Слой обогаще́ния (также: слой аккумуляции [от англ. accumulation layer ], обогащённый/аккумуляционный слой , или о́бласть обогащения/аккумуляции ) — область в полупроводнике около его поверхности или стыка с другим материалом, концентрация основных носителей заряда в которой больше, чем в равновесном состоянии полупроводника. Типичная толщина этого слоя составляет несколько нанометров.

Определение по ГОСТ

Согласно ГОСТ 15133-77 , обогащённый слой определяется как

слой полупроводника, в котором концентрация основных носителей заряда больше разности концентрации ионизованных доноров и акцепторов.

Структуры с обогащённым слоем

Чаще всего изучается обогащённый слой в МОП-структуре (МОП = Металл — Оксид — Полупроводник), формирующийся при приложении достаточно высокого прямого ("-" на металл в случае подложки p-типа , или "+" на металл для n-подложки , см. рис.) напряжения. Данный режим работы МОП-структуры называется режимом обогащения или аккумуляции.

Поскольку МОП-структура может являться составной частью важнейшего прибора твердотельной электроники — полевого транзистора, изучение её работы в различных условиях, в том числе в режиме аккумуляции, весьма актуально (хотя наиболее значим режим инверсии ).

Кроме того, обогащённый слой может создаваться у гетерограниц в структурах из нескольких полупроводников с разными энергиями сродства к электрону и/или разной шириной запрещённой зоны .

Свойства обогащённого слоя

Обогащённый слой в полупроводнике n-типа формируется электронами , а в полупроводнике p-типа — дырками .

Толщина обогащённого слоя зависит от материала, концентрации примесных атомов и величины приложенного поля. Характерные значения составляют 2—5 нм. Типичные величины напряжённости поперечного электрического поля — 10 ⁶ —10 ⁷ В/см, плотности носновных носителей лежат в диапазоне 10 ¹¹ —10 ¹³ см ^-2 .

Движение носителей в перпендикулярном направлении квантуется . Распределение потенциала в обогащённом слое и вблизи него рассчитывается путём самосогласованного решения уравнений Шрёдингера и Пуассона . При этом оказывается, что максимум плотности заряда смещён от интерфейса примерно на 1 нм, а дно нижней подзоны может отстоять от минимума потенциальной энергии в приповерхностной яме на величину до 0.5 эВ. За счёт квантования снижается плотность состояний , по сравнению с трёхмерным случаем .

См. также

• Слой обеднения
• Инверсный слой

Примечания

Литература

• Грибников 3. С., Пудалов В. М. // Физическая энциклопедия : [в 5 т.] / Гл. ред. А. М. Прохоров . — М. : Советская энциклопедия , 1990. — Т. 2: Добротность — Магнитооптика. — 704 с. — 100 000 экз. — ISBN 5-85270-061-4 .