Interested Article - Полупроводниковые приборы

Интегральные схемы являются полупроводниковыми приборами

Полупроводниковые приборы, ПП — широкий класс электронных приборов , изготавливаемых из полупроводников .

Номенклатура

К полупроводниковым приборам относятся:

Интегральные схемы (микросхемы)
Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы , стабилитроны , диоды Шоттки ),
Тиристоры , фототиристоры ,
Транзисторы ,
Приборы с зарядовой связью ,
Полупроводниковые СВЧ -приборы ( диоды Ганна , лавинно-пролётные диоды ),
Оптоэлектронные приборы ( фоторезисторы , фотодиоды , фототранзисторы , солнечные элементы , детекторы ядерных излучений, светодиоды , полупроводниковые лазеры , электролюминесцентные излучатели ),
Терморезисторы , датчики Холла .

История

в СССР

Исследование и первые попытки создания полупроводниковых приборов проводились в СССР ещё в 1920-х — 1930-х годах. В 1924 году в Нижегородской радиолаборатории учёный О. В. Лосев создал полупроводниковый детектор -усилитель и детектор-генератор электромагнитных излучений на частоты до десятков МГц. На этой основе впервые в мире было создано детекторное приёмопередаточное устройство — кристадин .

Позже в СССР для развития отрасли были созданы научно-исследовательские институты и центры. В 1956 году введён в эксплуатацию Завод полупроводниковых приборов. Среди продукции завода на то время — пальчиковые лампы широкого применения и сверхминиатюрные стержневые лампы, первые полупроводниковые диоды Д2, диоды Д9, Д10, Д101-103А, Д11, стабилитроны Д808-813 .

в России

Холдинг « Росэлектроника » объединяет предприятия-производители электронной продукции.

Производство

Электронная промышленность
- Полупроводниковая промышленность
  - Полупроводниковые материалы

(см. Контрактный производитель , OEM). Крупнейшие (на 2018) контрактные производители полупроводниковых микросхем: TSMC (доля рынка 55,9 %), GlobalFoundries — 9,4 %, UMC (United Microelectronics Corporation) — 8,5 %.

Микросхемы: см. Производство микросхем

При изготовлении микросхем используется метод фотолитографии (проекционной, контактной и др.), при этом схему формируют на подложке (обычно из кремния ), полученной путём резки алмазными дисками монокристаллов кремния на тонкие пластины.

Примечания

В. И. Стафеев . от 27 июля 2014 на Wayback Machine // 15.09.2009
(неопр.) . Дата обращения: 27 июня 2014. 13 декабря 2013 года.

Литература

С. Зи . Физика полупроводниковых приборов. В 2-х тт. 2-е изд. М., Мир , 1984.
М. С. Шур . Физика полупроводниковых приборов. В 2-х тт. М., Мир, 1992.
Лебедев А. И. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Физматлит, 2008.
Пасынков В. В. , Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. — 8-е издание, исправленное.. — М. : Лань, 2006. — 480 с.
Шинкаренко В. Г. Полупроводниковые приборы : учеб. пособие для вузов. — М. : МФТИ, 2011 .— 172 с. — Библиогр.: с. 169—172. — 300 экз. — ISBN 978-5-7417-0376-2 .
Шинкаренко В. Г. Электрические свойства полупроводников и полупроводниковые приборы : учеб. пособие для вузов. — М. : МФТИ, 2016 .— 294 с. + pdf-версия. — Библиогр.: с. 283—284. — 300 экз. — ISBN 978-5-7417-0601-5 . (доступ из сети МФТИ).