Премия Ника Холоньяка ( англ. Nick Holonyak, Jr. Award ) — награда Оптического общества (OSA) . Вручается за выдающиеся достижения в области оптики с использованием полупроводниковых устройств и материалов. Названа в честь учёного Ника Холоньяка . Учреждена в 1997 году . Награждение проводится с 1998 года. Медалью награждены два лауреата Нобелевской премии .

Лауреаты

Год	Лауреат	Обоснование награды
1998		Оригинальный текст (англ.) «For his pioneering contributions and leadership in the research and development of visible-wavelength light-emitting-diode (LED) materials and devices, including the first yellow LED and high-brightness, red-orange-yellow InAlGaP LEDs that exceed in performance the incandescent lamp»
1999	Dennis G. Deppe	Оригинальный текст (англ.) «For the development of the oxide-confined vertical cavity surface-emitting laser»
2000	Жорес Иванович Алфёров	Оригинальный текст (англ.) «For his original investigations of heterostructure injection lasers and cw room temperature semiconductor lasers»
2001	Сюдзи Накамура	Оригинальный текст (англ.) «For original demonstration and commercialization of GaN-based semiconductor lasers and LEDs»
2002	Pallab K. Bhattacharya	Оригинальный текст (англ.) «For fundamental contributions to the development and understanding of quantum-dot lasers and other quantum-confined photonic devices»
2003	Joe Charles Campbell	Оригинальный текст (англ.) «For contributions to the development of high-speed, low-noise avalanche photodiodes»
2004		Оригинальный текст (англ.) «For original and pioneering contributions to the physics and technology of semiconductor lasers, beginning with homojunctions, progressing to heterostructures of InGaAsP/InP, InGaAsSb/GaSb and including ultra-low-threshold quantum-dot structures»
2005	P. Daniel Dapkus	Оригинальный текст (англ.) «For seminal contributions to the development of metalorganic chemical vapor deposition and its application to quantum well laser devices»
2006		Оригинальный текст (англ.) «For a career of contributions to quantum well and strained-layer semiconductor lasers through innovative epitaxial growth methods and novel device designs»
2007		Оригинальный текст (англ.) «For contributions to the control of diode lasers: vertical cavity surface emitting laser arrays, injection locking and slow light»
2008	Kam Yin Lau	Оригинальный текст (англ.) «For seminal contributions to high-speed direct modulation of semiconductor lasers through enhanced differential optical gain»
2009		Оригинальный текст (англ.) «For fundamental and technological advances in active hybrid silicon photonic devices including lasers, modulators, amplifiers and silicon based active photonic integrated circuits»
2010	Dan Botez	Оригинальный текст (англ.) «For fundamental contributions to high-power semiconductor lasers including active photonic-crystal structures for high coherent power generation; single-lobe grating-surface-emitting distributed-feedback lasers; and high-power, high-efficiency sources based on aluminum-free technology»
2011		Оригинальный текст (англ.) «For seminal contributions to quantum dot lasers and nanophotonic devices»
2012	Kent D. Choquette	Оригинальный текст (англ.) «For contributions to the development of vertical cavity surface-emitting lasers»
2013	Alessandro Tredicucci	Оригинальный текст (англ.) «For demonstrating a terahertz quantum cascade device, the first compact injection laser in the far infrared»
2014	Чин Тан	Оригинальный текст (англ.) «For the discovery of efficient thin-film organic light-emitting diodes (OLED), which has led to novel display and lighting products»
2015	Qing Hu	Оригинальный текст (англ.) «For his pioneering contribution to high-performance THz quantum-cascade lasers and their applications in imaging and sensing»
2016		Оригинальный текст (англ.) «For pioneering and sustained contributions to quantum-well, quantum-dot and nanowire optoelectronic devices and their integration»
2017	Larry A. Coldren	Оригинальный текст (англ.) «For major contributions to photonic integrated circuits»
2018		Оригинальный текст (англ.) «For fundamental discoveries on growth and physics of semiconductor nanostructures leading to novel nanophotonic devices for information science and communications»
2019	Fumio Koyama	Оригинальный текст (англ.) «For seminal contributions to VCSEL photonics and integration»
2020		Оригинальный текст (англ.) «For significant contributions to hetero-epitaxy of compound semiconductors on silicon for future integrated lasers and advancing the field of light-emitting diode microdisplays»
2021		Оригинальный текст (англ.) «For wide-ranging contributions to the development and application of III-V semiconductor devices especially including gallium nitride micro-LEDs and optically-pumped semiconductor lasers»
2022	Marshall I. Nathan	Оригинальный текст (англ.) «For his pioneering work in creating GaAs diode lasers and inventive contributions to compound semiconductors and laser physics»
2023	Yeshaiahu Fainman	Оригинальный текст (англ.) «For pioneering contributions to nanoscale science and engineering of ultra-small, sub-micrometer semiconductor light emitters and nanolasers for information processing systems applications»

Примечания

Ссылки

• от 6 июля 2015 на Wayback Machine