Interested Article - Са Чжитан

Са Чжита́н ( англ. Chih-Tang (Tom) Sah , кит. трад. 薩支唐 , упр. 萨支唐 , пиньинь Sà Zhītáng , р. 10 ноября 1932) — китайский и американский учёный, почётный член отделения Электрической и Компьютерной инженерии Университета Флориды.

Обрел популярность в физике и технике известной при рассмотрении стандартных МОП-транзисторов, опубликованной в 1964 году. Суть заключается в упрощении рассмотрения режима «сильной инверсии на поверхности полупроводника, возникающей вследствие эффекта поля и позволяющей получить аналитическое решение для вольт-амперных характеристик (ВАХ) МОП-транзисторов». В свою очередь это позволило осмысленно использовать МОП-транзисторы в технике, бурное развитие которой в 70-е годы привело к разработке СБИС (сверхбольших интегральных схем), которые широко используются даже сегодня при производстве микропроцессоров.

Список наград

2004 — Honorary Doctorate, National Chao-Tung University
2003 — Distinguished Lifetime Achievement Award, Chinese Institute of Engineers USA
2002 — Committee-100 Pioneer Recognition Award
2000 — Избран в Китайскую Академию Наук
1999 — Academician, Academia Sinica of China in Taiwan
1999 — Semiconductor Industry Association University Research Award
1998 — University Research Award, U S Semiconductor Industry Association
1995 — Fellow, American Association of Advanced of Science
1995 — IEEE Life Fellow
1994 — Alumni Achievement Award, University of Illinois
В 1989 — IEEE Jack Morton Award
1986 — Избран в Американскую национальную Академию Инженеров
1981 — J. J. Ebers Award, IEEE Electron Device Society
1975 — Doctoris Honoris Causa, K. U. Leuven
1971 — Член Американского Физического Товарищества
1969 — Член Американского Института по Электрики и Электронной Инженерии (IEEE)
1000 world’s Most Cited Scientists, 1865—1978, Институт научной информации

Литература

Примечания

Bibliothèque nationale de France Record #123154056 // (фр.) — Paris: BnF .
↑ (англ.) — 1997.
12 ноября 2007 года.
C. T. Sah, IEEE Trans.Electron Devices ED-11, 324 (1964)
«Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models», B. B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, Август 2007.

Патенты

3,204,160 — Surface Controlled Potential Semiconductor Device, August 1965
3,280,391 — High Frequency Transistor, October 1966
3,243,669 — Surface Controlled Potential Semiconductor Device, March 1969
Patent Pending — DCIV Methodology for Rapid Determination of Reliability of Transistors, with A. Neugroschel
4,343,962 — Oxide Induced Charge High Low Emitter Junction Solar Cell, with J. G. Fossum, S. C. Pao, F. A. Lindholm, 1982