Закон — апроксимированное эмпирическое правило, которое гласит, что существует линейная зависимость при постоянной температуре между свойствами кристаллической решётки сплава и концентрацией отдельных его элементов .

Таким образом, параметры кристаллической решётки ( ${\displaystyle {\mathit {a}}}$ ) твёрдого раствора (сплава) материалов с одинаковой структурой решётки, могут быть найдены путём линейной интерполяции между параметрами решётки исходных соединений, например для твёрдых растворов Si _x Ge _{1- x} и InP _x As _{1- x} :

${\displaystyle {\mathit {a}}_{SiGe}={\mathit {x}}{\mathit {a}}_{Si}+(1-{\mathit {x}}){\mathit {a}}_{Ge}}$

${\displaystyle {\mathit {a}}_{InPAs}={\mathit {x}}{\mathit {a}}_{InP}+(1-{\mathit {x}}){\mathit {a}}_{InAs}}$ .

Можно также расширить это соотношение для определения энергии запрещенной зоны полупроводника. Используя, как и в предыдущем случае, InP _x As _{1- x} , можно найти выражение, которое описывает зависимость энергии запрещенной зоны полупроводника ${\displaystyle {\mathit {E_{g}}}}$ от соотношения её составляющих и параметра ${\displaystyle {\mathit {b}}}$ где ${\displaystyle {\mathit {b}}}$ -параметр прогиба(нелинейности), имеющий тем большее значение, чем сильнее различие периодов решёток компонентов:

${\displaystyle {\mathit {E_{g}}}_{InPAs}={\mathit {x}}{\mathit {E_{g}}}_{InP}+(1-{\mathit {x}}){\mathit {E_{g}}}_{InAs}-{\mathit {bx}}(1-{\mathit {x}})}$

Примечания

См. также

• Изоморфизм