Interested Article - Транзистор с высокой подвижностью электронов

Транзистор с высокой подвижностью электронов ( ТВПЭ , HEMT ) — полевой транзистор , в котором для создания канала используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (вместо легированной области как у обычных МОП -транзисторов) . В отечественной и зарубежной литературе такие приборы часто обозначают HEMT — от англ. . Также в зависимости от структуры используются аналогичные названия: , HEMFET , , TEGFET , SDHT . Другие названия этих транзисторов: полевые транзисторы с управляющим переходом металл — полупроводник и гетеропереходом, ГМеП транзисторы, полевые транзисторы с модулированным легированием, селективно-легированные гетероструктурные транзисторы (СЛГТ) [ источник не указан 3396 дней ] .

История создания

Изобретателем ТВПЭ обычно считается ( яп. ; Fujitsu , Япония) . Однако Рэй Дингл и его сотрудники из Bell Laboratories также внесли значительный вклад в изобретение ТВПЭ.

Структура

Структура HEMT-транзистора в сечении

На рисунке представлена структура HEMT-транзистора в разрезе. На полуизолирующей подложке арсенида галлия (GaAs) выращивается нелегированный буферный слой GaAs. На нем наращивается тонкий слой полупроводника с иной шириной запрещенной зоны — InGaAs , такой, что образуется область двумерного электронного газа (2DEG). Сверху слой защищается тонким спейсером на основе арсенида алюминия-галлия Al x Ga 1−x As (далее AlGaAs ). Выше следуют легированный кремнием слой n-AlGaAs и сильнолегированный слой n + -GaAs под контактными площадками стока и истока. Контакт затвора приближен к области двумерного электронного газа.

Распространенными материалами для ТВПЭ является комбинация GaAs и AlGaAs, хотя возможны и значительные вариации в зависимости от назначения устройства. Например, приборы с повышенным содержанием индия в общем случае показывают лучшую производительность на высоких частотах, в то время как в последние [ когда? ] годы наблюдается массовый рост научно-исследовательских разработок ТВПЭ на нитриде галлия (GaN), в связи с их лучшей производительностью при высоких мощностях. Существует достаточно много изоструктурных аналогов GaAs — полупроводниковых материалов, имеющих близкий к GaAs период кристаллической решетки . Это позволяет использовать GaAs в качестве основы для создания широкого класса гетероструктурных транзисторов , обладающих выдающимися характеристиками. Параметры некоторых из таких материалов приведены в таблице 1.


Таблица 1. Параметры некоторых полупроводниковых материалов, применяемых для создания гетероструктур на основе GaAs.

Полупроводник Параметр решетки
, нм
Ширина запрещенной зоны
, эВ
Подвижность электронов
, см 2 /В·с
Подвижность дырок
, см 2 /В·с
GaAs 0,5654 1,42 8500 420
AlAs 0,5661 2,95 н/д н/д
Ge 0,5658 0,67 3800 1820
InP 0,5869 1,26 4600 150
InAs 0,6057 0,35 27000 450
AlSb 0,6135 2,5 н/д н/д
InSb 0,6479 0,17 78000 750

Помимо приведенных в таблице, для создания гетероструктур широко применяются различные твердые растворы (Al x Ga 1−x As, Ga x In 1−x As, Ga x In 1−x P, Al x In 1−x As и другие).

Создание гетероперехода в ТВПЭ

Обычно для создания гетероперехода выбираются материалы с одинаковым параметром кристаллической решётки (расстояниями между атомами). По аналогии, представьте, что вы сцепляете две расчёски с немного отличающимся шагом между зубчиками. Через какие-то определённые интервалы будет происходить наложение двух зубьев друг на друга. В полупроводниках такие несоответствия играют роль «ловушек» носителей и существенно ухудшают производительность приборов. В реальности практически невозможно подобрать пару разных п/п, у которых было бы идеальное согласование и кристаллических структур , и коэффициентов термического расширения . Поэтому на границе раздела гетероперехода обычно возникают механические напряжения , которые вызывают появление дислокаций несоответствия, создающих на границе раздела граничные состояния. Даже у такой хорошо согласующейся пары как Ge и GaAs присутствует пластическая деформация . Поэтому для создания структуры используются твердые растворы . Например, замена Ge на твердый раствор Ge 0,98 Si 0,02 приводит к снижению напряжений на границе раздела до уровня, исключающего возможность пластической деформации GaAs, и улучшает характеристики гетероперехода: у него резко уменьшается обратный ток.

В HEMT транзисторах чаще всего применяют гетеропереход GaAs-AlGaAs. С увеличением относительного содержания Al в твердом растворе AlGaAs плавно увеличивается ширина запрещенной зоны. Для состава с х = 0,3 ∆E з = 1,8 эВ различие в ширине запрещённой зоны составляет ~0,38 эВ. Вследствие хорошего соответствия кристаллических решёток GaAs и AlGaAs в гетеропереходе обеспечивается низкая плотность поверхностных состояний и дефектов. По этим причинам для электронов, накопленных в области накопления затвора, в слабых электрических полях достигается очень высокая подвижность, близкая к объёмной подвижности для нелегированного GaAs [(8..9)⋅10 3 см 2 /В•с при Т = 300 К]. Причём эта подвижность резко увеличивается при понижении температуры, так как в нелегированном GaAs преобладает решётчатое рассеяние.

Также подвижность электронов в канале увеличивается благодаря дополнительной прослойке (спейсеру) между каналом GaAs и барьером AlGaAs. Спейсер — тонкий (несколько нм) разделительный слой нелегированного Al x Ga 1-x As. Он способствует лучшему пространственному разделению двумерного электронного газа и рассеивающих центров между нелегированным GaAs и легированным донорами Al x Ga 1-x As. Концентрация рассеивающих центров в нелегированном слое ниже, чем в легированном, поэтому подвижность электронов, накопленных в области насыщения затвора, дополнительно увеличивается. В этом случае волновая функция электронов в канале не проникает в барьер, а затухает в спейсере. При этом уменьшается рассеяние носителей на барьере. Введение спейсера также улучшает омический контакт, что приводит к повышению предельной рабочей частоты почти до теоретического предела.

Равновесная энергетическая диаграмма гетероперехода между нелегированным GaAs и легированным донорными примесями, например, Si, Al x Ga 1-x As

В нелегированном GaAs уровень Ферми располагается почти посередине запрещённой зоны, а в легированном Al x Ga 1-x As вблизи дна зоны проводимости (Е с ). В GaAs у границы раздела 5 2-х п/п образуется область 3 с минимальной энергией электронов. В эту область из п/п с более широкой запрещенной зоной «скатываются» свободные электроны ионизированных атомов примеси. В результате произойдет пространственное разделение электронов и компенсирующих их ионизованных атомов примеси. Электроны, накопленные в области 3, находятся в потенциальной яме и в слабых электрических полях могут перемещаться только вдоль границы 5 в плоскости, перпендикулярной плоскости рисунка. Поэтому совокупность электронов в области 3 и называют двумерным электронным газом , подчеркивая тем самым, что в слабых полях эти е не могут перемещаться в третьем измерении, то есть переходить, например, из области 3 в область 4, так как этому препятствует потенциальный барьер ∆Е с ≈ (0,6 ÷ 0,65)(∆Е з2 — ∆Е з1 ).

Температурная зависимость подвижности электронного газа. 1 — гетероструктура; 2 — GaAs. На рисунке 2 (кривая 1) показана температурная зависимость подвижности электронного газа, полученная в этом случае. При температурах жидкого азота (77 К) и жидкого гелия (4 К) μn соответственно возрастает до 1,4⋅10 5 и 2⋅10 6 см²/В•с. На этом же рисунке (кривая 2) показана температурная зависимость μn в GaAs с концентрацией Nд = 10 17 см −3 .

Псевдоморфный гетеропереход

ТВПЭ, в котором правило соответствия параметра кристаллической решётки слоёв гетероперехода не соблюдается, называется псевдоморфным (пТВПЭ или pHEMT). Для этого слой одного из материалов делается очень тонким — настолько, что его кристаллическая решётка попросту растягивается до соответствия другому материалу. Такой способ позволяет изготавливать структуры с увеличенной разницей в ширине запрещенной зоны, что недостижимо другими путями. Такие приборы обладают улучшенной производительностью.

Метаморфный гетеропереход

Другой способ совмещения материалов с разными решётками — помещение между ними буферного слоя. Это применяется в метаморфном ТВПЭ (мТВПЭ или mHEMT). Буферный слой представляет собой AlInAs, с концентрацией индия подобранной таким образом, что решётка буферного слоя может быть согласована как подложкой GaAs, так и с каналом InGaAs. Преимуществом такой структуры является возможность выбора практически любой концентрации индия для создания канала, то есть прибор может быть оптимизирован для различных применений (низкая концентрация индия обеспечивает низкий шум , а высокая — бо́льшую степень усиления).

Принцип действия

Зонная диаграмма HEMT-транзистора

В общем случае, для создания проводимости в полупроводниках используются легирующие примеси. Однако, получаемые электроны проводимости испытывают столкновения с примесными остовами, что отрицательно сказывается на подвижности носителей и быстродействии прибора. В ТВПЭ этого удается избежать за счет того, что электроны с высокой подвижностью генерируются на гетеропереходе в области контакта высоколегированного донорного слоя N-типа с широкой запрещенной зоной (в нашем примере AlGaAs) и нелегированного канального слоя с узкой запрещенной зоной без каких-либо легирующих примесей (в данном случае GaAs).

Электроны, образующиеся в тонком слое N-типа, полностью перемещаются в слой GaAs, обедняя слой AlGaAs. Обеднение происходит из-за изгиба потенциального рельефа в гетеропереходе — между полупроводниками с разной шириной запрещенной зоны образуется квантовая яма . Таким образом, электроны способны быстро передвигаться без столкновений с примесями в нелегированном слое GaAs. Образуется очень тонкая прослойка с большой концентрацией высокоподвижных электронов, обладающих свойствами двумерного электронного газа (ДЭГ). Сопротивление канала очень низкое, и подвижность носителей в нём высока.

Так же, как в других типах полевых транзисторов, приложенное к затвору ТВПЭ напряжение изменяет проводимость канального слоя.

Принцип действия ТВПЭ — транзистора аналогичен принципу действия МеП-транзистора. Между металлическим затвором и расположенным под ним слоем из AlGaAs, образуется управляющий переход Металл - Полупроводник (далее по тексту Ме — п/п). Обедненная область этого перехода располагается, в основном, в слоях AlGaAs. Канал нормально открытого транзистора при формируется в слое нелегированного GaAs на границе гетероперехода в области накопления двумерного электронного газа. Под действием управляющего напряжения изменяется толщина обедненной области перехода Ме — п/п, концентрация электронов в ДЭГ и ток стока. Электроны поступают в область накопления из истока. При достаточно большом (по модулю) отрицательном обедненная область расширяется настолько, что перекрывает область насыщения электронов. Ток стока при этом прекращается.

В нормально закрытом транзисторе вследствие меньшей толщины верхнего слоя AlGaAs при проводящий канал отсутствует, так как область насыщения двумерного электронного газа перекрыта обедненной областью управляющего перехода. Канал возникает при некотором положительном , когда обедненная область управляющего перехода сужается настолько, что её нижняя граница попадает в область накопления электронов.

Характеристики

Стокозатворные характеристики нормально открытого (1) и нормально закрытого (2) транзисторов приведены на рисунке 4. Благодаря высокой подвижности электронов и малой практически во всем диапазоне U gs достигается насыщение дрейфовой скорости электронов в канале (V sat ) и наблюдается линейная зависимость I c от U gs .

где — критическая напряжённость поля;

где — сопротивление истока, .

Для кривой (1) S*/b = 117 мСм/мм, для кривой (2) — 173 мСм/мм. Большее значение крутизны н.з. транзистора обусловлено меньшей толщиной легированного донорами Al x Ga 1-x As.

Важным достоинством HEMT транзисторов, по сравнению со структурой МеП транзисторов являются меньшая плотность поверхностных состояний на границе между Al x Ga 1-x As и диэлектриком, и большая высота барьера Шоттки (φ 0g ≈ 1 В). Вследствие меньшей плотности поверхностных состояний уменьшается отрицательный поверхностный заряд и толщина обеднённых областей в промежутках ИСТОК — ЗАТВОР и ЗАТВОР — СТОК. Это позволяет получить меньшие паразитные сопротивления обеднённых областей без самосовмещения. Вследствие большей высоты барьера Шоттки, для HEMT транзисторов возможно большее (до 0,8 В) прямое напряжение U gs , что особенно важно для нормально закрытых транзисторов, рабочие напряжения на затворах которых могут изменяться лишь в узком диапазоне, ограниченном сверху напряжением управляющего перехода Ме — п/п. Импульсные и частотные свойства HEMT транзисторов в основном определяются временем пролёта электронов через канал, где они движутся со скоростью насыщения: . При Т = 300 К ≈ 2∙10 7 см/с. При понижении температуры скорость насыщения увеличивается по закону ~ 1/Т. Одним из важнейших параметров, характеризующих семейство логических ИМС , является произведение быстродействия на мощность ( ), представляющее собой произведение мощности, рассеиваемой одним вентилем, на время задержки в этом вентиле. Другой сравнительной характеристикой служит произведение мощности, рассеиваемой одним вентилем, на квадрат времени задержки в этом вентиле ( ), что представляет собой произведение энергии на время. В таблице 2 приведены сравнительные характеристики КМОП, МеП, HEMT ИМС при комнатной температуре.


Таблица 2. Сравнительные характеристики КМОП, МеП, HEMT ИМС при комнатной температуре.

Тип транзистора l к , мкм (L g , мкм) Р, мВт/вент , нс , Дж∙10 −15 (фДж) , Дж∙с∙10 −26
МеП 0,3 0,75 16 12 19,2
HEMT 1,0 1,1 12,2 13,4 16,4
КМОП 1,0 1,8 50 90 450

Основными недостатками ТВПЭ являются инерционность затвора и подзатворный пробой .

Применение

Область применения ТВПЭ, как и ( англ. MESFET ) — связь в микроволновом и миллиметровом диапазоне длин волн, радары и радиоастрономия , от мобильных телефонов и широкополосных спутниковых ресиверов до систем электронного обнаружения — то есть любые устройства, в которых требуется высокая степень усиления сигнала и низкий шум на больших частотах. ТВПЭ способны производить усиление по току при частотах выше 600 ГГц и по мощности при частотах более 1 ТГц. В апреле 2005 г. были продемонстрированы ( англ. HBT ) с усилением по току на частотах более 600 ГГц. В январе 2010 г. группа ученых из Японии и Европы представила терагерцовый ТВПЭ с рабочей частотой (при полной ширине половины пика FWHM) 2,5 ТГц

Несколько компаний во всем мире разрабатывают и производят приборы на основе ТВПЭ. Это могут быть отдельные транзисторы, но чаще приборы выпускаются в форме монолитной интегральной схемы (СВЧ МИС, англ. MMIC ).

Примечания

  1. (недоступная ссылка)
  2. Mimura, T. The early history of the high electron mobility transistor (HEMT) . IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 50 3 780—782 (2002). doi: 10.1109/22.989961
  3. (недоступная ссылка)
  4. от 1 января 2010 на Wayback Machine // Кафедра Физики и Технологии Наноструктур, ФТИ им. А. Ф. Иоффе (недоступная ссылка) 7 декабря 2008.
  5. от 24 апреля 2010 на Wayback Machine (англ.) // Semiconductor Today (28 January 2010)

См. также

Литература

  • Sheng S. Li. Semiconductor Physical Electronics. — Second Edition. — Springer, 2006. — 708 с. — ISBN 978-0387-28893-2 .

Ссылки

  • .
Источник —

Same as Транзистор с высокой подвижностью электронов