Левандовский, Анатолий Петрович
- 1 year ago
- 0
- 0
Анато́лий Петро́вич Шпак ( 12 мая 1949 , Невинномысск — 29 июня 2011 , Киев ) — украинский ученый , профессор, академик НАН Украины , первый вице-президент НАН Украины, иностранный член РАН , иностранный член-корреспондент Австрийской академии наук . Лауреат Государственной премии Украины. Заслуженный деятель науки и техники Украины. Специалист в области спектроскопии поверхности твёрдого тела, возглавлял НАН Украины (с 2002 года).
Анатолий Шпак окончил Ростовский государственный университет в 1971 году по специальности материаловедение , поступил в Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова, где с 1985 года заведует лабораторией, с 1996 года — отделом спектроскопии поверхности твёрдого тела. С 2002 года — директор института.
С 1998 года также заведует кафедрой прикладной физики физико-технического факультета НТУУ КПИ ,
С 1977 года работает в аппарате Президиума АН УССР. С 1993 года — главный учёный секретарь НАН Украины, с 1998 года — первый вице-президент НАН Украины.
Анатолій Петрович Шпак — автор нескольких сотен научных работ. Он является главным редактором научных журналов «Металлофизика и новейшие технологии», «Успехи физики металлов» и сборника научных работ «Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології»; членом редколлегий научных журналов «Вісник НАН України», «Доповіді НАН України», «Искусственный интеллект», «Наука та наукознавство», «Наукові вісті Національного технічного університету України „Київський політехнічний інститут“», «Фізика і хімія твердого тіла» и «Украинского реферативного журнала „Джерело“».
На основе фундаментальных исследований атомной и электронной структуры низкоразмерных систем Анатолием Шпаком были разработаны физико-химические основы нового научного направления — кластерного материаловедения.
Для этого направления ученый начинает развивать начатые ещё в 1970-х годах работы, связанные с материаловедением силицидов переходных материалов. Эти работы обрели особую актуальность в связи с поиском перспективных материалов с аномально высоким углом Керровского вращения, которые использовались в новейших системах записи компьютерной информации. Комплекс исследований проводился в рамках общеевропейской программы «Physical properties of bulk single crystals and thin filmsof metal silicides».