Эффект Кирка — явление увеличения толщины базы биполярного транзистора , вызываемое ростом тока коллектора выше некоторой величины ${\displaystyle I_{CK}}$ при прочих неизменных условиях.

Объясняется повышением концентрации неосновных носителей в базе при больших токах коллектора, которая вызывает уменьшение толщины области пространственного заряда коллекторного перехода, и, таким образом увеличение толщины базы. Пороговая величина тока коллектора ${\displaystyle I_{CK}}$ , начиная с которой возникает эффект Кирка, определяется из условия превышения концентрации электронов, вызванной протеканием тока ${\displaystyle I_{CK}}$ над концентрацией примеси ${\displaystyle N_{B}}$ на границе базы со стороны коллектора, то есть из условия ${\displaystyle {\frac {I_{CK}}{Sev_{s}}}>N_{B}}$ . Отсюда следует: ${\displaystyle I_{CK}>Sev_{s}N_{B}}$ Эффект Кирка уменьшает коэффициент усиления по току ${\displaystyle \beta _{F}={\frac {|I_{C}|}{|I_{B}|}}}$ и увеличивает время пролета неосновных носителей через базу.

См. также

• Эффект Эрли

Литература

• Сугано, Т., Икома Т., Такэиси Ё. Введение в микроэлектронику. — М. : Мир, 1988. — С. 102. — ISBN 5-03-001109-9 .