Фосфорен
Общие
Наименование	Фосфорен
Традиционные названия	Монослой фосфора
Методы получения	Механическое расщепление
Структура
Кристаллическая структура	Орторомбическая решётка
Постоянная решётки	[0,44, 0,33] нм
Химические свойства
Химическая формула	P n
Известные соединения
Электронные свойства
Эффективная масса электронов	0,26 m 0
Эффективная масса дырок	0,34 m 0
Зонная структура
Проводящие свойства	Полупроводник
Ширина запрещённой зоны	1,75 эВ

Фосфорен — двумерная аллотропная модификация фосфора , которая получается из чёрного фосфора разделённого на моноатомные слои. Структура фосфорена похожа на более известное соединение — графен , что нашло отражение в названии. В отличие от графена фосфорен является полупроводником с запрещённой зоной равной 1,75 эВ . Впервые фосфорен получен в 2014 году методом механического расщепления . Графен и фосфорен единственные стабильные простые вещества которые можно получить расщепляя трёхмерные кристаллы .

Транспортные измерения образцов, осаждённых на окисленную кремниевую подожку, показали что фосфорен обладает анизотропной проводимостью, а именно эффективная масса электрона зависит от направления его движения в кристалле. Фосфорен обладает p-типом проводимости, что позволило реализовать CMOS инвертор на фосфорене и транзисторе n-типа сделанным из MoS ₂ .

Примечания

Литература

• Xia F., Wang H., Jia Y. Rediscovering black phosphorus as an anisotropic layered material for optoelectronics and electronics (англ.) // Nature Communications : journal. — Nature Publishing Group , 2014. — Vol. 5 . — P. 4458 . — doi : . — arXiv : .
• Liu H., Neal A. T., Zhu Z., Luo Z., Xu X., Tománek D., Ye P. D. Phosphorene: An Unexplored 2D Semiconductor with a High Hole Mobility (англ.) // : journal. — 2014. — Vol. 8 , no. 4 . — P. 4033 . — doi : . — arXiv : .
• Li P., Appelbaum I. Electrons and holes in phosphorene (англ.) // Physical Review B : journal. — 2014. — Vol. 90 , no. 11 . — P. 115439 . — doi : . — arXiv : .
• Castellanos-Gomez A. V. et. al. Isolation and characterization of few-layer black phosphorus (англ.) // Two-dimensional materials : journal. — 2014. — Vol. 1 . — P. 025001 . — doi : .
• Li L. et. al. Black phosphorus field-effect transistors (англ.) // Nature Nanotechnology : journal. — 2014. — Vol. 9 , no. 5 . — P. 372—377 . — doi : . — arXiv : .
• Qiao J., Kong X., Hu Z.-X., Yang F., Ji W. High-mobility transport anisotropy and linear dichroism in few-layer black phosphorus (англ.) // Nature Communications : journal. — Nature Publishing Group , 2014. — Vol. 5 . — P. 4475 . — doi : . — arXiv : .
• Rodin A. S., Carvalho A., Castro Neto A. Strain-Induced Gap Modification in Black Phosphorus (англ.) // Physical Review Letters : journal. — 2014. — Vol. 112 , no. 17 . — P. 176801 . — doi : . — arXiv : .
• Low T., Roldan R. et. al. Plasmons and Screening in Monolayer and Multilayer Black Phosphorus (англ.) // Physical Review Letters : journal. — 2014. — Vol. 113 . — P. 106802 . — doi : . — arXiv : .
• Low T., Engel M. et. al. Origin of photoresponse in black phosphorus phototransistors (англ.) // : journal. — 2014. — Vol. 90 . — P. 081408 . — doi : . — arXiv : .
• Low T., Rodin A. S., Carvalho A., Jiang Y., Wang H., Xia F., Castro Neto A. H. Tunable optical properties of multilayer black phosphorus thin films (англ.) // Physical Review B : journal. — 2014. — Vol. 90 . — P. 075434 . — doi : . — arXiv : .
• Zhu Z., Tomanek D. Semiconducting layered blue phosphorus: A computational study (англ.) // : journal. — 2014. — Vol. 112 , no. 17 . — P. 176802 . — doi : .
• Reich S. E. (англ.) // Nature : journal. — 2014. — Vol. 506 , no. 19 . — P. 19 . — doi : .
• Island J. O., Steele G. A., van der Zant H. S. J., Castellanos-Gomez A. Environmental instability of few-layer black phosphorus (англ.) // Two-dimensional materials : journal. — 2015. — Vol. 2 . — P. 011002 . — doi : .