Эпитакси́я — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другом (от греч. επι — на и ταξισ — упорядоченность ), то есть ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого ( подложки ). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать эпитаксиальным: каждый последующий слой имеет ту же ориентацию, что и предыдущий. Различают гетероэпитаксию , когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны (процесс возможен только для химически не взаимодействующих веществ, например, так изготавливают интегральные преобразователи со структурой кремний на сапфире ), и гомоэпитаксию , когда они одинаковы. Ориентированный рост кристалла внутри объёма другого называется .

Эпитаксия особенно легко осуществляется, если различие постоянных решёток не превышает 10 %. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решёток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют .

Эпитаксия происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка-кристалл, кристалл-среда и подложка-среда, была минимальной.

Эпитаксия является одним из базовых процессов изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем .

Термин «эпитаксия» был введён в 1928 году французским исследователем (Royer L.).

См. также

• Мезотаксия
• Молекулярно-пучковая эпитаксия
• Твердофазная эпитаксия
• Газофазная эпитаксия
• Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы
• Жидкофазная эпитаксия
• Топохимия
• Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия (ХГФЭ)

Примечания

Литература

• Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников / Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд. — М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 560 с. — ISBN 5-9221-0268-0 .