Гомопереход — контакт двух областей с разными типами проводимости (или концентрациями легирующей примеси) в одном и том же кристалле полупроводника . Различают переходы типа p—n или n—p, в которых одна из двух контактирующих областей легирована донорами , другая — акцепторами , (n ⁺ —n)-переходы (обе области легированы донорной примесью, но в разной степени; знак + означает большую степень легирования) и (p ⁺ —p)-переходы (обе области легированы акцепторной примесью).

Противоположностью гомоперехода является гетеропереход — контакт двух различных материалов, которые могут быть легированы донорами или акцепторами в любом сочетании. Если не оговорено иное, под переходом подразумевается именно гомопереход.

См. также

• Гетеропереход

Для улучшения этой статьи желательно : Найти и оформить в виде сносок ссылки на независимые авторитетные источники , подтверждающие написанное . Дополнить статью (статья слишком короткая либо содержит лишь словарное определение ). После исправления проблемы исключите её из списка. Удалите шаблон, если устранены все недостатки.