Interested Article - Модель МОП-транзистора ЭКВ

ЭКВ ( EKV MOSFET model ) — математическая модель МОП -транзистора ( MOSFET ), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования аналоговых интегральных схем .

Модель была разработана К. Энцем, Ф. Круменахером и Е. А. Виттосом (название модели составлено из первых букв фамилий авторов) в 1995 году, однако основа модели была заложена в 1980-х годах. В отличие от моделей с квадратичным уравнением ( Quadratic Model ), модель ЭКВ отличается точностью также в подпороговой области работы МОП-транзистора (например, если V _bulk =V _source тогда МОП-транзистор находится в подпорговой области V _gate-source < V _Threshold ).

Кроме того, модель ЭКВ содержит много дополнительных специализированных эффектов, которые важны при проектировании микро- и субмикронных КМОП - интегральных схем .

См. также

Примечания

Enz, C. C.; Krummenacher, F.; Vittoz, E.A. (1995), "An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design (published July 1995), vol. 8, pp. 83–114
Enz, C. C.; Krummenacher, F.; Vittoz, E.A. (1987), "A CMOS Chopper Amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits (published June 1987), vol. 22, no. 3, pp. 335–342

Ссылки

- страница модели на сайте EPFL (англ.)
- личная страница на сайте EPFL
- личная страница на сайте EPFL
( , IEEE Solid-State Circuits Society Newsletter. Volume: 8, Issue: 4, Oct. 2003 pp 1-4) (англ.)