Исследование и первые попытки создания полупроводниковых приборов проводились
в СССР
ещё в 1920-х — 1930-х годах. В 1924 году в Нижегородской радиолаборатории учёный
О. В. Лосев
создал полупроводниковый
детектор
-усилитель и детектор-генератор электромагнитных излучений на частоты до десятков МГц. На этой основе впервые в мире было создано детекторное приёмопередаточное устройство —
кристадин
.
Позже в СССР для развития отрасли были созданы научно-исследовательские институты и центры. В 1956 году введён в эксплуатацию Завод полупроводниковых приборов. Среди продукции завода на то время — пальчиковые лампы широкого применения и сверхминиатюрные стержневые лампы, первые полупроводниковые диоды Д2, диоды Д9, Д10, Д101-103А, Д11,
стабилитроны
Д808-813
.
При изготовлении микросхем используется метод
фотолитографии
(проекционной, контактной и др.), при этом схему формируют на
подложке
(обычно из
кремния
), полученной путём резки алмазными дисками монокристаллов кремния на тонкие пластины.
Шинкаренко В. Г.
Электрические свойства полупроводников и полупроводниковые приборы : учеб. пособие для вузов. — М. : МФТИ, 2016 .— 294 с. + pdf-версия. — Библиогр.: с. 283—284. — 300 экз. —
ISBN 978-5-7417-0601-5
.
(доступ из сети МФТИ).