Андре́й Гео́ргиевич Забро́дский (род. 26 июня 1946 , Херсон , СССР ) — советский и российский физик . Доктор физико-математических наук , профессор. Академик РАН (2016). Один из ведущих учёных ФТИ им. Иоффе в Санкт-Петербурге , директор Института в 2003—2017 годах.

Биография

Родился в 1946 году в Херсоне.

В 1970 году с отличием окончил ЛПИ по специальности «радиофизика и электроника» (специализация «квантовая электроника»). Дипломную работу , посвящённую исследованию пространственного излучения гетеролазеров, написал в руководимом Ж. И. Алфёровым секторе Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). После учёбы был призван на службу в ряды Советской армии в должности инженер-лейтенанта (1970—1972).

С 1972 года — в ФТИ им. Иоффе. После обучения в аспирантуре работал инженером (1975—1978), м.н.с. (1978—1983), с.н.с. (1983—1989). В 1979 году защитил диссертацию на соискание учёной степени кандидата («Электрические свойства сильно легированного компенсированного германия»), в 1987 году — доктора физико-математических наук («Низкотемпературные электронные свойства неупорядоченных систем-компенсированных полупроводников в области перехода металл-диэлектрик»). С 1989 года заведует лабораторией «Неравновесные процессы в полупроводниках». С 2003 года до конца 2017 года занимал пост директора ФТИ. По состоянию на 2022 год главный научный сотрудник.

В мае 2008 года был избран членом-корреспондентом , а в октябре 2016 года — академиком Российской академии наук (РАН); в 2017—2022 годах входил в состав Президиума РАН . Главный редактор « Журнала технической физики ».

Научная деятельность

С 1970-х годов работал в области физики неупорядоченных систем: занимался изучением их низкотемпературных свойств — проблемой эффекта переключения, затем — прыжковой проводимости и перехода металл-изолятор . В его работах была установлена, в частности, природа электронного эффекта переключения в компенсированных полупроводниках , доказано существование кулоновской щели в изоляторном состоянии вещества и то, что переход изолятор-металл в компенсированных полупроводниках носит характер фазового перехода II рода и сопровождается схлопыванием кулоновской щели.

В 1980-х годах участвовал (совместно с ГОИ ) в разработке первых отечественных глубокоохлаждаемых болометров , развил направление диагностики сверхпроводящих материалов на основе исследования эффектов магнитозависимого субмиллиметрового поглощения.

В 1980—1990-е годы предложил и развил метод спектроскопии электронных состояний в германии на основе исследования кинетики его нейтронного легирования, обусловленной реакцией захвата орбитального электрона ⁷¹ Ge- ⁷¹ Ga; метод затем был использован как в полупроводниковой, так и в ядерно-физической областях.

В 2004 году организовал в ФТИ и возглавил направление, связанное с разработкой микро- и нанотехнологий для водородной энергетики.

Автор и соавтор более 180 научных трудов.

Педагогическая и организационная деятельность

Руководит научной школой в ФТИ РАН. С 1993 года — по совместительству профессор кафедры экспериментальной физики СПбГПУ . Читает общий курс физики, организовал учебный семинар по этому курсу. В 2005 году основал и возглавил кафедру физики и современных технологий твердотельной электроники в СПбГЭТУ .

Член диссертационного совета при СПбГПУ. Подготовил 3 кандидатов наук. Член Президиума СПбНЦ РАН . Входит в состав редколлегии журнала « Физика и техника полупроводников ».

Награды и премии

• знак «Изобретатель СССР» (1986)
• Премия Совета Министров СССР в составе авторского коллектива за разработку и внедрение преобразователей криогенных температур (1988)
• Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники (2018)
• премия Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в 2022 году, номинация физика и астрономия — премия имени А. Ф. Иоффе. «За фундаментальные и прикладные исследования по физике конденсированных среди физическому материаловедению». Постановление Правительства Санкт-Петербурга от 20.05.2022 № 434.
• Орден Дружбы (2024) — за большой вклад в развитие отечественной науки, многолетнюю плодотворную деятельность и в связи с 300-летием со дня основания Российской академии наук

Основные научные труды

• Забродский А. Г., Зиновьева К. Н. , от 6 ноября 2016 на Wayback Machine // ЖЭТФ. 1984. Т. 86, № 2. С. 727—742.
• Забродский А. Г., Алексеенко М. В. , Исследование кинетики нейтронного легирования германия: характеристики материалаи определение ядерно-физических постоянных // ФТП. 1969. Т. 275 № 11/12. С. 2033—2054.
• Zabrodskii A.G., Andreev A.G. , Anomalously narrow (multielectron) Coulomb gap // In: 22-nd Intern. Conf. Phys. Semicond., Vancouver, Canada, 1994, MoPo42.

Литература

• Редколлегия журнала «Физика и техника полупроводников» , от 12 января 2020 на Wayback Machine — «Физика и техника полупроводников», 2006, том 40, вып. 7, стр. 890—891.

Примечания

Ссылки

• на официальном сайте РАН
• на информационном вики-портале КЭФ СПбГПУ
• от 5 июля 2020 на Wayback Machine на информационно-аналитическом портале российской национальной нанотехнологической сети RusNanoNet.ru
• / А. М. Сергеев , Ю. Ю. Балега , И. А. Щербаков , Е. Б. Александров, В. М. Андреев, А. Л. Асеев, А. М. Быков, И. В. Грехов, В. В. Гусаров, А. В. Двуреченский, А. В. Иванчик, Е. Л. Ивченко, Н. Н. Казанский, А. А. Каплянский, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, С. Г. Конников, П. С. Копьев, З. Ф. Красильник, А. Г. Литвак, С. В. Медведев, Ю. В. Наточин, В. Н. Пармон, Э. Е. Сон, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, В. В. Устинов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, А. Н. Алешин, М. В. Архипов, П. Н. Брунков, А. И. Вейнгер, А. К. Вершовский, Е. А. Волкова, С. А. Гуревич, В. К. Гусев, В. А. Дергачев, А. Г. Дерягин, О. В. Дудник, В. В. Жданов, Н. Л. Истомина, А. М. Калашникова, Е. С. Корнилова, Е. В. Кустова, А.А. Лебедев, Е.В. Липатова, А. В. Нащекин, Р. В. Парфеньев, М. П. Петров, Г. В. Скорняков, Е. М. Смирнов, Г. С. Соколовский, А. В. Соломонов, М. Г. Сушкова, Е. И. Теруков, Е. А. Чабан, О. Л. Чагунава, А. П. Шергин, Е. В. Шестопалова, М. Л. Шматов, А. А. Шмидт, В. Л. Шубин // ЖТФ, 91:6 (2021). С. 893–894.