Interested Article - Список микроэлектронных производств

aoibhe
  • 2020-09-19
  • 1

В данном списке собраны некоторые крупнейшие промышленные фабрики, производящие микроэлектронную технику. Указаны только действующие фабрики, занимающиеся изготовлением полупроводниковых структур СБИС . Для части фабрик указаны заявленные компаниями максимальные производительности.

В России и СНГ

Микроэлектронное производство в России :

Компания Название фабрики Местоположение Примерная стоимость Начало производства Диаметр пластин, мм Техпроцесс , нм Производительность, пластин в месяц
бывший завод Ангстрем-Т ( ) Флаг России Зеленоград 45 млрд рублей + 355 млн рублей + 8,4 млрд рублей 05 августа 2016 года производство начато . 2019 - остановка в связи с банкротством. 2023 - планируется возобновление 200 250-110 (возм. до 90 нм) 20000
Ангстрем Линия 150 Флаг России Зеленоград 150 600 (КНС/КНИ) 8000
Линия 100 Флаг России Зеленоград 100 1200 (КНС) 4000
НИИМЭ и Микрон Микрон Флаг России Зеленоград ~400 млн $ 2012 200 90 (массовое)

65 (опытное)

3000
Микрон Флаг России Зеленоград 2009 200 180
МИЭТ и Микрон Микрон Флаг России Зеленоград 2024-2030 28
Крокус Наноэлектроника (КНЭ) Флаг России Москва (АЗЛК) $200 млн 2016 200/300 90/55
только MRAM слои 		до 4000
НИИИС Флаг России Нижний Новгород 150 Маски, MEMS, СВЧ
НПК «Технологический центр» Флаг России Зеленоград 100
Исток Флаг России Фрязино 150 мм
Микран Флаг России Томск 25 марта 2015 . 100 мм
Флаг России Брянск 19 марта 2019 500
ВЗПП-Микрон Флаг России Воронеж 100/150 мм
Светлана-Полупроводники Флаг России Санкт-Петербург
Флаг России Воронеж
Флаг России Воронеж 200 350
НЗПП с ОКБ и НПП «Восток» Флаг России Новосибирск 100 мм 180/250
НИИ Системных исследований РАН Флаг России Москва 250/350/500 мелкосерийное производство, опытные партии
Протон Флаг России Орёл
НПП Пульсар Флаг России Москва
Российские космические системы Флаг России Москва 76,2/100/150 1000
Росэлектроника Светлана-Рост Флаг России Санкт-Петербург 50,8/76,2/100 200/500/800/1000
Светлана-Электронприбор Флаг России Санкт-Петербург
Флаг России Томск
Флаг России Омск 900
Флаг России Санкт-Петербург 12,5 500
АО ОКБ-Планета Флаг России Великий Новгород 100 150

В Белоруссии микроэлектронное производство имеется у компании Интеграл (Минск):

  • 200-миллиметровые пластины: 1 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм ;
  • 150-миллиметровые пластины: 10 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 0,35 мкм; 29,5 тыс. пластин в месяц по техпроцессу 1,5 мкм
  • 100-миллиметровые пластины (техпроцесс до 2 мкм): 15 тысяч пластин в месяц

В других странах

Компания Название фабрики Местоположение Примерная стоимость, млрд долл. Начало производства Диаметр пластин, мм Техпроцесс , нм Производительность, пластин в месяц
Intel D1D Hillsboro, Орегон, США 2003 300 22
Intel D1C Hillsboro, Орегон, США 2001 300 32
Intel D1X Hillsboro, Орегон, США 2013 300 22
Intel Fab 12 Chandler, Аризона, США 1996 300 65
Intel Fab 32 Chandler, Аризона, США 3 2007 300 45
Intel Fab 32 Chandler, Аризона, США 300 32 / 22
Intel Fab 42 Chandler, Аризона, США 5 2020 300 10
Intel Fab 11x Rio Rancho, New Mexico, США 2002 300 32
Intel Fab 11x Rio Rancho, New Mexico, США 2002 300 45
Intel Fab 17 Hudson, Massachusetts, USA 1998 200
Intel Fab 10 Leixlip, Ирландия 1994 200
Intel Fab 14 Leixlip, Ирландия 1998 200
Intel Fab 24 Leixlip, Ирландия 2006 300 65
Intel Fab 24 Leixlip, Ирландия 2006 300 90
Intel Fab 28 Kiryat Gat, Израиль 2008 300 45 / 22
Intel Fab 68 Dalian, Китай 2,5 2010 300 65
Motorola MOTOFAB1 Guadalajara, Мексика 2002
Micron Virginia, США 300
GlobalFoundries Fab 1 Дрезден, Германия 2.5 2005 300 45 и менее 80 000
GlobalFoundries Fab 7 Сингапур 300 130 - 40 50 000
GlobalFoundries Fab 8 Malta, NY, США 4.6 2012 300 28 60 000
GlobalFoundries Fab 2 Сингапур 200 600-350 50 000
GlobalFoundries Fab 3/5 Сингапур 200 350-180 54 000
GlobalFoundries Fab 3E Сингапур 200 180 34 000
GlobalFoundries Fab 6 Сингапур 200 45 000
GlobalFoundries Fab 9 Abu Dhabi, ОАЭ 2015
TSMC Fab 2 Hsinchu, Тайвань 150
TSMC Fab 3 Hsinchu, Тайвань 200
TSMC Fab 5 Hsinchu, Тайвань 200
TSMC Fab 6 Tainan, Тайвань 200
TSMC Fab 8 Hsinchu, Тайвань 200
TSMC Fab 10 Shanghai, Китай 200
TSMC Fab 12 Hsinchu, Тайвань 300 28
TSMC Fab 12 Hsinchu, Тайвань 300 22
TSMC Fab 12(P4) Hsinchu, Тайвань
TSMC Fab 14 Tainan, Тайвань 300 28
TSMC WaferTech Fab 14 Camas, Washington, США 200
TSMC Fab 15 Taichung, Тайвань 2011Q4 300 28
TSMC Fab 15 Taichung, Тайвань конец 2011 300
TSMC Fab 16 Taichung, Тайвань План 300 28
UMC Fab 6A Hsinchu, Тайвань 150
UMC Fab 8AB Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8C Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8D Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8E Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8F Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 8S Hsinchu, Тайвань 200
UMC Fab 12A Tainan, Тайвань 300
UMC Fab 12 Сингапур 300
Fab 1 Тайвань, Hsinchu 200
Fab 2 Тайвань, Hsinchu 200
IM Flash Сингапур 2011.04 300
IM Flash Lehi, Utah, США 300
IM Flash Manassas, Virginia, США
NXP Semiconductors DHAM Германия, Гамбург
NXP Semiconductors Китай, Jilin
NXP Semiconductors Великобритания, Манчестер
NXP Semiconductors ICN8 Нидерланды, Nijmegen
NXP Semiconductors SSMC Сингапур
IBM Building 323 East Fishkill, N.Y., США 2.5 2002 300
IBM Burlington Fab Essex Junction, VT, США 200
STMicroelectronics Crolles 1 / Crolles 200 , Франция 1993 200
STMicroelectronics Crolles2 , Франция 2003 300 90
STMicroelectronics Crolles2 , Франция 300 65
STMicroelectronics Crolles2 , Франция 300 45
STMicroelectronics Crolles2 , Франция 300 32
STMicroelectronics Agrate , Italy 200
STMicroelectronics Catania Catania , Italy 1997 200
STMicroelectronics Rousset , Франция 2000 200
NanoFab 300 North Albany, NY, США .175 2005 300 65
NanoFab 300 North Albany, NY, США 300 45
NanoFab 300 North Albany, NY, США 300 32
NanoFab 300 North Albany, NY, США 300 22
NanoFab 300 South Albany, NY, США .050 2004 300 22
NanoFab 200 Albany, NY, США .016 1997 200
NanoFab Central Albany, NY, США .150 2009 300 22
Memory Foundry Тайвань 300 90
Memory Foundry Тайвань 300
Freescale Semiconductor ATMC Остин , TX, США 1995 200 90
Freescale Semiconductor Chandler Fab Chandler, Arizona, США 1.1 1993 200 180
Freescale Semiconductor Oak Hill Fab Остин , TX, США .8 1991 200 250
Freescale Semiconductor Sendai Fab Sendai, Япония 1987 150
Freescale Semiconductor Toulouse Fab Toulouse, Франция 1969 150
SMIC S1 Mega Fab Shanghai, Китай 200 90 94 тыс. суммарно на S1
SMIC S1 Mega Fab Shanghai, Китай 200 350
SMIC S1 Mega Fab Shanghai, Китай 200 90
SMIC S2 Shanghai, Китай 300
SMIC Fab 8 Shanghai, Китай 200 45-28 нм 15 тысяч суммарно на F8
SMIC Shanghai, Китай 2,25 2019 14нм
SMIC B1 Mega Fab Beijing, Китай 2004 300 130
SMIC B1 Mega Fab Beijing, Китай 2004 300 36 тысяч суммарно на B1
SMIC Fab 7 Tianjin, Китай 2004 200 350 39 тысяч суммарно на F7
SMIC Fab 7 Tianjin, Китай 200 130
Memory Product Foundry Taichung, Тайвань 300 90
Memory Product Foundry Taichung, Тайвань 300 65
F-5 Cheongju, Южная Корея 2005 200 130
Fab 4 Taichung, Тайвань 1.6 300
Heilbronn Heilbronn, Германия 150 10,000
Roseville fab Roseville, CA, США 200
Hynix M7 Icheon, Южная Корея 200
Hynix M8 Cheongju, Южная Корея 200
Hynix M9 Cheongju, Южная Корея 200
Hynix E1 Eugene, OR, США 200
Hynix HC1 Wuxi, Китай 200
Fujitsu Fab No. 1 Mie Prefecture, Япония 2005 300 90 / 65 15,000
Fujitsu Fab No. 2 Mie Prefecture, Япония 2007 300 90 / 65 25,000
Minnesota fab Bloomington, MN, США 65
Minnesota fab Bloomington, MN, США 90
Minnesota fab Bloomington, MN, США 130
Minnesota fab Bloomington, MN, США 180
Minnesota fab Bloomington, MN, США 250
Minnesota fab Bloomington, MN, США 1991 350
Gresham Gresham, OR, США Future 200 65
Gresham Gresham, OR, США 200 130
Pocatello Pocatello, ID США 200 350
Pocatello Pocatello, ID США 200
National Semiconductor Greenock Greenock, Scotland 150 20,833
National Semiconductor South Portland South Portland, ME, США .932 1997 350
National Semiconductor South Portland South Portland, ME, США 250
National Semiconductor South Portland South Portland, ME, США 180
National Semiconductor West Jordan West Jordan, UT, США 1977 102
National Semiconductor Arlington Arlington, TX, США 1985 152
Samsung Line-16 Hwaseong, Южная Корея 2011 300 12,000
Samsung S2 Остин , TX, США 2011 300 32 40,000
Fab 1 Migdal Haemek, Израиль 1989 150 350-1000
Fab 2 Migdal Haemek, Израиль 2003 200 130-180
Fab 3 Newport Beach, Калифорния, США 1967 200 130-500 17,000
Fab 4 Япония, Nishiwaki City
Agrate, Италия 300 65
Fab 9 Сан-Антонио, TX, США 200 180
TPSCo ( & NTCJ ) Uozu fab Uozu-city Toyama, Япония 1984 300 65-45
TPSCo ( & NTCJ ) Tonami fab Tonami, Toyama, Япония 1994 200 150-350

Примечания

  1. ↑ (англ.) . SEMI Europe (ноябрь 2012). Дата обращения: 3 декабря 2013. Архивировано из 25 октября 2013 года.
  2. ↑ . CNews.ru . Дата обращения: 5 октября 2022. 5 октября 2022 года.
  3. . (28 октября 2019). Дата обращения: 6 ноября 2019. 30 октября 2019 года.
  4. Анастасия Степанова. regnum.ru (5 ноября 2019). Дата обращения: 6 ноября 2019. 17 апреля 2020 года.
  5. . « Коммерсантъ » (23 июня 2021). Дата обращения: 24 декабря 2021. 24 декабря 2021 года.
  6. ↑ от 15 января 2014 на Wayback Machine , 30.05.2008,
    Оригинальный текст (рус.)
    предприятие предназначено для производства интегральных схем на пластинах диаметром 200 мм с использованием современных технологических процессов с минимальными проектными нормами 130—110 нм. … Общая стоимость проекта составляет около 45 млрд рублей.
  7. . Дата обращения: 7 августа 2016. Архивировано из 10 августа 2016 года.
  8. ↑ от 13 января 2013 на Wayback Machine // Ангстрем
  9. David Manners, // Electronics Weekly, 1 March 2011
  10. .
  11. от 25 мая 2015 на Wayback Machine // Andrey Golushko (JSC Mikron), Semicon Russia Conference, May 2012 (англ.)
  12. . CNews.ru . Дата обращения: 20 сентября 2022. 20 сентября 2022 года.
  13. .
  14. . Дата обращения: 28 февраля 2018. 24 августа 2018 года.
  15. . Дата обращения: 28 февраля 2018. 24 августа 2018 года.
  17. . Дата обращения: 29 марта 2019. 29 марта 2019 года.
  18. . Дата обращения: 18 апреля 2022. 2 июля 2019 года.
  19. . Дата обращения: 29 марта 2019. 29 марта 2019 года.
  20. . Дата обращения: 29 марта 2019. 29 марта 2019 года.
  21. . Дата обращения: 19 апреля 2019. 16 января 2022 года.
  22. . Дата обращения: 19 апреля 2019. 19 апреля 2019 года.
  23. . Дата обращения: 19 апреля 2019. 19 апреля 2019 года.
  24. . Дата обращения: 19 апреля 2019. 19 апреля 2019 года.
  25. . Дата обращения: 19 апреля 2019. 19 апреля 2019 года.
  26. . Дата обращения: 19 апреля 2019. 17 апреля 2019 года.
  27. . Дата обращения: 19 апреля 2019. Архивировано из 2 января 2018 года.
  28. . Дата обращения: 19 апреля 2019. 19 апреля 2019 года.
  29. . Дата обращения: 19 апреля 2019. 19 апреля 2019 года.
  30. . Дата обращения: 19 апреля 2019. 19 апреля 2019 года.
  31. от 28 мая 2015 на Wayback Machine of STATUS 1997 // Integrated Circuit Engineering Corporation, ISBN 1-877750-56-5 , pages 1-38, 1-40, 1-41, 1-42, (англ.)
    Оригинальный текст (англ.)
    Integral — has the only operational class 10 facility in the former USSR, … unable to operate effectively below 1.5µm resolution. Until Angstrem, it was also the only former East European plant capable of processing 150mm wafers.
  32. ,
    Оригинальный текст (англ.)
    By the mid-1990s, the main Belorussian semiconductor consortium, Integral, was the largest Eastern European semiconductor company. All six key plants were based in Minsk
    .
  33. ↑ (англ.) . SEMI. 2008. из оригинала 23 сентября 2015 . Дата обращения: 28 мая 2015 .
    Оригинальный текст (англ.)
    5. ... state-funded semiconductor manufacturing project is planned at Integral, Belarus. The project is a CMOS process with technology level at 0.35 micron, wafer size of 200 mm, and initial production volume of 1,000 wafers per month with planned expansion up to 2,000 per month
    {{ cite news }} : line feed character в |quote= на позиции 531 ( справка )
  34. .
  35. от 28 мая 2015 на Wayback Machine // INTEGRAL, 2012: «Production capacities. Wafer fabs», слайды 5, 6 (англ.)
  36. ↑ от 24 января 2013 на Wayback Machine , 2011
  37. . Дата обращения: 7 ноября 2011. 28 октября 2011 года.
  39. [ . Дата обращения: 5 января 2014. 4 октября 2013 года. PRESS KIT — Fab 32 (англ.) ]
  40. . Дата обращения: 7 ноября 2011. 5 ноября 2011 года.
  41. . обращения: 03/28/201. 27 октября 2012 года.
  42. от 3 ноября 2020 на Wayback Machine . 3DNews , 07.10.2020
  43. (недоступная ссылка)
  44. от 23 марта 2017 на Wayback Machine : Motorola Plant Reference in a book
  45. ↑ от 4 мая 2012 на Wayback Machine // GlobalFoundries
  46. . The Street. 2010-06-14. из оригинала 11 октября 2012 . Дата обращения: 1 июня 2011 .
  47. ↑ . Дата обращения: 7 ноября 2011. 4 мая 2012 года.
  48. . Дата обращения: 7 ноября 2011. 4 мая 2012 года.
  49. Cooper, Robin K. (2011-05-24). . из оригинала 2 июня 2011 . Дата обращения: 7 ноября 2011 .
  50. . Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата обращения: 21 апреля 2012. 8 сентября 2018 года.
  51. ↑ . Taiwan Economic News. 2011-01-13. из оригинала 24 июля 2011 . Дата обращения: 13 января 2011 .
  52. . DigiTimes. 2011-04-11. из оригинала 6 августа 2020 . Дата обращения: 11 апреля 2011 .
  53. . Дата обращения: 25 сентября 2012. 4 октября 2012 года.
  54. . The Site Selection. 2000-11-01. из оригинала 7 сентября 2011 . Дата обращения: 16 апреля 2011 .
  55. . EE Times. 2002-8-05. из оригинала 3 октября 2012 . Дата обращения: 27 мая 2011 . {{ cite news }} : Проверьте значение даты: |date= ( справка )
  56. ↑ от 28 мая 2015 на Wayback Machine // Colleges of Nanoscale Science and Engineering
  57. . Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано из 25 декабря 2010 года.
  58. ↑ . Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано из 20 июля 2011 года.
  59. . Дата обращения: 7 ноября 2011. 12 октября 2011 года.
  60. . Дата обращения: 7 ноября 2011. 12 октября 2011 года.
  61. . Electronic News. 1999. Архивировано из 8 июля 2012 . Дата обращения: 6 октября 2011 .
  62. . Дата обращения: 7 ноября 2011. 12 октября 2011 года.
  63. . Harvard Business School Press. 1994. из оригинала 10 июля 2015 . Дата обращения: 6 октября 2011 .
  64. . Дата обращения: 7 ноября 2011. 12 октября 2011 года.
  65. . Дата обращения: 7 ноября 2011. 12 октября 2011 года.
  66. ↑ . Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано из 27 ноября 2011 года.
  67. ↑ от 7 марта 2016 на Wayback Machine / GSA Forum at SEMICON Japan 2013, Dr. TY Chiu (CEO SMIC), page 25
  68. . CNews.ru . Дата обращения: 20 сентября 2022. 20 сентября 2022 года.
  69. Webmaster. . www.thg.ru (22 июля 2017). Дата обращения: 20 сентября 2022. 20 сентября 2022 года.
  70. ↑ . Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано из 8 октября 2011 года.
  71. (недоступная ссылка)
  72. . SOFTPEDIA. 2007-08-13. из оригинала 18 октября 2012 . Дата обращения: 27 мая 2011 .
  73. . EE Times. 2004-07-02. из оригинала 3 октября 2012 . Дата обращения: 31 мая 2011 .
  74. . EE Times. 2011-03-30 . Дата обращения: 31 мая 2011 .
  75. ↑ (недоступная ссылка)
  76. ↑ . Дата обращения: 7 ноября 2011. 3 апреля 2012 года.
  77. ↑ . Дата обращения: 7 ноября 2011. 5 декабря 2011 года.
  78. ↑ . Дата обращения: 7 ноября 2011. 16 августа 2011 года.
  79. . Дата обращения: 7 ноября 2011. 26 октября 2011 года.
  80. ↑ . Дата обращения: 7 ноября 2011. Архивировано из 20 июня 2011 года.
  81. .
  82. . Samsung. 2011-12-05. из оригинала 12 мая 2012 . Дата обращения: 18 мая 2012 .
  83. ↑ . Дата обращения: 25 сентября 2012. 14 июня 2012 года.
  84. ↑ (амер. англ.) . towersemi.com (18 января 2018). Дата обращения: 1 сентября 2022. 26 июля 2022 года.
  85. , с. 85.
  86. (амер. англ.) . towersemi.com (13 февраля 2017). Дата обращения: 1 сентября 2022. 1 сентября 2022 года.
  87. (PDF) . 2016–02. (PDF) из оригинала 22 июня 2023 . Дата обращения: 1 сентября 2022 . {{ cite news }} : Википедия:Обслуживание CS1 (формат даты) ( ссылка )
  88. ↑ (амер. англ.) . towersemi.com (7 апреля 2021). Дата обращения: 1 сентября 2022. 22 августа 2022 года.

Литература

  • Ted Smith, David Allan Sonnenfeld, David N. Pellow. 8. Out of the Shadows and into the Gloom // . — Temple University Press. — Philadelphia, USA: 978-159213-331-4, 2006. — С. 101. — 357 с.

Ссылки

  • // РОСНАНО, 31 октября 2013
  • // Пресс-релиз РосНАНО и Ситроникс, 17.02.2012
  • // НТЦ Белмикросхемы, слайд 2; 2010
  • // IC Insights, Global Semiconductor Alliance, 2009
  • . Samsung Village. 2011-09-22. из оригинала 30 сентября 2011 . Дата обращения: 6 октября 2011 .
  • / IC Insights (платн.)
  • / SEMI (платн.) : , ,
  • / SEMI (платн.)
  • / Gartner (платн.)
Источник —

aoibhe
  • 2020-09-19
  • 1
  • Tags:

Same as Список микроэлектронных производств

The title for the last searches