Родился и вырос в префектуре
Кагосима
, где во время войны его дом был разрушен, а сам он едва не погиб в результате налёта американской авиации. В 1952 году окончил
Киотский университет
и некоторое время работал в компании
Kobe Kogyo Co.
(сейчас
). С 1959 года занимался исследовательской работой в области электроники в
Нагойском университете
и в 1964 году получил степень доктора технических наук. Затем работал в компании
Matsushita Electric Industrial
, где возглавлял лабораторию фундаментальных исследований и отделение по исследованию полупроводников. С 1981 года профессор факультета электроники Нагойского университета.
. С 1992 года работал в
, где с 1996 года был директором центра по исследованию нитридных полупроводников. В 2004 году Нагойский университет присвоил ему звание почётного профессора; в 2006 году здесь открылся названный в его честь Институт Акасаки
.
С 1973 года проводил полномасштабные исследования, направленные на создание синих полупроводниковых светодиодов. Технология создания красных и зелёных светодиодов была к тому времени разработана. Проблемой было получение нужных
полупроводниковых
кристаллов хорошего качества; самыми популярными кандидатами были
нитрид галлия
и
селенид цинка
, однако последний отличался не очень высокой стабильностью. В 1985 году Акасаки с сотрудниками достиг успеха, предложив выращивать кристаллы нитрида галлия на подложке из
сапфира
, покрытой буферным слоем
нитрида алюминия
. В 1989 году они показали, что легирование атомами
магния
превращает кристалл нитрида галлия в
полупроводник p-типа
, способный давать гораздо более интенсивное свечение. На этой основе в начале 1990-х годов были созданы первые синие светодиоды
.
Amano H., Sawaki N., Akasaki I., Toyoda Y.
Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer //
Applied Physics Letters
. — 1986. — Vol. 48. — P. 353–355. —
doi
:
.
Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I.
P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI) // Japanese Journal of Applied Physics. — 1989. — Vol. 28. — P. L2112–L2114. —
doi
:
.
Akasaki I., Amano H., Koide Y., Hiramatsu K., Sawaki N.
// Journal of Crystal Growth. — 1989. — Vol. 98. — P. 209–219. —
doi
:
.
Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I.
// Journal of the Electrochemical Society. — 1990. — Vol. 137. — P. 1639–1641. —
doi
:
.
Akasaki I., Amano H., Kito M., Hiramatsu K.
Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED // Journal of Luminescence. — 1991. — Vol. 48-49. — P. 666–670. —
doi
:
.
Hiramatsu K., Itoh S., Amano H., Akasaki I., Kuwano N., Shiraishi T., Oki K.
// Journal of Crystal Growth. — 1991. — Vol. 115. — P. 628–633. —
doi
:
.
Akasaki I., Sota S., Sakai H., Tanaka T., Koike M., Amano H.
Shortest wavelength semiconductor laser diode // Electronics Letters. — 1996. — Vol. 32. — P. 1105–1106. —
doi
:
.
Akasaki I., Amano H.
Crystal growth and conductivity control of group III nitride semiconductors and their application to short wavelength light emitters // Japanese Journal of Applied Physics. — 1997. — Vol. 36. — P. 5393–5408. —
doi
:
.
Takeuchi T., Amano H., Akasaki I.
Theoretical study of orientation dependence of piezoelectric effects in wurtzite strained GaInN/GaN heterostructures and quantum wells // Japanese Journal of Applied Physics. — 2000. — Vol. 39. — P. 413–416. —
doi
:
.
Акасаки И.
Увлекательные приключения в поисках синего света: Нобелевская лекция //
УФН
. — 2016. —
Т. 186
. —
С. 504–517
. —
doi
:
.