Характер изменения
I
(
V
)
можно наблюдать на
вольт-амперной характеристике (ВАХ)
(см. рисунок). C точки зрения радиотехники такие элементы являются активными, позволяют преобразовать энергию источника питания в незатухающие колебания, могут использоваться в схемах переключения.
В общем случае отрицательное
внутреннее сопротивление
является функцией напряжения (тока) и частоты
ω
, то есть понятие отрицательного дифференциального сопротивления сохраняет смысл для соответствующих компонент разложения в
ряд Фурье
:
Понятие отрицательного дифференциального сопротивления используют при рассмотрении устойчивости различных радиотехнических цепей. Такое сопротивление может компенсировать некоторую часть потерь в электрической цепи, если его абсолютная величина меньше
активного сопротивления
; в противоположном случае состояние становится неустойчивым, возможен переход в другое состояние (состояние устойчивого равновесия) (переключение) или возникновение колебаний (генерация). В однородном образце
полупроводника
в области существования отрицательного дифференциального сопротивления неустойчивость может приводить к разбиению образца на участки сильного и слабого поля (доменная неустойчивость) для характеристики
или
шунтированию
тока по сечению образца для характеристики
.
Элемент цепи с отрицательным сопротивлением называют
негатроном
. Такие элементы могут иметь различную физическую реализацию.
Содержание
Примеры элементов с отрицательным дифференциальным сопротивлением
Электронно-дырочный переход в вырожденных полупроводниках (
туннельный диод
) имеет вольтамперную характеристику
. Включение его в цепь приводит к возникновению в цепи неустойчивости и генерации колебаний. Амплитуда и частотный спектр колебаний определяются параметрами внешней цепи и нелинейностью вольт-амперной характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Наличие такого участка позволяет использовать туннельный диод в качестве быстродействующего переключателя.
Полупроводники типа
GaAs
или
InP
в сильных
электрических полях
позволяют реализовать характеристику
в объёме материала за счёт зависимости подвижности электронов от
напряжённости электрического поля
(
эффект Ганна
). В сильном электрическом поле образец становится неустойчивым, переходит в резко неоднородное состояние — разбивается на области (домены) слабого и сильного поля. Рождение домена (на катоде), его движение по образцу и исчезновение (на аноде) сопровождаются колебаниями тока во внешней цепи, частота которых в простейшем случае определяется длиной образца
L
и скоростью
v
дрейфа электронов в поле (
ω
~
v
/
L
) и может достигать
~ 100
Г
Гц
.
В транзисторных и ламповых
генераторах электромагнитных колебаний
транзистор (лампа) вместе с цепью
положительной обратной связи
(и источником питания) играет роль отрицательного дифференциального сопротивления, соединённого последовательно с сопротивлением контура, что эквивалентно поступлению энергии в контур. Если абсолютная величина действующего отрицательного внутреннего сопротивления превышает активные потери, происходит самовозбуждение генератора; стационарные колебания соответствуют состоянию, когда активные потери полностью компенсируются за счёт отрицательного внутреннего сопротивления.
Газоразрядная лампа
имеет отрицательное дифференциальное сопротивление. После зажигания лампы протекающий в ней ток многократно возрастает. Если ток не ограничить, лампа выйдет из строя.