Сверхрешётка — в физике полупроводников — твердотельная структура, в которой помимо кристаллической решётки имеется дополнительный периодический потенциал, период которого существенно превышает постоянную решётки .

Виды сверхрешёток

Различают следующие виды сверхрешёток:

• Композиционные сверхрешётки — эпитаксиально выращенные периодически чередующиеся тонкие слои полупроводников с различной шириной запрещённой зоны .
• Легированные сверхрешётки — периодический потенциал образуется путём чередования ультратонких слоёв n- и p-типов полупроводника, которые отделяются друг от друга нелегированными слоями .
• Спиновы́е сверхрешётки — образованные периодическим чередованием слоёв одного и того же полупроводника. Одни слои легируются немагнитными примесями, а другие — магнитными. Без магнитного поля энергетическая щель во всей сверхрешётке постоянна, периодический потенциал возникает при наложении магнитного поля .
• Сверхрешётки, сформированные в двумерном электронном слое (например в системе : металл-диэлектрик-полупроводник) путём периодической модуляции плоскости поверхностного заряда.
• Сверхрешётки, потенциал в которых создаётся периодической деформацией образца в поле мощной ультразвуковой или стоячей световой волны.

Наряду со сверхрешётками из полупроводников, существуют также магнитные сверхрешётки и сегнетоэлектрические сверхрешётки.

Первооткрывателями твердотельных полупроводниковых сверхрешёток являются Тсу и Эсаки .

Применение

В микроэлектронике сверхрешётки применяются для создания генераторных, усилительных и преобразовательных устройств в милли- и субмиллиметровом диапазоне волн. Переход к использованию элементов микроэлектроники на основе сверхрешёток необходим при размерах элементов менее 0,3 мкм, когда традиционные транзисторные структуры окажутся неработоспособными ^{[ привести цитату? 1266 дней ]} из-за фундаментальных физических ограничений

Примечания

См. также

• Осцилляции Блоха

Литература

• R. Tsu and L. Esaki. Tunneling in a finite superlattice (англ.) // Applied Physics Letters . — 1973. — Vol. 22 . — P. 562 . — doi : .
• Бузанева Е. В. Микроструктуры интегральной электроники. — М. : Радио и связь, 1990. — 304 с.

Это заготовка статьи по физике . Помогите Википедии, дополнив её.