исходные вещества
Список химических соединений, используемых в качестве источников для роста полупроводников методом MOCVD:
-
Алюминий
- Триметилалюминий CAS 75-24-1 Al(CH 3 ) 3
- Триэтилалюминий CAS 97-93-8 Al(C 2 H 5 ) 3
-
Галлий
- Триметилгаллий Ga(CH 3 ) 3
- Триэтилгаллий Ga(C 2 H 5 ) 3
- Ga(C 3 H 7 ) 3
-
Индий
- Триметилиндий In(CH 3 ) 3
- Триэтилиндий In(C 2 H 5 ) 3
-
Кремний
- Моносилан SiH 4
- Дисилан Si 2 H 6
-
Цинк
- Диэтилцинк Zn(C 2 H 5 ) 2
Полупроводники, выращиваемые с помощью MOCVD
III—V Полупроводники
- Арсенид галлия ( GaAs )
- Фосфид индия ( InP )
- InGaAs
- AlGaAs
- InGaAs
- Нитрид галлия ( GaN )
- Антимонид индия ( InSb )
II—VI Полупроводники
- Селенид цинка (ZnSe)
- КРТ (HgCdTe)
См. также
Примечания
- Manasevit H. M. Single-Crystal Gallium Arsenide on Insulating Substrates Appl. Phys. Lett. 12 , 156 (1968) doi :

- 2021-07-27
- 1