Interested Article - Верхний затвор (графен)
ashanti
- 2020-10-20
- 1
Верхний затвор — затвор, который находится над образцом с противоположной от подложки стороны. Терминология сложилась на данный момент в технологии, связанной с графеном для того, чтобы отличать от затвора, в качестве которого служит высоколегированая кремниевая подложка. Ситуация с названиями противоположна в графене и МОП -транзисторах, поскольку в последнем случае обычно отсутствует обратный затвор .
Графен находится на поверхности SiO 2 /Si, ничем не ограничен сверху, поэтому для создания верхнего затвора сначала наносят диэлектрический слой, а потом напыляют металл. В самой первой работе использовали в качестве диэлектрика SiO 2 . Выбор диэлектрика может влиять на подвижность носителей тока в графене благодаря зарядам или дефектам в его структуре. Среди других материалов, использованных в качестве диэлектрика, существуют: PMMA , Al 2 O 3 , HfO 2 .
В идеале можно обойтись без диэлектрика вообще и использовать подвешенный верхний затвор, который не влияет на подвижность .
Примечания
- Lemme M. C. et. al. A Graphene Field-Effect Device IEEE Electron Dev. Lett. 28 , 282 (2007) doi :
- Huard B. et. al. Transport Measurements Across a Tunable Potential Barrier in Graphene Phys. Rev. Lett. 98 , 236803 (2007) doi :
- Williams J. R. et. al. Quantum Hall Effect in a Gate-Controlled p-n Junction of Graphene Science 317 , 638 (2007) doi :
- Özyilmaz B. et. al. Electronic transport in locally gated graphene nanoconstrictions Appl. Phys. Lett. 91 , 192107 (2007) doi :
- Gorbachev R. V. et. al. Conductance of p-n-p Graphene Structures with “Air-Bridge” Top Gates Nano Lett., 8 , 1995 (2008) doi :
- Fabrication of graphene p-n-p junctions with contactless top gates Appl. Phys. Lett. 92 , 203103 (2008) doi :
ashanti
- 2020-10-20
- 1
