Ви́ктор Я́ковлевич Принц ( 21 апреля 1950 , Тавда , Свердловская область — 24 июня 2021 , Новосибирск , Новосибирская область ) — советский и российский физик , доктор физико-математических наук (2005), член-корреспондент РАН (2019) . Специалист в области полупроводников и нанотехнологий . Занимался вопросами диагностики и контроля качества многослойных структур . Разработал технологию создания трёхмерных наноструктур из планарных гетероструктур , состоящих из полупроводников, металлов, диэлектриков и двумерных материалов. Инициировал работы по созданию самоформирующихся массивов трёхмерных наноструктур: монокристаллических нанонитей и нанокристаллов со встроенными металлическими наноиглами .

Биография

Родился 21 апреля 1950 года в городе Тавде Свердловской области .

В 1972 году окончил Новосибирский государственный университет по специальности «физика» . С этого же года начал работать в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН в должностях младшего, затем старшего научного сотрудника . В 1981 году защитил кандидатскую диссертацию «Исследование электрически активных центров в арсениде галлия и твёрдых растворах на его основе методами ёмкостной спектроскопии» под руководством . В начале 1980-х годов В. Я. Принц занимался прикладными исследованиями, связанными с микроэлектроникой. В частности, решал проблему контроля качества полупроводниковых материалов, используемых для создания интегральных схем и СВЧ полевых транзисторов .

С 1992 года — заведующий лабораторией физики и технологии трёхмерных наноструктур . В начале 1990-х годов заинтересовался напряжёнными плёнками полупроводников и исследовал управляемые трещины в них . Разработка технологии сворачивания напряжённых двойных слоёв привела к появлению нового раздела наномеханики в 2000 году, которое впоследствии получило в русскоязычной литературе название Принц-технологии . 18 октября 2005 года защитил докторскую диссертацию «Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряжённых гетероструктур» (официальные оппоненты — , Н. Ф. Морозов ,).

Являлся экспертом по физике и нанотехнологии « Сколково », РФФИ , группы ОНЭКСИМ , входил в федеральный реестр экспертов ФГБНУ НИИ РИНКЦЭ . На протяжении многих лет являлся рецензентом журналов издательства IOP Publishing . Член редколлегии научного журнала ISRN Nanotechnology .

Автор 140 научных работ, 34 патентов и 4 монографий (согласно другим данным: 240 статей и 120 патентов ). По состоянию на сентябрь 2023 года имел более 2700 цитирований ( Web of Science ) своих работ . Индекс Хирша (2023) — 23 .

Умер 24 июня 2021 года от COVID-19 . Похоронен на Южном кладбище Новосибирска .

Научный вклад

полупроводников с составом типа A _x C _1-x B (например, In _0,25 Ga _0,75 As) имеют отличающуюся от полупроводников A ^III B ^V (например, GaAs , InAs ) постоянную решётки , поэтому при эпитаксиальном росте в таких структурах возникают сильные механические напряжения . Такой рост называют псевдоморфным и существует критическая толщина плёнки, при которой она остаётся согласованной по постоянной решётке с подложкой . Для пары материалов GaAs и InAs разница в постоянных решётки достигает 7,2 %, то есть возможно вырастить напряжённую плёнку толщиной только в несколько монослоёв на подложке InP . GaAs и InAs подстраиваются под постоянную решётки InP, в результате формируя биплёнку , состоящую из сжатого слоя InAs и растягнутого — GaAs. В. Я. Принц предложил использовать биплёнки с асимметричным напряжением, выращенных на InP подложке с дополнительным тонким слоем AlAs, расположенным между подложкой и псевдоморфной плёнкой . Этот метод получил название Принц-технология . Если удалить (AlAs) посредством селективного травления , релаксация напряжений в бислое приводит к сворачиванию структуры, формируя свиток с диаметром порядка ${\displaystyle D\approx da/\Delta a\,,}$ где d — толщина биплёнки, a — постоянная решётки, Δa — разница в постоянных решётки между двумя слоями плёнки . Полученные свитки имели диаметр в диапазоне между 3 нм и 10 мкм. Из-за анизотропии модуля Юнга, ориентируя узкие полоски бислоёв на подложках, можно создавать спирали и кольца . Управляя составом (постоянной решёткой) и толщиной бислоя, можно управлять размером трёхмерных наноструктур. В 2001 году были продемонстрированы различные свободные трёхмерные массивы наноструктур на основе Ge _x Si _1-x псевдоморфных плёнок .

В лаборатории В. Я. Принца изучался диоксид ванадия , который может испытывать фазовый переход из проводника в диэлектрик при комнатной температуре, при котором меняются параметры его кристаллической структуры на один процент, что вызывает формирование больших напряжений и приводит к разрушению кристаллов. Создавая малую площадь кремниевой подложки и фиксируя температуру роста VO ₂ около 460 °C, можно получить монокристаллы диоксида ванадия на остриях кремниевых игл .

Статьи

Основные статьи

• Prinz V. Ya., Seleznev V. A., Gutakovsky A. K., Chehovskiy A. V., Preobrazhenskii V. V., Putyato M. A., Gavrilova T. A. (англ.) // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. — 2000. — Vol. 6 . — P. 828—831 . — doi : .
• Golod S. V., Prinz V. Ya., Mashanov V. I., Gutakovsky A. K. (англ.) // Semiconductor Science and Technology. — 2001. — Vol. 16 . — P. 181 . — doi : .
• Prinz V. Ya., Grützmacher D., Beyer A., David C., Ketterer B., Deckardt E. (англ.) // Nanotechnology. — 2001. — Vol. 12 . — P. 399 . — doi : .
• Prinz V. Ya. (англ.) // Microelectronic engineering. — 2003. — Vol. 69 . — P. 466—475 . — doi : .
• Prinz V. Ya., Seleznev V. A., Gutakovsky A. K. Self-formed InGaAs/GaAs Nanotubes: Concept, Fabrication, Properties // : [ англ. ] / David Gershoni. — Singapore : World Scientific, 1999. — P. 332. — ISBN 9810240309 . — doi : .

Статьи на русском языке

• Фрицлер К. Б., Принц В. Я. // УФН . — 2019. — Т. 189 . — С. 55—71 . — doi : .
• Принц В. Я. Самоформирующиеся прецизионные 3D наноструктуры для будущих проборов наноэлектроники и наномеханики // Нанотехнологии в полупроводниковой электронике (рус.) / Под ред. А. Л. Асеева . — Новосибирск: Сибирское отделение Российской академии наук , 2004. — С. 85—120. — 368 с. — 500 экз. — ISBN 5-7692-0680-2 .

Диссертации

• Принц В. Я. . — Новосибирск, 2005. — 368 с.
• Принц В. Я. . — Новосибирск, 1980. — 214 с.

Примечания

Литература

• Драгунов В. П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Основы наноэлектроники: Учебное пособие. — 2-е изд. — Логос, 2006. — С. 494. — ISBN 5-98704-054-X .

Ссылки

• на официальном сайте РАН
• (рус.) . . Институт физики полупроводников СО РАН . Дата обращения: 18 июля 2021.
• Уткина С. (рус.) . . VN.RU (5 марта 2009). Дата обращения: 18 июля 2021.
• Бобренок Н. (рус.) . . Наука в Сибири (24 мая 2018). Дата обращения: 18 июля 2021.
• (рус.) . . Наука в Сибири (3 ноября 2010). Дата обращения: 18 июля 2021.
• Роговая М. // В мире нано. — 2010. — Т. 6 . — С. 40—41 .
• на YouTube
• (англ.) . . ORCID . Дата обращения: 18 июля 2021.
• (англ.) . . Google Scholar . Дата обращения: 18 июля 2021.