Проект «Физика» (уровень 2, важность для проекта средняя) Эта статья тематически связана с вики-проектом «Физика» , цель которого — создание и улучшение статей по темам, связанным с физикой . Вы можете , а также присоединиться к проекту , принять участие в его обсуждении и поработать над требуемыми статьями . II Уровень статьи по шкале оценок проекта : развитая Средняя Важность статьи для проекта « Физика »: средняя

Проект «Электроника» (уровень 2, важность для проекта высшая) Эта статья тематически связана с вики-проектом «Электроника» , цель которого — создание и улучшение статей по темам, связанным с Электроникой . Вы можете , а также присоединиться к проекту , принять участие в его обсуждении и поработать над требуемыми статьями . II Уровень статьи по шкале оценок проекта : развитая Высшая Важность статьи для проекта « Электроника »: высшая

(!)надо ( ?) - — Tpyvvikky ( обс. ) 03:46, 25 апреля 2021 (UTC) [ ]

не ПОЛЕВОЙ, а ПОЛЕВЫЙ

Правильное название транзистора не ПОЛЕВОЙ, а ПОЛЕВЫЙ (ударение на букву "О"), от слова "поле", а не от слова "полевая кухня"! Думаю, стоит исправить... -- 62.231.162.81 04:03, 1 мая 2010 (UTC) Участник: Odyssey [ ]

"Полевая кухня" тоже от слова "поле" 18:27, 20 июня 2010 (UTC) [ ]

У нас куча профессоров (все) говорят ПОЛЕВО'Й, думаю, стоит отбросить филологию и просто писать так, как это везде принято. -- 109.205.252.5 19:23, 14 марта 2011 (UTC) [ ]

Терминология

• МОП (металл-оксид-полупроводник)
• МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)

что вернее/официальнее? -- Tpyvvikky 12:29, 17 июля 2012 (UTC) [ ]

«полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется…» — может поменять на «полупроводниковый прибор, электрическое сопротивление которого изменяется…»?-- 80.73.201.153 12:30, 17 февраля 2009 (UTC) [ ]

• Ток, протекающий через канал полевого транзистора пропорционален напряжению на затворе и мало зависит от напряжения на истоке (если конечно оно достаточно велико). Поэтому более корректно говорить "ток" 85.142.44.10 15:55, 22 марта 2009 (UTC) [ ]

Заключительные победные реляции. Следует упомянуть и недостатки полевых транзисторов. Должны же быть принципиальные трудности, связанные с физикой их работы, а не только с дороговизной и сложностью технологий. -- 217.118.90.179 11:42, 15 мая 2012 (UTC) [ ]

Характеристика зависимости тока стока от напряжения затвор-исток для полевого транзистора со встроенным каналом неверная. Для таких N-канальных транзисторов канал является проводящим при нулевом напряжении затвор-исток. При уменьшении этого напряжения канал постепенно запирается, и при НАПРЯЖЕНИИ ОТСЕЧКИ ток через канал становится нулевым. Характеристика должна иметь зеркальный вид относительно показанной. Вообще эту часть статьи нужно переработать.

Прочитал статью, так и не понял: можно ли подключать к стоку и истоку МДП-транз. с индуц. каналом плюс и минус одновременно, или только в зависимости от типа канала? 77.109.18.124 19:18, 26 июня 2008 (UTC) [ ]

• В случае, если подашь обратное напряжение, ток через канал будет равен нулю, как и при нулевом. Если же канал встроенный, можно подавать и отрицательное напряжение вплоть до запирания транзистора. 85.142.44.10 15:57, 22 марта 2009 (UTC) [ ]

Опечатка в выходных характеристиках МДП со встроенным каналом: параметр семейства ВАХ - напряжение затвор-исток, а не сток-исток. --Никита 93.175.9.127 15:06, 1 июня 2009 (UTC) [ ]

При работе с полевыми транзисторами надо соблюдать особые меры предосторожностями. Все работы с полевыми транзисторами следует выполнять на металлическом заземлённом листе, на котором располагаются руки монтажника (настройщика), инструмент и другое оборудование для выполнения работ. На руке монтажника должно быть заземлённое кольцо или браслет.

Выводы транзисторов паяют низковольтным паяльником мощностью не более 60 Вт; его жало должно быть заземлено. Температура паяльника не должна превышать 260 С, длительность пайки не более 3 с. Пайку производить не ближе 5 мм от корпуса транзистора. На время пайки выводы транзистора нужно соединить между собой накоротко. Изгиб выводов выполнять на расстоянии не менее 3 мм от корпуса.

В каком разделе более целесообразно указать меры предосторожности? Обратить внимание на эту информацию считаю необходимым. TechMaster 20:41, 9 мая 2009 (UTC)

Замечу, что указанные Вами требования по температуре пайки относятся не только к полевым транзисторам, а про изгиб выводов - относятся только к части видов корпусов полупроводниковых приборов вообще. Поэтому такое добавление без корректировки и сокращения будет нелогичным. Sergej Qkowlew 08:44, 10 мая 2009 (UTC) [ ]

- The junction gate (соединительный затвор?) field-effect transistor (JFET or JUGFET) - простейший вид полевого транзистора. They are three-terminal semiconductor devices that can be used as electronically-controlled switches, amplifiers, or voltage-controlled resistors.

Коэффициент усиления по мощности у полевых смехотворно низкий по сравнению с самыми дохлыми биполярными. Поэтому они могут использоваться только как промежуточное звено. ~~37.214.55.113 , 6 февраля 2020

Неверно это. Легко показать, что на низких частотах КУ по мощности у ПТ может быть несколько десятков тысяч, что недостижимо для биполярных транзисторов. Д.Ильин ( обс. ) 22:33, 6 февраля 2020 (UTC). [ ]

что доказывается применение их в вых. каскадах УНЧ (?) ~~ Tpyvvikky ( обс. ) 08:47, 7 февраля 2020 (UTC) [ ]

В вых. каскадах УНЧ на ПТ проще достичь бо́льшей линейности.

…у полевых смехотворно низкий по сравнению с самыми дохлыми биполярными. Поэтому они могут использоваться только как промежуточное звено. — совершенная безграмотность от начинающего электронщика — «смехотворно», «дохлый», «звено» — с таким на Лурку.

${\displaystyle K_{W}=(\Delta I_{o}^{2}R_{o})/(\Delta U_{i}^{2}/R_{i})=(\Delta I_{o}^{2}/\Delta U_{i}^{2})R_{i}R_{o}=S^{2}R_{i}R_{o};}$

${\displaystyle K_{W}}$ — коэффициент усиления по мощности;

${\displaystyle R_{i}\approx 1/(2\pi fC_{i}),}$

${\displaystyle R_{o}}$ — сопротивление нагрузки, Ом;

${\displaystyle S}$ — крутизна передаточной характеристики , А/В;

${\displaystyle i,~o}$ — индексы для входа и выхода соответственно;

${\displaystyle C_{i}}$ — входная ёмкость каскада с ОИ, Ф;

${\displaystyle f}$ — частота, Гц.

Возьмем типичные значения для каскада с ОИ: ${\displaystyle S=0,001;~}$ ${\displaystyle C_{i}=10^{-11};~}$ ${\displaystyle f=50;~}$ ${\displaystyle R_{o}=1000,~}$ тогда ${\displaystyle K_{W}\approx 3,2\cdot 10^{5}.~}$ Для каскада ОЭ на биполярном транзисторе трудно получить ${\displaystyle K_{W}}$ больше нескольких сотен на любой частоте. Это тоже можно легко показать. Д.Ильин ( обс. ) 14:54, 7 февраля 2020 (UTC). [ ]