Литография
- 1 year ago
- 0
- 0
Ультрафиолетовая литография ( англ. ultraviolet lithography ) — субмикронная технология , используемая для изготовления полупроводниковых микросхем ; один из подвидов литографического процесса с экспонированием фоторезиста «глубоким» (deep ultra violet — DUV) или сверхжёстким (экстремальным , extreme ultra violet — EUV) ультрафиолетовым излучением .
Ультрафиолетовое излучение с длиной волны 248 нм («глубокий» ультрафиолет) позволяет применять шаблоны с минимальной шириной проводников 100 нм. Рисунок схемы задаётся ультрафиолетовым излучением, которое проходит через маску и фокусируется специальной системой линз , уменьшающей заданный на маске рисунок до микроскопических размеров схемы. Кремниевая пластина перемещается под системой линз так, чтобы были последовательно обработаны все размещённые на пластине микропроцессоры . Ультрафиолетовые лучи проходят через свободные пространства на маске. Под их действием светочувствительный позитивный слой в соответствующих местах пластины становится растворимым и удаляется органическими растворителями. Максимальное разрешение, достигаемое при использовании «глубокого» ультрафиолета, составляет 50-60 нм.
Сверхжёсткое (экстремальное ) ультрафиолетовое излучение (EUV) с длиной волны около 13,5 нм по сравнению с «глубоким» ультрафиолетом обеспечивает почти 20-кратное уменьшение длины волны до величины, сопоставимой с толщиной слоя в несколько десятков атомов . EUV-литография делает возможной печать линий шириной до 30 нм и формирование элементов структуры электронных микросхем размером менее 45 нм. EUV-литография предполагает использование систем специальных выпуклых зеркал, которые уменьшают и фокусируют изображение, полученное после применения маски. Такие зеркала представляют собой наногетероструктуры и содержат до 80 отдельных металлических слоев (каждый толщиной примерно в 12 атомов), благодаря чему они не поглощают, а отражают сверхжёсткое ультрафиолетовое излучение.