Interested Article - Гощицкий, Борис Николаевич

Бори́с Никола́евич Гощицкий ( 2 февраля 1931 , Киев — 10 июля 2019 , Екатеринбург ) — советский и российский физик , специалист в области радиационной физики твёрдого тела и нейтронных исследований вещества, член-корреспондент РАН (2000), лауреат премии имени А. Г. Столетова

Биография

Родился 2 февраля 1931 года в Киеве .

В 1955 году окончил физико-технический факультет Уральского политехнического института .

С 1955 по 1965 годы — работа в отраслевом НИИ Минсредмаша СССР, где занимался изучением процессов разделения изотопов газодиффузионным методом. По результатам этих исследований в 1961 году защитил кандидатскую диссертацию.

С 1965 года — работа в Институте физики металлов УрО РАН , пройдя последовательно должности старшего научного сотрудника, заведующего лабораторией радиационной физики и нейтронной спектроскопии, заведующего отделом работ на атомном реакторе.

В 1981 году — защита докторской диссертации, а в 1988 году — присвоено ученое звание профессора.

В 2000 году — был избран членом-корреспондентом РАН.

Скончался 10 июля 2019 года в Екатеринбурге. Похоронен на Широкореченском кладбище .

Научная деятельность

Создатель нового научного направления по изучению фундаментальных физических свойств упорядоченных кристаллов методами радиационного разупорядочения.

Обнаружил новое физическое явление — универсальную зависимость температуры фазового перехода второго рода от концентрации новой разупорядоченной фазы. Им предложен и внедрен в практику научных исследований уникальный физически «чистый» метод изучения электронных состояний в кристаллах — радиационное разупорядочение без изменения стехиометрического состава и макрооднородности образцов.

Один из первых исследователей в СССР высокотемпературной сверхпроводимости. Под его руководством в чрезвычайно короткие сроки после появления зарубежных сообщений на эту тему были синтезированы одни из первых в стране новые сверхпроводники и начаты всесторонние исследования их фундаментальных физических свойств в ряде институтов СССР.

Гощицкий совместно с сотрудниками впервые обнаружил в высокотемпературных сверхпроводниках экспоненциальную зависимость электросопротивления от концентрации радиационных дефектов атомного масштаба и исчезновение сверхпроводимости в орторомбической фазе в присутствии таких дефектов. Исследования, которые он провел, выявили характерные особенности новых материалов, имеющие принципиальное значение для построения теории ВТСП .

Один из создателей исследовательского атомного центра на Урале. Под его руководством на атомном реакторе ИВВ-2М создан комплекс, который позволяет проводить облучения быстрыми нейтронами и гамма-квантами различных материалов в интервале температур 80-1000К при разных внешних условиях, а также изучать атомную и магнитную структуру конденсированных сред методами рассеяния тепловых нейтронов в интервале 2-1500К.

При его непосредственном участии и под его руководством разработаны, изготовлены и эксплуатируются такие уникальные установки, как единственный в СНГ канал-криостат для проведения облучений в активной зоне ядерного реактора при температуре жидкого азота, генераторы «холодных» и «горячих» нейтронов, автоматизированные нейтронные диффрактометры и спектрометры.

Член Уральского отделения РАН , председатель Научного совета по радиационной физике твердого тела; председатель Научного совета РАН «Радиационная физика твердого тела».

В соавторстве с другими учеными опубликованы 234 научных труда, в том числе две широко известные монографии: «Структура и магнитные свойства оксидных магнетиков, облученных быстрыми нейтронами» (1986) и «Влияние облучения на физические свойства перспективных сверхпроводников» (1989).

Под его руководством подготовлены и защищены 15 кандидатских диссертаций.

Награды

Заслуженный деятель науки Российской Федерации (27 августа 1992) — за заслуги в научной деятельности
Премия имени А. Г. Столетова (2005) — за цикл работ «Эффекты сильного разупорядочения в высокотемпературных сверхпроводниках: теория и эксперимент»