Осаждение атомных слоёв , или атомно-слоевое осаждение ; молекулярное наслаивание ( англ. atomic layer deposition или англ. atomic layer epitaxy сокр., ALD; ALE) — технология нанесения тонких плёнок , основанная на последовательном использовании самоограниченных химических реакций для точного контроля толщины нанесённого слоя.

Описание

Технология осаждения атомных слоёв, изначально названная « эпитаксия атомных слоёв», была предложена финским физиком Туомо Сунтола в 1974 году (за разработку этой технологии в 2018 году он стал лауреатом премии «Технология тысячелетия» ). Эта технология во многом похожа на химическое осаждение из газовой фазы . Отличие состоит в том, что в технологии осаждения атомных слоёв используют химические реакции, в которых прекурсоры реагируют с поверхностью поочередно (последовательно) и не взаимодействуют между собой напрямую (не соприкасаются). Разделение прекурсоров обеспечивается продувкой азотом или аргоном . Поскольку используются самоограниченные реакции, суммарная толщина слоёв определяется не продолжительностью реакции, а количеством циклов, и толщину каждого слоя удаётся контролировать с очень высокой точностью.

Технология осаждения атомных слоёв используется для нанесения плёнок нескольких типов, включая плёнки различных оксидов (Al ₂ O ₃ , TiO ₂ , SnO ₂ , ZnO, HfO ₂ ), нитридов (TiN, TaN, WN, NbN), металлов (Ru, Ir, Pt) и сульфидов (например, ZnS). К сожалению, пока не существует достаточно дешёвых технологий выращивания таких технологически важных материалов, как Si, Ge, Si ₃ N ₄ , некоторых многокомпонентных оксидов.

Примечания

Ссылки

• При написании этой статьи использовался материал из издания « Словарь нанотехнологических терминов » (2009—…), доступного по лицензии Creative Commons .

В другом языковом разделе есть более полная статья (англ.) . Вы можете помочь проекту, расширив текущую статью с помощью перевода