Селективное травление
- 1 year ago
- 0
- 0
Травление в литографии ( англ. etching in lithography ) — этап фотолитографического процесса, заключающийся в полном или частичном удалении слоя материала микросхемы (оксид, металл, полупроводник) на участках, не защищённых маской фоторезиста .
Жидкостное травление обладает высокой селективностью, но является изотропным и происходит не только в направлении, перпендикулярном поверхности подложки, но и горизонтально, под слой резиста. Вследствие этого детали вытравленного рисунка по размеру оказываются больше, чем соответствующие детали .
Наиболее часто используется реактивное ионное травление , при котором подложка, покрытая маской, подвергается воздействию плазмы, возбужденной высокочастотным электрическим полем. Радикалы и нейтральные частицы плазмы участвуют в химических реакциях на поверхности, образуя летучие продукты, а положительные ионы плазмы бомбардируют поверхность и выбивают атомы с незащищенных участков подложки. Для каждого материала, подвергаемого сухому травлению, подбирается соответствующий реактивный газ. Так, например, органические резисты травят в кислородсодержащей плазме (CF 4 + O 2 ), алюминий — в хлорсодержащей плазме (Cl 2 , CCl 4 , BCl 3 , BCl 3 +Cl 2 , BCl 3 + CCl 4 +O 2 ), кремний и его соединения травят хлор- и фторсодержащей плазмой (CCl 4 + Cl 2 + Ar, ClF 3 + Cl 2 , CHF 3 , CF 4 + H 2 , C 2 F 6 ). Недостаток сухого травления — меньшая, по сравнению с жидкостным травлением, селективность. Вариантом сухого анизотропного травления является ионно-лучевое травление . В отличие от реактивного ионного травления, сочетающего физический и химический механизмы, ионно-лучевое травление определяется только физическим процессом передачи импульса. Ионно-лучевое травление является универсальным, пригодно для любого материала или сочетания материалов и обладает наивысшей среди всех методов травления разрешающей способностью, позволяя получать элементы с размером менее 10 нм.