Interested Article - Институт сильноточной электроники СО РАН
- 2021-12-15
- 1
Институт сильноточной электроники СО РАН — один из институтов Томского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук . Расположен в Томском академгородке .
Из-за вторжения России на Украину институт находится под санкциями всех стран Евросоюза , США , Японии , Украины и Швейцарии .
Общие сведения
Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы .
Разработки
В 1977 г. в НИИ были созданы мощные компактные генераторы линейно поляризованных однонаправленных пучков сверхширокополосного электромагнитного излучения с наносекундной и субнаносекундной длительностью импульса. Разработка была осуществлена в рамках исследования действия сверхмощных гига- и тераваттных электрических импульсов на электронную аппаратуру .
История
Институт был создан в 1977 году в Томском академгородке .
Директора
Институт возглавляли :
- 1977—1986 — академик РАН Месяц, Геннадий Андреевич
- 1986—2002 — академик РАН Бугаев, Сергей Петрович .
- 2002—2006 — академик РАН Коровин, Сергей Дмитриевич .
- с 2006 — академик РАН Николай Александрович Ратахин .
Структура
- Отдел импульсной техники — заведующий лабораторией и затем отделом по настоящее время доктор технических наук, академик РАН Ковальчук, Борис Михайлович
- Отдел высоких плотностей энергии (основатель и первый руководитель лаборатории и отдела Лучинский, Андрей Владимирович )
- Отдел физической электроники
- Лаборатория плазменной эмиссионной электроники (заведующие: П. М. Щанин, до мая 2001 года, а затем Н. Н. Коваль)
- Лаборатория высокочастотной электроники (с 1977 по 1986 год руководил академик С. П. Бугаев , а затем доктор физматнаук В. И. Кошелев)
- Лаборатория вакуумной электроники
- Лаборатория газовых лазеров
- Лаборатория оптических излучений
- Лаборатория низкотемпературной плазмы
- Лаборатория прикладной электроники
- Лаборатория теоретической физики
- Лаборатория плазменных источников
- Конструкторско-технологический отдел
- Группа автоматизации научных исследований
Дирекция
- Директор — Ратахин, Николай Александрович , академик РАН , профессор, доктор физико-математических наук
-
Зам. директора по научной работе:
- Турчановский Игорь Юрьевич, кандидат физико-математических наук
- Коваль Николай Николаевич, доктор технических наук
-
Научный руководитель
- Месяц, Геннадий Андреевич , академик РАН , профессор
См. также
Примечания
- ↑ . Дата обращения: 9 октября 2010. 30 марта 2017 года.
- ↑ от 30 ноября 2009 на Wayback Machine История Института сильноточной электроники СО РАН]
- . Дата обращения: 15 января 2023. 3 июня 2022 года.
- . Белсат . Дата обращения: 15 января 2023.
- . ПРАВО . Дата обращения: 15 января 2023. 15 января 2023 года.
- . Война и санкции . Дата обращения: 15 января 2023. 15 января 2023 года.
- . Дата обращения: 9 октября 2010. 2 марта 2014 года.
- Гуревич В. И. «Микропроцессорные реле защиты. Устройства. Проблемы. Перспективы.» «Инфра-Инженерия», 2011 г.
- . Дата обращения: 9 октября 2010. 28 октября 2009 года.
- . Дата обращения: 24 октября 2018. 24 октября 2018 года.
- . Дата обращения: 9 октября 2010. 28 октября 2009 года.
- . Дата обращения: 9 октября 2010. 28 октября 2009 года.
- . Дата обращения: 9 октября 2010. 18 апреля 2009 года.
Ссылки
- от 27 мая 2010 на Wayback Machine
- 2021-12-15
- 1