Параметры Латтинжера — безразмерные параметры, характеризующие дисперсию валентных зон полупроводника в рамках подхода Кона-Латтинжера. Введены Латтинжером в 1956 году при записи эффективного ${\displaystyle (\mathbf {k} \cdot \mathbf {p} )}$ -гамильтониана для Ge и Si в магнитном поле .

Определение

Шестикратно вырожденная валентная зона в полупроводниках структуры цинковой обманки расщепляется в результате спин-орбитального взаимодействия на двукратно вырожденную СО-зону и четырёхкратно вырожденную зону, порождающую ветви легких и тяжелых дырок . В эффективном гамильтониане ${\displaystyle \mathbf {D} }$ , записанном для зоны ${\displaystyle \Gamma _{15}}$ , участвуют три независимых безразмерных параметра ${\displaystyle \gamma _{1}}$ , ${\displaystyle \gamma _{2}}$ , ${\displaystyle \gamma _{3}}$ , называемые параметрами Кона-Латтинжера:

${\displaystyle \mathbf {D} ={\dfrac {\hbar ^{2}}{2m}}\left[\left(\gamma _{1}+{\frac {5}{2}}\gamma _{2}\right)\mathbf {k} ^{2}-2\gamma _{2}\left(\mathbf {k} \cdot \mathbf {J} \right)^{2}-2\gamma _{3}\left(\sum _{i=1}^{3}\left\{\mathbf {k} _{\alpha _{i}},\mathbf {k} _{\beta _{i}}\right\}\left\{\mathbf {J} _{\alpha _{i}},\mathbf {J} _{\beta _{i}}\right\}\right)+D^{\left(A\right)}\right],}$

где ${\displaystyle D^{\left(A\right)}={\frac {e}{c}}\kappa \ \mathbf {J} \cdot \mathbf {H} +{\frac {e}{c}}q\left(\mathbf {J} _{x}^{3}\mathbf {H} _{x}+\mathbf {J} _{y}^{3}\mathbf {H} _{y}+\mathbf {J} _{z}^{3}\mathbf {H} _{z}\right)}$ — релятивистский член, ${\displaystyle \mathbf {J} }$ — оператор матрицы углового момента для состояния со спином 3/2, ${\displaystyle \mathbf {H} }$ — магнитное поле, ${\displaystyle \kappa }$ , ${\displaystyle q}$ — безразмерные постоянные. Знак суммы означает сумму по циклическим перестановкам ${\displaystyle \alpha _{i}=x,y,z}$ , ${\displaystyle \beta _{i}=y,z,x}$ .

Безразмерные параметры, аналогичные параметрам Латтинжера, появляются при записи эффективных гамильтонианов для других зон и симметрий. Например, в 8-зонном гамильтониане Кейна они называются параметрами Кейна.

Связь с эффективной массой

В структурах кубической сингонии, вблизи точки ${\displaystyle \Gamma }$ :

• масса тяжелых дырок: ${\displaystyle m_{\mathrm {hh} }={\frac {m_{0}}{\gamma _{1}-2\gamma _{2}}}}$
• масса легких дырок: ${\displaystyle m_{\mathrm {lh} }={\frac {m_{0}}{\gamma _{1}+2\gamma _{2}}}}$

Справочные данные

• GaAs : ${\displaystyle \gamma _{1}}$ = 6,98; ${\displaystyle \gamma _{2}}$ = 2,06; ${\displaystyle \gamma _{3}}$ = 2,93
• InAs : ${\displaystyle \gamma _{1}}$ = 20; ${\displaystyle \gamma _{2}}$ = 8,5; ${\displaystyle \gamma _{3}}$ = 9,2
• InP : ${\displaystyle \gamma _{1}}$ = 5,08; ${\displaystyle \gamma _{2}}$ = 1,60; ${\displaystyle \gamma _{3}}$ = 2,10

Примечания

Литература

• Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников. М. — Физматлит, 2002. с. 87.