В начале
1990-х
характеристики КМОП-матриц, а также технология производства, были значительно улучшены. Прогресс в субмикронной
фотолитографии
позволил применять в КМОП-сенсорах более тонкие соединения. Это привело к увеличению светочувствительности за счёт большего процента облучаемой площади матрицы.
Переворот в технологии КМОП-сенсоров произошёл, когда в
лаборатории реактивного движения
(Jet Propulsion Laboratory, JPL)
NASA
успешно реализовали
active-pixel sensors (APS) — активно-пиксельные датчики
. Теоретические исследования были выполнены ещё несколько десятков лет тому назад
[
когда?
]
, но практическое использование активного сенсора отодвинулось до 1993 года
[
уточнить
]
[
источник не указан 187 дней
]
. APS добавляет к каждому пикселю транзисторный усилитель для считывания, что даёт возможность преобразовывать заряд в напряжение прямо в пикселе. Это обеспечило также произвольный доступ к фотодетекторам наподобие реализованного в микросхемах ОЗУ
[
уточнить
]
[
источник не указан 187 дней
]
.
В процессе экспозиции происходит накопление заряда фотодиодом
В процессе считывания происходит выборка значения напряжения на конденсаторе
Преимущества
Основное преимущество технологии
КМОП
— низкое энергопотребление в статическом состоянии. Это позволяет применять такие матрицы в составе энергонезависимых устройств, например, в датчиках движения и системах наблюдения, находящихся большую часть времени в режиме «сна» или «ожидания события».
Важным преимуществом матрицы КМОП является единство технологии с остальными, цифровыми элементами аппаратуры. Это приводит к возможности объединения на одном кристалле аналоговой, цифровой и обрабатывающей части (КМОП-технология, являясь в первую очередь процессорной технологией, подразумевает не только «захват» света, но и процесс преобразования, обработки, очистки сигналов не только собственно-захваченных, но и сторонних компонентов РЭА
[
чего?
]
[
уточнить
]
), что послужило основой для миниатюризации камер для самого разного оборудования и снижения их стоимости ввиду отказа от дополнительных процессорных микросхем.
С помощью механизма произвольного доступа можно выполнять считывание выбранных групп пикселей. Данная операция получила название кадрированного считывания (
англ.
windowing readout
). Кадрирование позволяет уменьшить размер захваченного изображения и потенциально увеличить скорость считывания по сравнению с ПЗС-сенсорами, поскольку в последних для дальнейшей обработки необходимо выгрузить всю информацию. Появляется возможность применять одну и ту же матрицу в принципиально различных режимах. В частности, быстро считывая только малую часть пикселей, можно обеспечить качественный режим живого просмотра изображения на встроенном в аппарат экране с относительно малым числом пикселей. Можно отсканировать только часть кадра и применить её для отображения на весь экран. Тем самым получить возможность качественной ручной фокусировки. Есть возможность вести репортажную скоростную съёмку с меньшим размером кадра и разрешением.
В дополнение к усилителю внутри пикселя, усилительные схемы могут быть размещены в любом месте по цепи прохождения сигнала. Это позволяет создавать усилительные каскады и повышать чувствительность в условиях плохого освещения. Возможность изменения коэффициента усиления для каждого цвета улучшает, в частности,
балансировку белого
.
Дешевизна производства в сравнении с ПЗС-матрицами, особенно при больших размерах матриц.
Недостатки
Фотодиод ячейки занимает существенно меньшую площадь элемента матрицы, по сравнению с
ПЗС-матрицей с полнокадровым переносом
. Поэтому ранние матрицы КМОП имели существенно более низкую светочувствительность, чем ПЗС. Но в 2007 году компания
Sony
выпустила на рынок новую линейку видео- и фотокамер с КМОП-матрицами нового поколения с технологией
Exmor
, которая ранее применялась только для КМОП-матриц в специфических оптических устройствах, таких, как электронные
телескопы
. В этих матрицах электронная «обвязка» пикселя, препятствующая попаданию
фотонов
на светочувствительный элемент, была перемещена из верхнего в нижний слой матрицы, что позволило увеличить как физический размер пикселя при тех же геометрических размерах матрицы, так и доступность элементов свету, что, соответственно, увеличило светочувствительность каждого пикселя и матрицы в целом. Матрицы КМОП впервые сравнились с ПЗС-матрицами по светочувствительности, но оказались более энергосберегающими и лишёнными главного недостатка ПЗС-технологии — «боязни» точечного света. В 2009 году компания Sony улучшила КМОП-матрицы с технологией
Exmor
, применив к ним технологию «Backlight illumination» («обратная засветка»). Идея технологии проста и полностью соответствует названию
[
уточнить
]
[
источник не указан 187 дней
]
.
Фотодиод ячейки матрицы имеет сравнительно малый размер, величина же получаемого выходного напряжения зависит не только от параметров самого фотодиода, но и от свойств каждого элемента пикселя. Таким образом, у каждого пикселя матрицы оказывается своя собственная
характеристическая кривая
, и возникает проблема разброса
светочувствительности
и
коэффициента контраста
пикселей матрицы. В результате этого первые произведённые КМОП-матрицы имели сравнительно низкое разрешение и высокий уровень так называемого «структурного шума» (
англ.
pattern noise
).
Наличие на матрице большого по сравнению с фотодиодом объёма электронных элементов создаёт дополнительный нагрев устройства в процессе считывания и приводит к возрастанию теплового шума.