Interested Article - MCDRAM

MCDRAM ( англ. Multi-Channel DRAM , произносится Эм си ди RAM ) — перспективный вариант организации ОЗУ с применением динамической памяти (DRAM). Использует микросборки из нескольких кристаллов DRAM-памяти в едином корпусе. Применяется корпорацией Intel в ряде продуктов Xeon Phi второго поколения (72хх) под кодовым названием « ». Является вариацией High Bandwidth Memory и конкурирует с стандартом Hybrid Memory Cube .

Процессоры Xeon Phi имеют более 50 ядер, оснащенных устройствами векторной обработки, что позволяет им обрабатывать большие объёмы данных за секунду, чем способна предоставить традиционная DRAM-память в форм-факторе DIMM . Многоканальность MCDRAM отражает использование в этой памяти значительно большего числа каналов доступа между процессором и памятью, чем у процессоров, использующих DIMM-модули . Благодаря большему количеству каналов данный вид памяти обеспечивает большую пропускную способность (до порядка 400 гигабайт/с), хотя и сохраняет близкие к DIMM задержки доступа .

Увеличение общей ширины каналов доступа к памяти накладывает ограничения на размещение памяти. В Xeon Phi память MCDRAM распаяна на едином модуле (« multi-chip package ») с процессором и не подлежит замене или расширению. В « » используется MCDRAM общим объемом 16 ГБ , организованная в 8 микросборок .

Программный доступ

Процессоры Xeon Phi 2-го поколения (сокет LGA3647-1) поддерживают одновременно и MCDRAM (8 каналов, 16 ГБ, скорости до 400 ГБ/с ) и традиционную DIMM DDR4 SDRAM память (6 каналов, до 384 ГБ , скорости порядка 90 ГБ/с ). При загрузке могут быть выбраны различные способы распределения памяти и программного доступа. Часть более быстрой MCDRAM памяти может быть выделена в качестве дополнительной кэширующей памяти при доступе к DDR4, оставшаяся память MCDRAM отображается в собственное физическое адресное пространство. Таким образом, доступны три режима: Cache mode (вся MCDRAM используется как кэш), Flat mode (вся MCDRAM отображена по отдельным адресам) и Hybrid mode (часть как кэш, часть доступна непосредственно; например 8+8 ГБ) .

Приложения могут настроить размещение разных страниц виртуальной памяти , относя их либо напрямую к памяти DDR4, либо к памяти DDR4, кэшируемой MCDRAM, либо непосредственно к части MCDRAM, не используемой как кэш. Для размещения страниц предлагается программный интерфейс memkind или numactl .

При использовании MCDRAM в качестве кэша, доступ к ячейкам, не закэшированным в данный момент приводит к промаху и увеличенным задержкам доступа к данным (более высоким, чем при доступе к DDR4, не использующей MCDRAM-кэш). Из-за этого может потребоваться дополнительная настройка приложений .

Примечания

Mike P. (sic). . software.intel.com (20 января 2016). Дата обращения: 18 апреля 2016. 22 октября 2016 года.
Ian Cutress. . www.anandtech.com (16 ноября 2015). Дата обращения: 18 апреля 2016. 27 октября 2016 года.
. Дата обращения: 20 ноября 2016. 21 ноября 2016 года.
. Дата обращения: 20 ноября 2016. 26 февраля 2017 года.
от 24 июня 2016 на Wayback Machine / EETimes, 2015-03-25
«Eight MCDRAM on-package memory modules with 16 GB capacity total … multi-chip package»
↑ . Дата обращения: 20 ноября 2016. 12 ноября 2020 года.
. Дата обращения: 20 ноября 2016. 7 сентября 2017 года.
. Дата обращения: 20 ноября 2016. 27 октября 2016 года.
Christopher Cantalupo. . memkind.github.io (18 марта 2015). Дата обращения: 18 апреля 2016. 7 августа 2017 года.
Mike P. (sic). . software.intel.com (10 марта 2016). Дата обращения: 18 апреля 2016. 28 февраля 2017 года.