Биполя́рный транзи́стор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор , один из типов транзисторов . В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода , перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками . Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar ), в отличие от полевого (униполярного) транзистора .

Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента (например, в схемах ТТЛ ).

Устройство

Биполярный транзистор состоит из трёх полупроводниковых слоёв с чередующимся типом примесной проводимости : эмиттера (обозначается «Э», англ. E ), базы («Б», англ. B ) и коллектора («К», англ. C ). В зависимости от порядка чередования слоёв различают n-p-n (эмиттер — n -полупроводник , база — p -полупроводник , коллектор — n -полупроводник) и p-n-p транзисторы. К каждому из слоёв подключены проводящие невыпрямляющие контакты .

С точки зрения типов проводимостей эмиттерный и коллекторный слои не различимы, но при изготовлении они существенно различаются степенью легирования для улучшения электрических параметров прибора. Коллекторный слой легируется слабо, что повышает допустимое коллекторное напряжение. Эмиттерный слой — сильно легированный: величина пробойного обратного напряжения эмиттерного перехода не критична, так как обычно в электронных схемах транзисторы работают с прямосмещённым эмиттерным переходом. Кроме того, сильное легирование эмиттерного слоя обеспечивает лучшую инжекцию неосновных носителей в базовый слой, что увеличивает коэффициент передачи по току в схемах с общей базой. Слой базы легируется слабо, так как располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и должен иметь большое электрическое сопротивление .

Общая площадь перехода база-эмиттер выполняется значительно меньше площади перехода коллектор-база, что увеличивает вероятность захвата неосновных носителей из базового слоя и улучшает коэффициент передачи. Так как в рабочем режиме переход коллектор-база обычно включён с обратным смещением, в нём выделяется основная доля тепла, рассеиваемого прибором, и повышение его площади способствует лучшему охлаждению кристалла. Поэтому на практике биполярный транзистор общего применения является несимметричным устройством (то есть инверсное включение, когда меняют местами эмиттер и коллектор, нецелесообразно).

Для повышения частотных параметров (быстродействия) толщину базового слоя делают меньше, так как этим, в том числе, определяется время «пролёта» (диффузии в бездрейфовых приборах) неосновных носителей. Но при снижении толщины базы снижается предельное коллекторное напряжение, поэтому толщину базового слоя выбирают исходя из разумного компромисса.

В первых транзисторах в качестве полупроводникового материала использовался металлический германий . Полупроводниковые приборы на его основе имеют ряд недостатков , и в настоящее время (2015 г.) биполярные транзисторы изготавливают в основном из монокристаллического кремния и монокристаллического арсенида галлия . Благодаря очень высокой подвижности носителей в арсениде галлия приборы на его основе обладают высоким быстродействием и используются в сверхбыстродействующих логических схемах и в схемах СВЧ - усилителей .

Принцип работы

В активном усилительном режиме работы транзистор включён так, что его эмиттерный переход смещён в прямом направлении (открыт), а коллекторный переход смещён в обратном направлении (закрыт).

В транзисторе типа n-p-n основные носители заряда в эмиттере (электроны) проходят через открытый переход эмиттер-база ( инжектируются ) в область базы. Часть этих электронов рекомбинирует с основными носителями заряда в базе (дырками). Однако из-за того, что базу делают очень тонкой и сравнительно слабо легированной, бо́льшая часть электронов, инжектированных из эмиттера, диффундирует в область коллектора, так как время рекомбинации относительно велико . Сильное электрическое поле обратносмещённого коллекторного перехода захватывает неосновные носители из базы (электроны) и переносит их в коллекторный слой. Ток коллектора, таким образом, практически равен току эмиттера, за исключением небольшой потери на рекомбинацию в базе, которая и образует ток базы ( I _э =I _б + I _к ).

Коэффициент α, связывающий ток эмиттера и ток коллектора ( I _к = α I _э ), называется коэффициентом передачи тока эмиттера . Численное значение коэффициента α = 0,9—0,999. Чем больше коэффициент, тем эффективней транзистор передаёт ток. Этот коэффициент мало зависит от напряжения коллектор-база и база-эмиттер. Поэтому в широком диапазоне рабочих напряжений ток коллектора пропорционален току базы, коэффициент пропорциональности равен β = α/(1 − α), от 10 до 1000. Таким образом, малый ток базы управляет значительно бо́льшим током коллектора.

Режимы работы

Напряжения на эмиттере, базе, коллекторе ( ${\displaystyle U_{E},U_{B},U_{C}}$ )	Смещение перехода база-эмиттер для типа n-p-n	Смещение перехода база-коллектор для типа n-p-n	Режим для типа n-p-n
${\displaystyle U_{E}<U_{B}<U_{C}}$	прямое	обратное	нормальный активный режим
${\displaystyle U_{E}<U_{B}>U_{C}}$	прямое	прямое	режим насыщения
${\displaystyle U_{E}>U_{B}<U_{C}}$	обратное	обратное	режим отсечки
${\displaystyle U_{E}>U_{B}>U_{C}}$	обратное	прямое	инверсный активный режим
Напряжения на эмиттере, базе, коллекторе ( ${\displaystyle U_{E},U_{B},U_{C}}$ )	Смещение перехода база-эмиттер для типа p-n-p	Смещение перехода база-коллектор для типа p-n-p	Режим для типа p-n-p
${\displaystyle U_{E}<U_{B}<U_{C}}$	обратное	прямое	инверсный активный режим
${\displaystyle U_{E}<U_{B}>U_{C}}$	обратное	обратное	режим отсечки
${\displaystyle U_{E}>U_{B}<U_{C}}$	прямое	прямое	режим насыщения
${\displaystyle U_{E}>U_{B}>U_{C}}$	прямое	обратное	нормальный активный режим

Нормальный активный режим

Переход эмиттер-база включён в прямом направлении (открыт), а переход коллектор-база — в обратном (закрыт):

U _ЭБ < 0; U _КБ > 0 (для транзистора n-p-n типа), для транзистора p-n-p типа условие будет иметь вид U _ЭБ >0; U _КБ < 0.

Инверсный активный режим

Эмиттерный переход имеет обратное смещение, а коллекторный переход — прямое: U _КБ < 0; U _ЭБ > 0 (для транзистора n-p-n типа).

Режим насыщения

Оба p-n перехода смещены в прямом направлении (оба открыты). Если эмиттерный и коллекторный р-n -переходы подключить к внешним источникам в прямом направлении, транзистор будет находиться в режиме насыщения. Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов будет частично ослабляться электрическим полем, создаваемым внешними источниками Uэб и Uкб . В результате уменьшится потенциальный барьер, ограничивавший диффузию основных носителей заряда, и начнётся проникновение (инжекция) дырок из эмиттера и коллектора в базу, то есть через эмиттер и коллектор транзистора потекут токи, называемые токами насыщения эмиттера ( I _{Э. нас} ) и коллектора ( I _{К. нас} ).

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (U _{КЭ. нас} ) — это падение напряжения на открытом транзисторе (смысловой аналог R _{СИ. отк} у полевых транзисторов). Аналогично напряжение насыщения база-эмиттер (U _{БЭ. нас} ) — это падение напряжения между базой и эмиттером на открытом транзисторе.

Режим отсечки

В данном режиме коллекторный p-n переход смещён в обратном направлении, а на эмиттерный переход может быть подано как обратное, так и прямое смещение, не превышающее порогового значения, при котором начинается эмиссия неосновных носителей заряда в область базы из эмиттера (для кремниевых транзисторов приблизительно 0,6—0,7 В).

Режим отсечки соответствует условию U _ЭБ <0,6—0,7 В, или I _Б =0 .

Барьерный режим

В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором , а в коллекторную или в эмиттерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет собой своеобразный диод, включённый последовательно с токозадающим резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, нечувствительностью к параметрам транзисторов.

Схемы включения

Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями:

• Коэффициент усиления по току I _вых / I _вх .
• Входное сопротивление R _вх = U _вх / I _вх .

Схема включения с общей базой

• Среди всех трёх конфигураций обладает наименьшим входным и наибольшим выходным сопротивлением. Имеет коэффициент усиления по току, близкий к единице, и большой коэффициент усиления по напряжению. Не инвертирует фазу сигнала.
• Коэффициент усиления по току: I _вых / I _вх = I _к / I _э = α [α<1].
• Входное сопротивление R _вх = U _вх / I _вх = U _эб / I _э .

Входное сопротивление (входной импеданс ) усилительного каскада с общей базой мало зависит от тока эмиттера, при увеличении тока — снижается и не превышает единиц — сотен Ом для маломощных каскадов, так как входная цепь каскада при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора.

Достоинства

• Хорошие температурные и широкий частотный диапазон, так как в этой схеме подавлен эффект Миллера .
• Высокое допустимое коллекторное напряжение.

Недостатки

• Малое усиление по току, равное α, так как α всегда немного менее 1
• Малое входное сопротивление

Схема включения с общим эмиттером

• Коэффициент усиления по току: I _вых / I _вх = I _к / I _б = I _к /( I _э -I _к ) = α/(1-α) = β [β>>1].
• Входное сопротивление: R _вх = U _вх / I _вх = U _бэ / I _б .

Достоинства

• Большой коэффициент усиления по току.
• Большой коэффициент усиления по напряжению.
• Наибольшее усиление мощности.
• Можно обойтись одним источником питания.
• Выходное переменное напряжение инвертируется относительно входного.

Недостатки

• Имеет меньшую температурную стабильность. Частотные свойства такого включения по сравнению со схемой с общей базой существенно хуже, что обусловлено эффектом Миллера .

Схема с общим коллектором

• Коэффициент усиления по току: I _вых / I _вх = I _э / I _б = I _э /( I _э -I _к ) = 1/(1-α) = β+1 [β>>1].
• Входное сопротивление: R _вх = U _вх / I _вх = ( U _бэ + U _кэ )/ I _б .

Достоинства

• Большое входное сопротивление.
• Малое выходное сопротивление.

Недостатки

• Коэффициент усиления по напряжению немного меньше 1.

Схему с таким включением часто называют « эмиттерным повторителем ».

Основные параметры

• Коэффициент передачи по току.
• Входное сопротивление.
• Выходная проводимость.
• Обратный ток коллектор-эмиттер.
• Время включения.
• Предельная частота коэффициента передачи тока базы.
• Обратный ток коллектора.
• Максимально допустимый ток.
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

Параметры транзистора делятся на собственные (первичные) и вторичные. Собственные параметры характеризуют свойства транзистора, независимо от схемы его включения. В качестве основных собственных параметров принимают:

• коэффициент усиления по току α;
• сопротивления эмиттера, коллектора и базы переменному току r _э , r _к , r _б , которые представляют собой:
  • r _э — сумму сопротивлений эмиттерной области и эмиттерного перехода;
  • r _к — сумму сопротивлений коллекторной области и коллекторного перехода;
  • r _б — поперечное сопротивление базы.

Вторичные параметры различны для различных схем включения транзистора и, вследствие его нелинейности, справедливы только для низких частот и малых амплитуд сигналов. Для вторичных параметров предложено несколько систем параметров и соответствующих им эквивалентных схем. Основными считаются смешанные (гибридные) параметры, обозначаемые буквой « h ».

Входное сопротивление — сопротивление транзистора входному переменному току при коротком замыкании на выходе. Изменение входного тока является результатом изменения входного напряжения, без влияния обратной связи от выходного напряжения.

h ₁₁ = U _m1 / I _m1 , при U _m2 = 0.

Коэффициент обратной связи по напряжению показывает, какая доля выходного переменного напряжения передаётся на вход транзистора вследствие обратной связи в нём. Во входной цепи транзистора нет переменного тока, и изменение напряжения на входе происходит только в результате изменения выходного напряжения.

h ₁₂ = U _m1 / U _m2 , при I _m1 = 0.

Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления по току) показывает усиление переменного тока при нулевом сопротивлении нагрузки. Выходной ток зависит только от входного тока без влияния выходного напряжения.

h ₂₁ = I _m2 / I _m1 , при U _m2 = 0.

Выходная проводимость — внутренняя проводимость для переменного тока между выходными зажимами. Выходной ток изменяется под влиянием выходного напряжения.

h ₂₂ = I _m2 / U _m2 , при I _m1 = 0.

Зависимость между переменными токами и напряжениями транзистора выражается уравнениями:

U _m1 = h ₁₁ I _m1 + h ₁₂ U _m2 ;

I _m2 = h ₂₁ I _m1 + h ₂₂ U _m2 .

В зависимости от схемы включения транзистора к цифровым индексам h-параметров добавляются буквы: «э» — для схемы ОЭ, «б» — для схемы ОБ, «к» — для схемы ОК.

Для схемы ОЭ: I _m1 = I _mб , I _m2 = I _mк , U _m1 = U _mб-э , U _m2 = U _mк-э . Например, для данной схемы:

h _21э = I _mк / I _mб = β.

Для схемы ОБ: I _m1 = I _mэ , I _m2 = I _mк , U _m1 = U _mэ-б , U _m2 = U _mк-б .

Собственные параметры транзистора связаны с h -параметрами, например для схемы ОЭ:

${\displaystyle h_{11\backepsilon }=r_{\delta }+{\frac {r_{\backepsilon }}{1-\alpha }}}$ ;

${\displaystyle h_{12\backepsilon }\approx {\frac {r_{\backepsilon }}{r_{\kappa }(1-\alpha )}}}$ ;

${\displaystyle h_{21\backepsilon }=\beta ={\frac {\alpha }{1-\alpha }}}$ ;

${\displaystyle h_{22\backepsilon }\approx {\frac {1}{r_{\kappa }(1-\alpha )}}}$ .

С повышением частоты заметное влияние на работу транзистора начинает оказывать ёмкость коллекторного перехода C _к . Его реактивное сопротивление уменьшается, шунтируя нагрузку и, следовательно, уменьшая коэффициенты усиления α и β. Сопротивление эмиттерного перехода C _э также снижается, однако он шунтируется малым сопротивлением перехода r _э и в большинстве случаев может не учитываться. Кроме того, при повышении частоты происходит дополнительное снижение коэффициента β в результате отставания фазы тока коллектора от фазы тока эмиттера, которое вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эммитерного перехода к коллекторному и инерционностью процессов накопления и рассасывания заряда в базе. Частоты, на которых происходит снижение коэффициентов α и β на 3 дБ, называются граничными частотами коэффициента передачи тока для схем ОБ и ОЭ соответственно.

В импульсном режиме ток коллектора изменяется с запаздыванием на время задержки τ _з относительно импульса входного тока, что вызвано конечным временем пробега носителей через базу. По мере накопления носителей в базе ток коллектора нарастает в течение длительности фронта τ _ф . Временем включения транзистора называется τ _вкл = τ _з + τ _ф .

Токи в транзисторе

Токи в биполярном транзисторе имеют две основных составляющих.

• Ток основных носителей эмиттера I _Э , который частично проходит в коллектор, образуя ток основных носителей коллектора I _{к осн} , частично рекомбинирует с основными носителями базы, образуя рекомбинантный ток базы I _бр .
• Ток неосновных носителей коллектора, который течёт через обратно смещённый коллекторный переход, образуя обратный ток коллектора I _кбо .

Биполярный СВЧ-транзистор

Биполярные СВЧ-транзисторы (БТ СВЧ) служат для усиления колебаний с частотой свыше 0,3 ГГЦ . Верхняя граница частот БТ СВЧ с выходной мощностью более 1 Вт составляет около 10 ГГц. Большинство мощных БТ СВЧ по структуре относится к n-p-n типу . По методу формирования переходов БТ СВЧ являются эпитаксиально-планарными . Все БТ СВЧ, кроме самых маломощных, имеют многоэмиттерную структуру (гребёнчатую, сетчатую) . По мощности БТ СВЧ разделяются на маломощные (рассеиваемая мощность до 0,3 Вт), средней мощности (от 0,3 до 1,5 Вт) и мощные (свыше 1,5 Вт) . Выпускается большое число узкоспециализированных типов БТ СВЧ .

Технологии изготовления транзисторов

• Эпитаксиально - планарная
• Диффузионно-сплавная.

Применение транзисторов

• Усилители , каскады усиления
• Генератор сигналов
• Модулятор
• Демодулятор (Детектор)
• Инвертор (лог. элемент)
• Микросхемы на транзисторной логике (см. транзисторно-транзисторная логика , диодно-транзисторная логика , резисторно-транзисторная логика )

См. также

• Изобретение транзистора
• Униполярный транзистор

Примечания

Ссылки

• от 15 марта 2022 на Wayback Machine

Литература

• Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов. — К. : Техника, 1969. — 300 с.
• Кулешов В.Н., Удалов Н.Н., Богачев В.М. и др. Генерирование колебаний и формирование радиосигналов. — М. : МЭИ, 2008. — 416 с. — ISBN 978-5-383-00224-7 .